本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给第１和第２反应气体来形成薄膜的成膜装置具有旋转台、用于对真空容器进行耐腐蚀保护的保护顶板、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第１反应气体供给部和第２反应气体供给部以及在第１反...

本发明提供一种处理装置、纵型热处理装置，该纵型热处理装置具有移载机构，该移载机构具有移载板，并且在该移载板的上表面载置被处理基板时，在水平保持该被处理基板的状态下使上述移载板移动。上述移载板具有沿前后方向从基端部向前端部水平延伸的悬臂支...

本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及旋转台。通过进行多次将相互反应的至少两种反应气体依次供给到基板表面上的循环，层叠反应生成物而形成薄膜。该成膜装置包括：设于真空容器内的旋转台；为了将基板载置在旋转台的同一圆周上而设于旋转台上的多个基...

本发明提供一种成膜装置、基板处理装置、成膜方法。该成膜装置是在真空容器（１）内供给第１和第２反应气体来形成薄膜的成膜装置，包括：旋转台；从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第１反应气体供给部和第２反应气体供给部；设于第１反应气体供给部和第２...

本发明提供一种基板搬送装置，搬送涂敷有处理液、被实施热处理的被处理基板，抑制在热处理后的处理膜上产生转印斑。该基板搬送装置（５）对涂敷有处理液、被实施热处理的被处理基板（Ｇ）进行搬送，其具有：搬送滚子（５０），在上述被处理基板（Ｇ）的宽...

本发明提供一种可以与电极间隔窄的被检测体相对应、制造简单、并且价格便宜的探针卡。在探针卡（２）的印刷布线基板（１２）的下表面一侧设置有探针支承板（１１）。在探针支承板（１１）上支承有多个探针（１０）。探针（１０）由上部接触子（２０）、下...

本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜装置不仅能够抑制成膜处理时产生颗粒，还能够以比现有技术中的清洁处理时高的温度进行清洁处理，因此，能够提高处理能力。用于在被处理体（Ｗ）的表面形成薄膜的成膜装置（１２）包括：处理容器（１４）；用于在...

本发明提供一种液处理中的喷嘴清洗、防止处理液干燥的方法和装置，能抑制液体处理装置大型化，提高喷嘴清洗效率并防止处理液干燥，包括：具有漏斗部的清洗室；向清洗室的漏斗部的上部侧供给溶剂的第二溶剂供给单元；喷嘴吸引单元；使喷嘴在清洗室与向基板...

本发明提供基板载置机构、基板处理装置和基板载置机构的控制方法。该基板载置机构能够可靠地支承被处理基板，且能够对被处理基板进行均匀的处理。该基板载置机构包括：在载置台（４）的内侧自由突出没入地被设置、支承被处理基板（Ｇ）的外周边缘部的第一...

本发明提供等离子体处理方法及抗蚀剂图案的改性方法，当在氧化膜蚀刻精细且高纵横比的孔时，能够同时实现良好的蚀刻选择性和形状性。其包括以下工序：将依次形成有蚀刻对象的氧化膜、硬质掩模层、图案化后的光致抗蚀剂的基板搬入处理容器（１０）内，并载...

本发明提供一种基板处理方法，形成满足半导体设备的小型化要求的尺寸的开口部，能够增加掩模层的厚度。该基板处理方法对晶片（Ｗ）进行处理，该晶片（Ｗ）依次叠层有ＳｉＮ膜（５１）、ＢＡＲＣ膜（５２）和光致抗蚀剂膜（５３），该光致抗蚀剂膜（５３）...

本发明提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含ＳｉＣ部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的ＳｉＣ部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：设置在真空容器内，具有用于载置基板而设置的基板载置区域的旋转台；用于供给第１反应气体的第１反应气体供给部件；用于供给第２反应气体的第２反应气体供给部件；用于分离第１处理区域和第２处理区域...

本发明提供一种热处理装置和热处理方法。在利用保持臂将基板移载到以架状保持多个基板的基板保持用具时，防止该保持臂与基板之间的接触等。在上述基板保持用具（晶圆舟）没有受到热影响的状态下，获取通过使上述输送基体相对于上述晶圆舟进行升降来获取到...

本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气...

本发明提供一种成膜装置及基板处理装置。该成膜装置在配置有晶圆的旋转台的旋转方向上的反应喷嘴与反应喷嘴之间设有分离气体喷嘴，在分离气体喷嘴的旋转方向两侧设有用于形成较低的顶面的顶部构件。另外，将反应气体喷嘴、分离气体喷嘴沿着真空容器的周向...

本发明提供一种成膜装置及成膜方法、基板处理装置。该成膜装置包括：旋转台；第１反应气体供给部件；第２反应气体供给部件；分离区域，其在上述周向上位于被供给上述第１反应气体的第１处理区域和被供给上述第２反应气体的第２处理区域之间；第１排气通路...

本发明提供探测装置，目的在于，在使检测头从上侧与探测卡接触、使探测卡的探测器与基板的电极垫电接触而测定该基板的电气特性时，高尺寸精度使检测头下降，使检测器与探测卡可靠地电接触，此外达到探测装置的小型化。该探测装置中，在保持检测头的保持部...

本发明涉及基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法用于处理基板（Ｗ），基板（Ｗ）依次层叠有ＳｉＮ层（５１）、反射防止膜（５２）和光致抗蚀剂膜（５３...

本发明提供一种探针研磨方法、探针研磨用程序及探针装置，其能够在探针研磨时检测出研磨晶片（研磨体）上表面的异物，可靠地从研磨体除去异物，并在研磨后无阻碍地进行被检查体的电特性检查。本发明的探针研磨方法包括：将研磨晶片（Ｗ’）从缓冲台（２０...