本发明提供一种基板处理系统，在能够沿着以直线延伸的往返路径的生产流水线按照工艺流程的顺序排列配置多个处理单元的串联型基板处理系统中，有效地实现整体长度尺寸的缩短化以及节拍时间的缩短化。在该涂敷显影处理系统（１０）中，形成有被盒台（Ｃ／Ｓ...

本发明提供一种液体处理装置、液体处理方法和存储介质，能够在抑制液体处理装置的总排气量的增大的同时增加基板保持部的排列数量。通过分别设置有第一调节风门（７２）的多个个别排气通路（７）和与这些多个个别排气通路（７）的下游侧共同连接的共用排气...

本发明提供一种基板处理控制方法，其在基板具有２种微小构造的情况下，也能够严格地控制微小构造中的形状的尺寸。该基板处理控制方法，针对存储单元（８３）的每个ＣＤ值，使用ＲＣＷＡ计算得到来自存储单元（８３）的反射率的光谱，并且使用标量分析计算...

本发明提供一种ＦＯＵＰ开闭装置，其能够搬入ＦＯＵＰ，有效地活用ＦＯＵＰ盖体打开的区域的下方空间。设有载置台（１３），该载置台（１３）具备移动机构（６１）和旋转机构（４０），用于载置ＦＯＵＰ（１００），具有包括晶片（Ｗ）的交接口（１１ｄ）...

本发明提供与现有技术相比能够延长聚焦环的寿命、提高等离子体处理装置的运转率并降低运行成本的聚焦环、等离子体处理装置和等离子体处理方法。聚焦环（１５）的内周部（１５ａ）的上表面被配置为与半导体晶片（Ｗ）的周边部的下表面相对，该聚焦环（１５...

本发明提供一种半导体制造装置的清洗装置及清洗方法，能够进行比以往效率高的清洗作业，并且能够得到更好的清洗效果。所述半导体制造装置的清洗装置（１００）具有由纯水生成纯水水蒸气的纯水水蒸气生成容器（２）、将纯水水蒸气供给到被清洗部位的供给口...

本发明公开了将多层／多输入／多输出（ＭＬＭＩＭＯ）模型用于金属栅结构。本发明提供了一种使用包括一个或多个测量工序、一个或多个多蚀刻（Ｐ－Ｅ）顺序、和一个或多个金属栅蚀刻顺序的多层处理顺序和多层／多输入／多输出（ＭＬＭＩＭＯ）模型和库来处...

本发明提供静电吸附装置的除电处理方法、基板处理装置，该静电吸附装置的除电处理方法能够将被处理基板从ＥＳＣ电极上顺利地卸下。在对被处理基板的处理结束后，对腔室内进行真空处理（步骤３），在此真空处理的期间，使ＥＳＣ电极的电压稳定为与吸盘电压...

本发明提供一种成膜方法及成膜装置。成膜方法向能保持真空的处理容器内插入被处理体，形成为将处理容器内保持真空的状态；通过对形成ＺｒＯ↓［２］膜时的锆原料和氧化剂的供给次数及形成ＳｉＯ↓［２］膜时的硅原料和氧化剂的供给次数进行调整来进行形成...

本发明提供一种涂布和显影装置以及方法，在前一批的基板与后一批的基板之间变更加热模块的加热处理温度时提高吞吐量。将输送时间表制作成以下表：在从将前一批的最后的基板传送到处理部之后到将后一批的最初的基板传送到处理部为止，空出以下延迟周期数的...

本发明提供一种被检查体的检查方法和被检查体的检查用程序。本发明的检查方法的特征在于：在控制装置（１４）的控制下，使载置晶片（Ｗ）的载置台（１１）移动，使探测卡（１２）的多个探针（１２Ａ）与晶片（Ｗ）的两个器件（Ｄ）电接触，在对所有器件（...

本发明提供一种基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法具有开口宽度缩小步骤，在硅基材（５０）上依次层叠有非晶碳膜（５１）、ＳｉＯＮ膜（５２）、反射...

本发明的探测方法，使多个探针（１２Ａ）与晶片（Ｗ）的沿着倾斜的方向排列的４个芯片电接触而对芯片每４个同时施行电特性检查，其具有分别求得含有晶片的中央芯片（Ｃｃ）的第一基准倾斜芯片列（１）以及在其左上侧且平行地排列的多个倾斜芯片列，在各倾...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法和控制程序，其与现有技术相比，能够抑制弓弯的产生，并能高精度地进行更精细的加工。本发明的等离子体蚀刻方法在对有机膜（１０２）进行蚀刻而形成被蚀刻膜（１０１）的掩模图案时，至少包括：第一有机膜蚀刻工序，其对有...

本发明提供一种基板处理装置和其使用的支承架。提供能够有效利用基板处理装置的维护操作等中使用的脚手架的下方空间的支承架。在为了支承具备多个处理室（１１０）的基板处理装置（１００）而设置在地面上的支承架（１４０）上，在距地面规定高度的部位以...

本发明提供一种基板处理装置，在该基板处理装置中，能够以不会受到浮起台的由于温度变化而引起的热膨胀或收缩的影响的稳定的基板交接间隙，通过平流式搬送，将基板搬入到浮起台上。预烘单元（ＰＲＥ－ＢＡＫＥ）（４８），在基板搬送线上在位于浮起台（１...

本发明涉及衬底处理方法、程序、计算机可读的记录介质以及衬底处理系统。在本发明中，将在其上已经形成了抗蚀剂膜的衬底转移到光刻机并经受曝光处理。该衬底然后在第二处理系统中经受曝光后烘。然后再将该衬底转移到光刻机并经受曝光处理。已经完成了第二...

本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器（５１）内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在６６７Ｐａ以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行５秒～４５秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成...

本发明涉及一种载置台机构和采用该机构的等离子体处理装置，通过减小向吸盘电极施加直流电压时和切断直流电压时的吸盘等效电路的时间常数，迅速进行电荷的蓄积和电荷的释放。该载置台机构载置被处理体（Ｗ），设在处理容器（５２）内，包括载置台（８４）...

本发明中，处理容器内排列设置有与处理容器的外部之间进行基板的传递的基板传递部和进行基板的显影的显影处理部，并设置有在基板传递部与显影处理部之间以从两侧对基板的外侧面进行夹持的状态进行基板的输送的输送机构。在基板传递部与所述显影处理部之间...