【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
在作为半导体制造工序之一的光刻工序中，在半导体晶圆(以下称作晶圆)的表 面涂敷抗蚀剂，在以规定的图案对该抗蚀剂进行曝光之后使其显影而形成抗蚀图案。该处 理通常使用在进行抗蚀剂的涂敷、显影的涂敷、显影装置上连接曝光装置而成的系统中进 行。该涂敷、显影装置包括用于向晶圆涂敷抗蚀剂的抗蚀剂涂敷组件、用于向晶圆供 给显影液的显影组件、在由抗蚀剂涂敷组件及显影组件对晶圆进行处理的前后对晶圆进行 加热或冷却的加热、冷却系统组件等。而且，在这些各组件之间及涂敷、显影装置与曝光装 置之间，例如利用支承着晶圆进行输送的、作为基板支承装置的一个形态的输送臂等的基 板输送装置来输送晶圆。图19(a)、(b)表示构成该基板输送装置的晶圆输送部的一个例 子。图19(a)、(b)所示的晶圆输送部101包括形成为大致C字形的框架102，晶圆W 以被该框架102包围的方式被保持。在框架102的内周设有4个晶圆保持构件103。晶圆 保持构件103为了防止晶圆W的金属污染而由树脂形成，该晶圆保持构件103包括在框架 102的内侧水平地支承晶圆W的背面支承部104 ；用...
【技术保护点】
一种基板支承装置，其特征在于，该基板支承装置包括：支承构件，其具有用于支承基板背面的背面支承部；位置限制部，其设置于该支承构件上，包围被上述背面支承部支承的基板的侧面，用于限制基板的位置；上述背面支承部及上述位置限制部中的至少一个由基材和保护膜构成，该保护膜包覆该基材，用于防止该基材的磨损及化学性侵蚀中的至少一种。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：中野征二，松下道明，饭田成昭，榎木田卓，森川胜洋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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