本发明提供一种能够抑制输送机构的零件的消耗、维护间隔比以往的装置长的处理装置。处理组件对被处理体进行处理，前级组件用于载置还未被搬入到该处理组件中的被处理体。输送机构（５）在处理组件与上述前级组件之间输送被处理体，在产生了使上述输送机构...

本发明提供一种静电吸附电极及其制造方法和基板处理装置，该静电吸附电极不产生耐电压性能的问题而较薄地形成绝缘覆膜，又能够确保所需吸附力，不需要消除电荷。在具备利用静电力来吸附保持玻璃基板（Ｇ）的基板保持面的静电吸附电极（６）中，具备通过喷...

提供一种处理方法，在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够一边充分确保有助于恢复处理的处理气体的量，一边减少处理气体的使用量。该处理方法将具有甲基的处理气体来导入到容纳有被处理基板的处理容器内其中，该被处理基板具有表面部分形成损伤层的低...

本发明提供等离子处理用圆环状零件及等离子处理装置。其通过控制电场分布特性而能实现提高等离子处理的均匀性、成品率。该等离子处理装置包括：处理容器，包括内部能保持为真空的处理室；载置台，用于在该处理室内载置被处理基板并且兼作为下部电极；圆环...

本发明提供成膜方法以及等离子体成膜装置。利用该成膜方法，即使形成在被处理体的表面的凹部的内径、宽度小，也能够提高薄膜成膜时的阶梯覆盖。在向可被抽真空的处理容器（２２）内收容具有凹部（６）的绝缘层（４）被形成在表面的被处理体（Ｗ），并且向...

本发明提供一种等离子体处理装置，其易于形成等离子体电位低且更加稳定的高密度的等离子体，并且能够更加简单且准确地控制等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置包括：在处理室（１０２）内载置晶片的载置台（１１０）；以与载置台相对的方式隔着板状...

本发明提供基板保持部件、基板搬送臂和基板搬送装置，其具备减低磨损量、防止污染、提高对准精度、防止凸出的功能。作为安装于基板搬送装置的基板搬送臂的、载置基板的周边而保持该基板的基板保持部件（４），其具有与基板的背面抵接而保持该基板的背面保...

本发明提供一种基板处理装置和暴露于等离子体的部件，该基板处理装置包括：收容被处理基板的处理容器；以及在该处理容器内生成等离子体的等离子体生成机构，所述基板处理装置用于对所述处理容器内的被处理基板实施规定的等离子体处理，其中，在所述处理容...

本发明提供一种半导体装置的制造方法，在包括对金属膜进行湿式蚀刻的工序和随后对该金属膜进行干式蚀刻的工序的情况下，能够减轻因在湿式蚀刻工序中在金属膜上形成的变质层的残渣引起的对后续工序带来的恶性影响以及对设备特性带来的恶性影响，从而能够稳...

本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。

本发明提供一种等离子处理装置和等离子处理方法，该等离子处理装置包括：筒体状的处理容器，其能够被抽真空；保持部件，其用于保持多个被处理体并插入到上述处理容器内或从上述处理容器内取出；气体供给部件，其用于向上述处理容器内供给气体；活化部件，...

本发明的等离子体处理装置具有：处理室；设在所述处理室内，载置被处理体的载置台；设在所述处理室中，具有按照向着所述处理室内的中央的空间部喷出处理气体的方式开口的多个气体喷出孔的气体导入部；和设置在所述处理室的外侧、用于在所述处理室内生成等...

本发明提供一种处理装置和加热器单元，该处理装置的特征在于，一边加热被处理体一边进行处理，该处理装置包括：处理容器；配置在该处理容器内，载置所述被处理体的载置台；和埋设在该载置台内，用于通过加热所述载置台而加热被载置的所述被处理体的加热器...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理方法，对激励电力施加部的输出变动和偏置电力施加部的输出变动的时刻进行调整，抑制偏置用高频电力的振幅的增大，事先防止异常放电等问题发生。在使用基板处理装置的基板处理方法中，以在规定的时刻...

本发明提供一种基板交换方法以及基板处理装置，通过在进行基板处理室的清洁处理的期间也使运送装置进行工作，能够发挥运送装置本来所具有的总处理能力，能够提高基板处理装置整体的总处理能力。在包括基板处理室、进片室、以及能够通过两个运送部件将基板...

本发明提供等离子体处理装置和聚焦环。本发明的目的是在对半导体晶片等被处理基板进行等离子体处理时，进一步减少周边部下面的沉积物的产生。当使被处理基板（Ｗ）载置在配置于处理腔室（１０）内的载置台（１１）上，通过施加高频电压，使处理腔室（１０...

本发明提供了一种能够对加热对象进行选择加热的等离子体处理装置。该等离子体处理装置在处理室（１００）中对基板进行等离子体处理，其包括：聚焦环（１３０），其设置在载置台（１１０ａ）的外周附近，该载置台（１１０ａ）设置在处理室内；和加热用电极...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法。通过使载置有晶圆的旋转台绕铅垂轴线旋转，向晶圆的表面供给第一反应气体而使该反应气体吸附在晶圆的表面上，接下来，按照与该第一反应气体发生反应而生成具有流动性的中间产物的辅助气体以及与该中间产物发生反应而生...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够独立于电极温度地任意、简便且高效地对以覆盖被处理基板的周围的方式安装于下部电极的聚焦环进行加热。在该等离子体蚀刻装置中，在未向腔室（１０）的处理空间供给处理气体时，不产生高频放电，等离...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置中，将成膜安装和用于进行退火处理的热处理装置与真空输送室气密地连接，并且，在真空输送室内设有作为自转机构的旋转工作台。对晶圆供给ＢＴＢＡＳ气体，并使该气体吸附于晶圆，接着，将会与Ｂ...