等离子ＣＶＤ法用气体制造技术

本发明专利技术涉及一种等离子ＣＶＤ法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过１×１０－３原子％且多于０原子％的氢原子。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具备由氟化碳膜(碳氟化合物膜)构成的绝缘膜、例如层间绝缘膜的 半导体装置及半导体装置的制造方法。另外，本专利技术还涉及在半导体装置的制造方法中有用的等离子体CVD用气体。
技术介绍
作为谋求半导体装置高集成化的手法之一，有将布线多层化的技术。为了采取多 层布线结构，在用导电层连接第η个布线层和第(η+1)个布线层的同时，在导电层以外的区 域形成被称为层间绝缘膜的薄膜。作为该层间绝缘膜的代表性膜，有SiO2膜，但近年来对 于器件的运作谋求进一步的高速化，因此要求层间绝缘膜的比介电常数更低。在这样的要求期望下，作为碳(C)和氟(F)的化合物的氟化碳膜受到关注。3102膜 的比介电常数为4左右，与之相对，氟化碳膜的比介电常数，如果选定原料气体的种类，则 变为2以下。因此氟化碳膜作为层间绝缘膜是极为有效的膜。作为氟化碳膜的原料气体， 知道有种种的气体(参照特开平10-144675号段落0017)。例如C5F8 (八氟环戊烯)气体， 在能够形成包含网状结构体的膜这一点上是优异的原料气体。此外，作为与氟化碳膜的原料气体有关的现有技术，有特开平9-237783号公报所 记载的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子ＣＶＤ法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过１×１０↑［－３］原子％且多于０原子％的氢原子。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小林保男，川村刚平，大见忠弘，寺本章伸，杉本达也，山田俊郎，田中公章，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，大见忠弘，日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]