本发明提供一种基板处理装置和排气方法，该排气方法能够防止由于从处理室容器（腔室）排出的排出气体中所含的带电的颗粒向排气流路的内壁面附着而造成的排气流路的堵塞。该排气方法是将基板处理装置的腔室（５０）的容器内气体排出的排气方法，其中，该基...

本发明提供基板支承装置及基板支承方法。该基板支承装置能够防止由于由与基板的接触引起的磨损及由基板带来的药品的化学性侵蚀而无法正常地支承基板。该基板支承装置包括：支承构件，其具有支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其设置于该支承构件上，...

本发明提供一种电感耦合等离子处理装置的罩固定器具和罩固定装置。在电感耦合等离子处理装置中抑制覆盖窗构件的下表面的罩的破损和微粒的产生，而且能够容易地装卸罩。电感耦合等离子处理装置的电介体罩包括具有下表面以及与该下表面连续的侧端的被支承部...

本发明提供一种能够抑制在筒状容器的一方的端壁和移动电极之间的空间内产生等离子体的基板处理装置。基板处理装置（１０）包括用于收纳晶圆（Ｗ）的筒状的腔室（１１）、在该腔室（１１）内沿腔室（１１）的中心轴线移动自如的簇射头（２３）、在腔室（１...

本发明提供一种基板热处理装置。其能尽量缩小热处理板的配置空间，从而能够实现装置的小型化，增加基板的收纳数量，并且能提高热介质的流路的自由度以及生产率。该基板热处理装置具有用于载置半导体晶圆（Ｗ）且将晶圆热处理到规定温度的热处理板例如冷却...

本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法，其能够大幅度地改善等离子体密度分布控制的性能和自由度，实现尽可能地提高等离子体密度分布以及工艺特性的均匀性。该电容耦合型等离子处理装置在室下部室（２５）中设置等离子体密度分布控制器（７２）作...

本发明提供一种不设置大规模的可动部就能够改变ＡＣ比的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。蚀刻装置（１０）是在处理容器内部对晶圆（Ｗ）进行等离子体处理的装置，该蚀刻装置（１０）具有：调节部件，其设置成至少一部分与处理容器内的等离子体存在...

本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置提高等离子体密度、等离子体处理特性的面内均匀性。等离子体处理装置（１０）具有：处理容器（１００），其在内部中对晶圆（Ｗ）实施等离子体处理；第一高频电源（１４０），其输出高频电力；高频天线...

提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法，有效求出不改变聚焦环的高度就能够平衡较好地改善基板周缘部中的附着物的减少和处理结果这两者的最佳施加电压，可靠且简单地调节该最佳施加电压。聚焦环具备以包围载置台（１０３）的基板载置部的方式被配置...

本发明提供一种衬底的蚀刻方法以及系统，在对在硅的表面上形成有硅氧化膜的衬底进行蚀刻的方法中，能够将接触电阻降低。将包含卤素的气体和碱性气体供应到衬底（Ｗ）上，生成使包含卤素的气体、碱性气体与硅氧化膜发生化学反应得到的凝结层（１０５），从...

本发明提供了一种能够充分进行处理容器内的脱气处理形成高真空，并且能够耐受高温的载置台结构。该载置台结构（３２）载置被处理体以便在被处理体（Ｗ）上形成含有金属的薄膜，该载置台结构具有：内部埋入有卡盘用电极（３４）和加热器（３６）的陶瓷制的...

本发明提供一种连续多次在基板上形成抗蚀剂图案的涂布显影装置，能防止基板受颗粒的污染。该涂布显影装置包括控制部和基板侧面疏水模块，该控制部控制基板搬送单元和各模块的动作以对基板实施由疏水模块至少对基板侧面部进行疏水处理的步骤和由涂布模块全...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质。该基板处理装置能够抑制显影缺陷、能够抑制成品率的低下，进一步能够使后段的装置的处理的工时减少，对曝光后的基板进行加热。基板处理装置构成为，包括：加热板，...

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：载置台，其设在真空容器内且具有沿着以该载置台的中心部为中心的圆而形成的基板的载置区域；主气体供给部，其为了将反应气体供给到上述载置台的上述载置区域，与上述载置台相对设置；补偿用气体供给部，其为了对...

通过利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理室内、以产生处理气体的等离子体的氮化处理工序，在多晶硅层（１１１）的表面上形成氮化区域（１１２）。接着，在氮化区域（１１２）上形成ＣＶＤ氧化膜（１１３）等，将多晶硅层（１１１）等图案化为规定形...

本发明提供能够高均匀性地对基板供给显影液、抑制成品率的降低的显影装置、显影方法和存储介质。显影装置包括：基板保持部，其水平地保持表面涂布有抗蚀剂并被曝光后的基板；表面处理液雾化机构，其使用于提高显影液对上述基板的浸润性的表面处理液雾化；...

本发明提供了一种基板处理方法，该基板处理方法能够在处理对象膜上形成减少杂乱形状的开口部。在具有被处理膜（３７）、形成在被处理膜（３７）上的由多个小宽度的线部（３８ａ）组成的光致抗蚀剂膜（３８）和覆盖在各线部（３８ａ）之间露出的被处理膜（...

本发明提供一种喷淋头和等离子体处理装置，其能够抑制喷淋头的温度升高，并且能够使喷淋头的温度分布均匀，实现处理均匀性的提高。本发明的喷淋头以与用于载置基板的载置台相对的方式设置于在内部处理基板的腔室内，用于从设置在与所述载置台相对的相对面...

本发明提供一种能不产生异常放电等而高效率地加热各构成构件的基板处理装置。基板处理装置（１０）包括能减压的处理室（１１）、设于该处理室（１１）内的基座（１２）、与该基座（１２）相对地设于处理室（１１）的顶部的簇射头（２７）、配置于基座（１...

本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法，与以往相比，能够谋求等离子体的稳定化，能够进行稳定的等离子处理，并且能够谋求延长构成匹配器的可变电容器的寿命。该等离子处理装置具有功率调制部件和匹配器，该功率调制部件进行以恒定的周期将来自高...