等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种能够对加热对象进行选择加热的等离子体处理装置。该等离子体处理装置在处理室（１００）中对基板进行等离子体处理，其包括：聚焦环（１３０），其设置在载置台（１１０ａ）的外周附近，该载置台（１１０ａ）设置在处理室内；和加热用电极（１３５），其在载置台（１１０ａ）的外周附近，靠近聚焦环（１３０）设置，对聚焦环（１３０）进行加热。在加热用电极（１３５）的内部，去路和回路的线圈（１３５ａ１、１３５ａ２）沿着载置台（１１０ａ）的外周相互靠近地布线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对被处理体实施等离子体处理的等离子体处理装置，特别涉及电磁感应加热(以下称为感应加热)的控制。
技术介绍
对被处理体实施等离子体处理时，被处理体的周边的温度管理是重要的。例如，等 离子体处理时，由于被处理体的周边的温度变化，蚀刻速率发生变化，形成于被处理体的槽 的宽度和深度发生变化。因此，为了对被处理体进行期望的微细加工，必须精度良好地控制 载置被处理体的载置台及其周边的温度。因此，在载置台内置有加热器、冷却回路等的温度调节机构，由此能够将载置于载 置台的被处理体控制在期望的温度。另外，以包围设置在载置台的被处理体的周缘部的方 式，设置有例如由硅形成的聚焦环，通过加热聚焦环，控制晶片的最外周的特性，提高对被 处理体的处理的面内均勻性(例如，参照专利文献1)。在专利文献1中，在载置台的周缘部设置聚焦环加热用的电极，在聚焦环内，与加 热用电极相对置，设置有环状的金属感应发热体。向加热用电极施加偏压，在加热用电极内 的环状线圈中流通电流，由此在线圈的周围产生感应磁场。从线圈产生的感应磁场和与线 圈相对置配置的环状的感应发热体交叉，在感应发热体中产生涡电流，对感应发热体进行 感应加热。由此，聚焦环被调整为规定的温度。专利文献1 日本特开2008-159931号公报
技术实现思路
图8 (a)表示载置台900的载置面侧，其中，在聚焦环905的正下方，在载置作为被 处理体的晶片W的载置台900的周缘部设有加热用电极910，在加热用电极910的下部周缘 设有石英等的电介质915。由此，对加热用电极910内的线圈910a通电时，如图8(b)所示，在线圈910a中产 生感应磁场，加热用电极910正上方的聚焦环905被加热。但是，感应磁场在加热用电极910横向的载置台900的外周部，也发生图8(b)所 示的感应电流(涡电流)。该涡电流产生与形成载置台900的金属固有的电阻值对应的焦 耳热，对载置台900的外周部进行加热。其结果，存在以下课题晶片W的外周部被加热到 必要以上，晶片W的最外周的特性降低。鉴于上述课题，本专利技术的目的在于提供能够选择加热对象进行感应加热的等离子 体处理装置。为了解决上述课题，根据本专利技术的一个实施方式，提供一种等离子体处理装置，在 处理室中对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，包括加热对象部件，其设置在载置 台的外周附近，该载置台设置在上述处理室内；和加热用电极，其在上述载置台的外周附近 与上述加热对象部件靠近或相邻地设置，用于对上述加热对象部件进行加热，在上述加热用电极内，具有第一路径和第二路径的线圈沿着上述载置台的外周相互靠近地布线。由此，在加热用电极内，第一路径的线圈和第二路径的线圈靠近地布线。以在相反 方向流动电流的方式向上述第一路径的线圈和第二路径的线圈施加电压。由此，在第一路 径的线圈周围产生的感应磁场和第二路径的线圈周围产生的感应磁场成为反向的磁场。因 此，对载置台产生影响的方向的感应磁场相互抵消，在载置台上就不会产生涡电流。其结 果，能够防止载置台的感应加热。另一方面，加热对象部件和加热用电极相邻或者非常靠近，因此感应磁场到达加 热对象部件，使加热对象部件产生感应电流。由此，能够有选择地对加热对象部件进行加 热。其结果，能够使被处理体的等离子体处理的精度提高。上述第一路径的线圈和第二路径的线圈可以是在折回部分连接的一根线圈。在上述加热用电极内可以设置有将上述第一路径的线圈、第二路径的线圈和上述 载置台隔开的高导磁性部件。上述高导磁性部件可以以在上述第一路 径的线圈和第二路径的线圈的附近覆盖 上述载置台侧、并在上述加热对象部件侧开口的方式而形成。上述第一路径的线圈和第二路径的线圈可以被保护部件覆盖。在上述加热对象部件和上述加热用电极间可以设置有电阻值比上述加热对象部 件的电阻值大的加热介质。上述加热介质可以突出到上述第一路径的线圈和第二路径的线圈之间。可以在上述加热对象部件的上述加热用电极侧的面掺杂有加热介质。可以在上述加热用电极和上述载置台之间设置有温度调节部件。在上述加热用电极内，可以将上述第一路径的线圈和第二路径的线圈作为1组， 往返1组或2组以上的线圈。上述第一路径的线圈和第二路径的线圈可以与设置于上述等离子体处理装置的 等离子体处理用高频电源、偏压用高频电源或单独的电源中的至少一个电源连接，从上述 连接的电源被施加电压。上述第一路径的线圈和第二路径的线圈可以以被上述保护部件覆盖的状态贯通 上述处理室，在上述处理室的外部与上述电源连接。为了解决上述课题，根据本专利技术的另一个实施方式，提供一种等离子体处理装置， 在处理室中对被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置包括加热对象部件，其设 置在上部电极的外周附近，该上部电极设置在上述处理室内；和加热用电极，其在上述上部 电极的外周附近，与上述加热对象部件靠近或相邻地设置，用于对上述加热对象部件进行 加热，在上述加热用电极内，具有第一路径和第二路径的线圈沿着上述上部电极的外周相 互靠近地布线。为了解决上述课题，根据本专利技术的另一个实施方式，提供一种加热用电极，其在等 离子体处理装置内的载置台的外周附近与加热对象部件靠近地设置，具有第一路径和第二 路径的线圈沿着上述载置台的外周相互靠近或相邻地布线，用于对上述加热对象部件进行 加热。专利技术的效果根据以上说明的本专利技术，能够对加热对象有选择地进行感应加热。附图说明图1是本专利技术第一实施方式涉及的等离子体处理装置的整体结构的纵截面图。图2是用于说明第一实施方式涉及的加热用电极的内部结构和感应加热的图。图3是表示第一实施方式涉及的加热用电极的其他例子的图。图4是表示第一实施方式涉及的加热用电极的配置的变形例的图。图5是表示向加热电极供给电力的方法的一个例子的图。 图6是表示向加热电极供给电力的方法的一个例子的图。图7是本专利技术第二实施方式涉及的等离子体处理装置的整体结构的纵截面图。图8是用于说明现有例涉及的加热用电极的感应加热的图。符号说明10 RIE等离子体蚀刻装置100 处理室105 上部电极110 下部电极IlOa 载置台130 聚焦环135、136加热用电极135al、135a2、136al、136a2 线圈135b 高导磁性部件135c 保护部件140 绝缘部件15O、210 高频电源200 交流电源300、310 开关400、410相位调整器具体实施例方式以下参照附图，详细说明本专利技术的优选实施方式。另外，在说明书和附图中，对实 质上具有相同的功能的构成要素标注相同的符号，省略重复说明。<第一实施方式>(等离子体处理装置的整体结构)首先，参照图1，对本专利技术的第一实施方式涉及的等离子体处理装置的整体结构进 行说明。图1是RIE等离子体蚀刻装置(平行平板等离子体处理装置)，即在处理室中对被 处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置的一个例子。RIE等离子体蚀刻装置10具有对从闸阀V搬入的晶片W进行等离子体处理的处理 室100。处理室100由小直径的上部圆筒状腔室IOOa和大直径的下部圆筒状腔室IOOb形 成。处理室100例如由铝等金属形成，并被接地。在处理室的内部相对置配设有上部电极105和下部电极110，由此构成一对平行平板电极。在上部电极105的表面喷镀有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，在处理室中对被处理体进行等离子体处理，其特征在于，包括：加热对象部件，其设置在载置台的外周附近，该载置台设置在所述处理室内；和加热用电极，其在所述载置台的外周附近与所述加热对象部件靠近或相邻地设置，用于对所述加热对象部件进行加热，在所述加热用电极内，具有第一路径和第二路径的线圈沿着所述载置台的外周相互靠近地布线。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：山涌纯，舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]