本发明专利技术涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法，提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度，抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中，设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立，在该块内进行各种处理的模块之间输送基板，处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送，并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序，将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比，能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等的基板进 行抗蚀液的涂敷处理以及曝光后的显影处理的和存储介 质。
技术介绍
在作为半导体制造工序的一个的光刻胶工序中，在半导体晶片(以下也称为晶 片)的表面上涂敷抗蚀剂，将该抗蚀剂以规定的图案曝光后进行显影来形成抗蚀图案。这 样的处理一般使用在进行抗蚀剂的涂敷以及显影的涂敷及显影装置上连接有曝光装置的 系统来进行。作为涂敷及显影装置例如已知有在日本专利申请公开2006-253501号公报中记 述的装置，其包括载具块(carrier block)，运入包含多个半导体晶片(以下称为晶片)的 载具；界面块(interface block)，在与曝光装置之间进行晶片的交接；以及处理块，设置 在载具块和界面块之间。上述处理块是通过层叠涂敷块和显影块而构成的，其中，该涂敷块包含对晶片进 行抗蚀剂涂敷的涂敷模块(COT)，该显影块包含对抗蚀剂涂敷后的晶片供给显影液来进行 显影的显影模块(DEV)，此外涂敷块及显影块分别包含加热模块及冷却模块，在涂敷处理 以及显影处理前后进行加热以及冷却处理；以及输送臂(transfer arm)，在各模块间进行 晶片的输送。为了谋求生产能力的提高，在涂敷块以及显影块中，分别设置多个涂敷模块、显影 模块、加热模块以及冷却模块等的对晶片进行处理的模块。依次从载具送出的晶片，被输送 到没有晶片运入的空闲的处理模块上，在各处理模块并行地进行处理。之后，从处理结束的 晶片起顺序地向空闲的后级处理模块送出。图13是表示在上述涂敷及显影装置中的各模块以及各模块间的晶片输送通路的 图。从载具101运出的晶片通过设置在上述载具块上的载具臂(carrier arm) 102输送到 TRS(交接台)103上。之后，晶片以在处理块中上下移动的交接臂104、TRS 105的顺序输送。之后，晶片通过涂敷块的输送臂106在该涂敷块中以疏水化处理模块(ADH) 107A 或107B，冷却模块108A或108B, C0T109AU09B或109C，加热模块IlOA IlOD的任一个，WEE(边缘曝光模块)111，以及缓冲模块112的顺序输送。之后，晶片依次经由上述交接臂104，从载具块侧向界面块侧移动的穿梭臂 (shuttle arm) 16,以及设置在界面块的界面臂114被输送到曝光装置113，接受曝光处理。曝光处理后的晶片，经由界面臂114被输送到TRS 115A或115B。接着，晶片通过 设置在显影块的输送臂116以加热模块117A 117F的任一个，冷却模块118A或118B， DEVI 19A 119F的任一个，加热模块120A 120F的任一个，TRS 121A或121B 的顺序被输 送之后，返回到载具101。在这样的涂敷以及显影装置中，正在研究使生产能力进一步提高，例如目标是实 现每一小时(3600秒)200枚 300枚左右的生产能力。为了实现每一小时200枚的生产 能力，需要以3600秒/200枚=18秒/枚的速度进行上述的涂敷以及显影处理，为了实现 每一小时300枚的生产能力，需要以3600秒/300枚=12秒/枚的速度进行上述的涂敷以及显影处理。在将一枚晶片从前级的模块向后级模块的输送作为一回输送来计算的情况下，在 涂敷块中，输送臂106将该晶片从TRS 105输送到缓冲模块112为止共计进行6回输送。为 了实现上述生产能力，这些模块之间的每一回的输送时间在生产能力在200枚/小时的情 况下设定为18秒/6 = 3秒以下，在生产能力是300枚/小时的情况下设定为12秒/6 = 2秒以下。而且，为了以这样的速度进行晶片的输送，需要确保晶片的输送地以使一个模块 的处理结束后，能够立刻进行向下面的模块的输送。因此正在研究在涂敷块及显影块中较 多地设置各模块，增加在同种模块中并行处理的晶片数(并行处理数)。图14是像这样在 涂敷块中分别增加同种模块数的一个例子。但是，为了像这样使生产能力提高，当为了能够如上述那样以2秒以下或3秒以下 在模块间输送而提高输送臂106的输送速度时，输送臂106的负荷变大，存在在晶片输送中 晶片从输送臂106落下等的输送错误发生的风险变大的问题。再有，在上述日本专利申请 公开2006-253501号公报中没有记述解决这样问题的方法。
技术实现思路
本专利技术正是为了解决这样的问题而做成的，其目的是提供一种涂敷及显影装置、 涂敷及显影方法和存储介质，能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送 机构的输送速度，抑制基板的输送精度的下降。本专利技术的涂敷及显影装置，其特征在于，具备载具块，通过载具运入基板；处理 块，交接被运入到上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以 及界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，上述处理块 具有从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及从上述载 具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，在上述载具块上设置有将来自上述载具的上 述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置有用于将 上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送 的曝光装置运入用输送单元，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚 一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送，并且上述曝光装置运入用输送单元以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置。各抗蚀剂膜形成块以及上述显影处理块相互层叠也可。此外，例如设置两个上述 抗蚀剂膜形成块，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚地交替 地输送到各抗蚀剂膜形成块，上述曝光装置运入用输送单元将来自各上述抗蚀剂膜形成块 的上述基板，以从上述载具向各抗蚀剂膜形成块运入的顺序交替地运入上述曝光装置。例 如，设置多个上述显影处理块，上述曝光装置运入用输送单元从上述曝光装置将曝光完成 的上述基板一枚一枚地周期地输送到各显影处理块也可。此外各上述抗蚀剂膜形成块分别 具有多个在上述基板上涂敷抗蚀剂的涂敷模块；多个加热上述基板的加热模块；以及多 个冷却上述基板的冷却模块也可。本专利技术的涂敷及显影方法，使用涂敷及显影装置对基板涂敷抗蚀剂，并且对曝光 后的上述基板进行显影处理，其特征在于，上述涂敷及显影装置具备载具块，通过载具运 入基板；处理块，交接被运入上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的 涂敷膜；以及界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，上 述处理块具有从上述载具块侧朝向上述界面块侧分别形成的多个抗蚀剂膜形成块；以及 从上述载具块侧朝向上述界面块侧形成的显影处理块，在上述载具块上设置有将来自上述 载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置 有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处 理块传送的曝光装置运入用输送单元，上述涂敷及显影方法，包括通过上述处理块运入用 输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送的 工序，以及通过上述曝光装置运入本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种涂敷及显影装置，其特征在于，具备：载具块，通过载具运入基板；处理块，交接被运入上述载具块的上述基板，并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜；以及界面块，将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置，上述处理块具有：分别配置于上述载具块与上述界面块之间的多个抗蚀剂膜形成块；以及配置于上述载具块与上述界面块之间的显影处理块，在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元，在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元，上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送，并且上述曝光装置运入用输送单元以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序，将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：原圭孝，香月信吾，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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