本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处...

本发明提供半导体处理用的成批ＣＶＤ方法及装置。该成批ＣＶＤ方法反复进行具有吸附工序、反应工序和除去残留气体的工序的循环。吸附工序这样地进行：通过在最初的第１期间内使原料气体阀为打开状态之后使其成为关闭状态，向处理容器内供给原料气体，通过...

本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：对上述基板的表面照射紫外线，除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序；在上...

本发明提供能够容易地消除形成在部件表面特别是台阶部的破碎层的表面处理方法。对表面具有破碎层２５ｈ的由碳化硅形成的聚焦环２５，向表面照射电子束４５，或使用等离子体喷枪５０加热表面，或将其收容于退火处理装置６０进行加热，从而将聚焦环２５的表...

本发明涉及一种等离子ＣＶＤ法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过１×１０－３原子％且多于０原子％的氢原子。

本发明提供一种防位置偏移装置、具有它的基板保持器、基板输送装置及基板输送方法，该防位置偏移装置即使在真空状态下也能抑制被保持在基板保持器上的基板发生位置偏移。能装卸自如地安装在叉（１０１）上的防位置偏移装置（２０１）包括主体（２０３）、...

本发明提供一种能够对使用微粒产生因素判断系统的用户产生激励作用的微粒产生因素判断系统以及收费方法。微粒产生因素判断系统具备用户输入微粒图的用户接口装置和服务器装置，在该微粒产生因素判断系统中，服务器装置根据微粒图来算出关于多个微粒产生因...

本发明提供一种能够更大程度地减少在启动加注处理中使用的清洗液、缩短干燥处理时间以及延长清洗处理用工具和／或干燥处理用工具的使用寿命的启动加注处理方法以及启动加注处理装置。该启动加注处理装置在启动加注辊（１４）的周围沿旋转方向配置有具有清...

本发明要解决的问题是提供可使离子化的气体团簇适当地发生偏转的电荷粒子分选装置以及电荷粒子照射装置。本发明通过提供下述用于分选离子化的气体团簇的电荷粒子分选装置来解决上述问题。该电荷粒子分选装置包括：电场施加部，所述电场施加部沿所述气体团...

本发明要解决的问题是提供按价数分选气体团簇的电荷粒子分选装置以及电荷粒子照射装置。本发明通过提供下述用于分选离子化的气体团簇的电荷粒子分选装置来解决上述问题。该电荷粒子分选装置包括：三个以上电场施加部，所述三个以上电场施加部沿所述气体团...

本发明提供一种等离子体处理装置和高频电流的短路电路。等离子体处理装置（１０）包括：收容玻璃基板（Ｇ）的腔室（１１）；配置在该腔室（１１）内、作为载置玻璃基板（Ｇ）的载置台的下部电极（２３）；与该下部电极（２３）相对配置且向腔室（１１）内...

本发明提供一种金属附着物的除去方法，其特征在于：该方法用于除去附着于处理容器的内部的金属附着物，该处理容器在内部具有对形成有金属层的被处理基板进行处理的处理空间，控制所述处理容器内部的温度和所述处理空间的压力以使所述金属附着物升华。

本发明提供能够消除浪费的等离子体处理装置用的消耗部件的再利用方法。通过ＣＶＤ层叠碳化硅生成碳化硅块（４１），加工碳化硅块（４１）制造聚焦环（２５），在将所制造的聚焦环（２５）安装到等离子体处理装置（１０）之后，等离子体蚀刻处理反复规定的...

本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块...

本发明提供一种涂覆、显影装置和基板的背面清洁方法。该涂覆、显影装置在半导体晶片上形成抗蚀剂膜，对曝光后的晶片进行显影，例如通过利用疏水化流体对抗蚀剂膜形成前的晶片进行疏水化处理，晶片的背面的周边部形成疏水化状态。使用清洁液和刷对该晶片的...

本发明提供一种用于形成含有非晶碳膜的构造的分批处理方法，包括下述工序，即、一边对反应室内进行排气一边进行预备，该预备处理是指将上述反应室内的温度加热到８００℃～９５０℃的预备处理温度，并且向上述反应室内供给从由氮气和氨气组成的气体组中选...

本发明提供一种启动加注处理方法和启动加注处理装置，保障启动加注处理的可靠性并进一步削减清洗液的使用量。使狭缝喷嘴（７２）的喷出口相对于启动加注辊（１４）的顶部平行相对，在使启动加注辊（１４）静止的状态下，狭缝喷嘴（７２）喷出恒定量的抗蚀...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法和存储介质。该基板处理装置具有将基板从载体搬送到处理块的搬送机构，能够抑制上述搬送机构的搬送工序数的上升并且提高处理能力。在能够向用于将基板搬入到处理块中的第一交接模块搬送基板时，不经由缓冲模块地...

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质。该基板处理装置具有利用处理块将已处理过的基板向载体搬送的搬送单元，能够抑制上述搬送单元的搬送工序数的上升，提高生产率。在用于从处理块搬出基板的第二交接模块存在有基板、容纳该基板的载体没有载...

本发明提供吸附检测解除方法、处理装置及计算机能读取的存储介质。该吸附检测解除方法在减小基板破损的可能性的同时、检测基板是否吸附在载置台上并解除该吸附。该吸附检测解除方法包括以下工序：以规定的吸附判定压力自载置台的载置面向被处理体的背面供...