本发明专利技术提供吸附检测解除方法、处理装置及计算机能读取的存储介质。该吸附检测解除方法在减小基板破损的可能性的同时、检测基板是否吸附在载置台上并解除该吸附。该吸附检测解除方法包括以下工序：以规定的吸附判定压力自载置台的载置面向被处理体的背面供给流体（步骤２）；检测自以吸附判定压力开始供给流体起经过了规定的吸附判定时间时流体的流量；判定在该工序中检测出的流体的流量是否为规定的吸附判定流量以下（工序３）；根据该工序中的判定结果，在流体的流量为吸附判定流量以下的情况下，使向被处理体的背面供给流体的压力为比吸附判定压力高的吸附解除压力（步骤７）。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于检测玻璃基板等基板是否吸附在载置台上并解除该吸附的吸附 检测解除方法、能够执行该吸附检测解除方法的处理装置、以及存储有使处理装置执行上 述吸附检测解除方法的程序的、计算机能读取的存储介质。
技术介绍
在制造液晶显示器时，为了在玻璃基板上形成电元件，可采用干蚀刻装置等等离 子处理装置。等离子处理装置包括用于载置基板的载置台，该载置台的表面为了防止等离 子体的异常放电而被阳极氧化膜等绝缘物包覆。在由绝缘物包覆的载置台上对作为绝缘物的玻璃基板进行等离子处理的情况下， 基板、载置台表面带电，两者有可能互相吸附。在两者互相吸附时，若为了搬出基板而驱动 升降销，则在吸附力较强的情况下，会无法抬起基板而使基板被破坏。因此，在专利文献1中记载有这样的基板处理方法，即，在用升降销推起基板时， 对与基板对载置台的静电吸附力相关的数据进行检测，在静电吸附力为规定值以上的情况 下，限制升降销的推起动作。在专利文献2中还记载有这样的基板卸下控制方法，S卩，在静电吸附力较强的情 况下，向基板与载置台之间供给导热气体，利用升降销的推起力和导热气体的压力抬起基 板。在专利文献3中还记载有这样的试样脱离方法，即，在成膜或者蚀刻处理之后使 试样脱离试样保持部的情况下，将氩、氦等气体均等地付与试样下表面的大部分部位而作 为抬起力施力，之后，照射等离子体而放出积蓄在试样中的电荷。在残留吸附力小于气体压 力的时刻，试样脱离试样保持部。专利文献1 日本特开平11-260897号公报专利文献2 日本特开2000-200825号公报专利文献3 日本特开平7-130825号公报玻璃基板的薄膜化、大型化正在得到发展。因此，像专利文献1、2那样，在根据对 升降销施加的压力判定静电吸附力的强度的方式中，无论基板与载置台之间是否作用有静 电吸附力，都会驱动升降销，因此，玻璃基板破损的可能性升高。专利文献3仅记载试样的脱离方法，未判定试样和试样保持部是否吸附。另外，专利文献3所述的脱离方法将气体压力提升直到试样脱离试样保持部。因 此，在试样为像玻璃基板那样容易破损的材质的情况下，若试样牢固地吸附于试样保持部， 则试样有可能在脱离试样保持部之前破损。
技术实现思路
本专利技术即是鉴于上述情况而做成的，其目的在于提供在减小基板破损的可能性的 同时、检测基板是否吸附在载置台上并解除该吸附的吸附检测解除方法、能够执行该吸附检测解除方法的处理装置、以及存储有能够使处理装置执行上述吸附检测解除方法的程序 的、计算机能够读取的存储介质。为了解决上述课题，本专利技术的第1形态的吸附检测解除方法在使被处理体脱离用 于载置上述被处理体的载置台之前检测上述被处理体是否吸附在上述载置台上，在吸附的 情况下解除吸附，其中，包括以下工序(1)以规定的吸附判定压力自上述载置台的载置面 向上述被处理体的背面供给流体；(2)检测从以上述吸附判定压力开始供给流体起经过了 规定的吸附判定时间时上述流体的流量；(3)判定在上述(2)工序中检测出的上述流体的 流量是否为规定的吸附判定流量以下；(4)根据上述(3)工序中的判定结果，在上述流体的 流量为上述吸附判定流量以下的情况下，使向上述被处理体的背面供给流体的压力为比上 述吸附判定压力高的吸附解除压力。另外，本专利技术的第2形态的处理装置包括载置台，其用于载置被处理体；升降销， 其能够从上述载置台的载置面上突出或没入，用于使上述基板在上述载置台的载置面上方 升降；多个气体孔，其设置在上述载置台的载置面上；气体供给管，其连接于上述多个气体 孔；气体供给机构，其用于向上述气体供给管中供给气体；压力调整机构，其设置于上述气 体供给管，用于调整向上述气体供给管供给的气体流量，使得上述气体供给管内的压力成 为设定好的压力；控制机构，控制上述压力调整机构及上述升降销中的至少一个，从而执行 上述第1形态的吸附检测解除方法。另外，本专利技术的第3形态的计算机能够读取的存储介质在计算机中工作，存储有 控制处理装置的控制程序，其中，上述控制程序在被执行时控制上述处理装置，从而进行上 述第1形态的吸附检测解除方法。采用本专利技术，能够提供在减小基板破损的可能性的同时、检测基板是否吸附在载 置台上并解除该吸附的吸附检测解除方法、能够执行该吸附检测解除方法的处理装置、以 及存储有能够使处理装置执行上述吸附检测解除方法的程序的、计算机能够读取的存储介 质。附图说明图1是概略地表示能够实施本专利技术的第1实施方式的吸附检测解除方法的基板处 理装置的一个例子的剖视图。图2是表示将基板载置在载置台上的状态的图。图3是表示无吸附状态的图。图4是表示有吸附状态的图。图5是表示由有无吸附导致的气体流量的变化的图。图6是表示本专利技术的第1实施方式的吸附检测解除指令序列的一个例子的流程 图。图7是表示本专利技术的第2实施方式的吸附检测解除指令序列的一个例子的流程 图。图8是表示由有无吸附及是否解除吸附导致的气体流量的变化的图。图9是表示使基板G挠曲的状态的一个例子的图。具体实施例方式下面，参照附图说明本专利技术的实施方式。另外，在所有图中，对通用的部分标注通 用的参照附图标记。第1实施方式图1是概略地表示能够实施本专利技术的第1实施方式的吸附检测解除方法的处理装 置的一个例子的剖视图。在本例子中，作为处理装置，例示出对作为被处理体的基板、例如 平板显示器(FPD)用的玻璃基板(以下简记作“基板”)G实施等离子蚀刻的等离子蚀刻装 置。另外，本专利技术并不限定应用于等离子蚀刻装置。如图1所示，等离子蚀刻装置1构成为对基板G进行蚀刻的电容耦合型平行平板 等离子蚀刻装置。等离子蚀刻装置1包括作为用于收容基板G的处理容器的腔室2。腔室2例如由 表面被铝阳极化处理(阳极氧化处理)后的铝构成，与基板G的形状相对应地形成为四棱 柱形状。在腔室2的底壁隔着绝缘体3b设有用于载置基板G的载置台(stage) 3。载置台3 与基板G的形状相对应地形成为四边板状，在本例子中载置台3连接于高频电源7。另外， 在载置台3的用于载置基板G的载置面3a上形成有使惰性气体朝向基板G背面流出的多 个气孔4。多个气孔4分别连接于用于供给惰性气体的惰性气体供给管5。另外，虽未特别 图示，但载置台3的表面为了防止等离子体的异常放电而被阳极氧化膜等绝缘物包覆。在腔室2的上壁中以与载置台3相面对的方式设有用于向腔室2内供给处理气体 的簇射头6。簇射头6包括使处理气体在内部扩散的气体扩散空间6a，在与载置台3相面 对的面包括用于喷出处理气体的多个喷出孔6b。在本例子中，簇射头6被接地，与载置台3 一同构成一对平行平板电极。在簇射头6的上表面设有气体导入口 6c。气体导入口 6c连接于处理气体供给管 8。自未图示的处理气体供给源经由未图示的阀及质量流量控制器向处理气体供给管8中 供给蚀刻用的处理气体。作为处理气体，可以使用卤族气体、O2气体、Ar气体等通常在该领 域中采用的气体。在腔室2的底壁上连接有排气管9。排气管9连接于未图示的排气装置。腔室2 的内部能够通过使用未图示的排气装置进行排气而被真空抽取至规定的减压气氛。在腔室2的侧壁形成有用于搬入或搬出基板G的搬入搬出口 10。搬入搬出口 10 利用闸阀11打开或关闭。在腔室2的底壁及载置台3上形成有将它们本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种吸附检测解除方法，该吸附检测解除方法在使上述被处理体脱离载置被处理体的载置台之前检测上述被处理体是否吸附在上述载置台上，在吸附着的情况下解除吸附，其特征在于，包括以下工序：（１）以规定的吸附判定压力自上述载置台的载置面向上述被处理体的背面供给流体；（２）检测从以上述吸附判定压力开始供给流体起经过了规定的吸附判定时间时的上述流体的流量；（３）判定在上述（２）工序中检测出的上述流体的流量是否为规定的吸附判定流量以下；（４）根据上述（３）工序中的判定结果，在上述流体的流量为上述吸附判定流量以下的情况下，使向上述被处理体的背面供给流体的压力为比上述吸附判定压力高的吸附解除压力。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中诚治，古屋敦城，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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