被处理体的蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含ＳｉＣ部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的ＳｉＣ部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻气体包含ＣＨ↓［３］Ｆ。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蚀刻方法，其将具有SiC部分或SiN部分的被处 理体，例如将具有作为屏蔽层的SiC膜或者SiN膜和在其上形成的层 间绝缘膜的半导体晶片收容到处理容器中，利用蚀刻气体的等离子体 来蚀刻被处理体的SiC部分或者SiN部分。
技术介绍
在半导体元件的布线工序中，在布线层间形成层间绝缘膜，为了 导通布线层蚀刻层间绝缘膜。这种情况下，在层间绝缘膜层之下形成 作为屏蔽层的SiC膜或SiN膜。然后，为了形成布线图案，在层间绝 缘膜上连续蚀刻SiC膜或SiN膜的情况下，将层间绝缘膜作为掩膜来 蚀刻它们。另一方面，作为半导体元件，由于有高速化的要求，使用低介电 常数的材料作为层间绝缘膜。作为这种低介电常数材料，知道有机硅 系列物质。但是，作为蚀刻SiC膜的技术，在特开昭57-124438号公报中公开 了使用CF4和02的技术，在特开昭62-216335号公报中公开了使用CF4、 CHF3和02的技术，在特开平4-293234号公报中公开了使用CHF3和 Ar的技术，但是这些技术中，无论哪个蚀刻速率都必须在10nm/min 左右。另外，在这些技术中，在将有机Si类低介电常数膜作为掩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种被处理体的蚀刻方法，包括：　将包含ＳｉＣ部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；　向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的ＳｉＣ部分的步骤，其特征在于：　提供给处理容器中的蚀刻气 体包含ＣＨ↓［３］Ｆ。

【技术特征摘要】
JP 2001-8-31 2001-264500;JP 2001-8-31 2001-2645011.一种被处理体的蚀刻方法，包括将包含SiC部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的SiC部分的步骤，其特征在于提供给处理容器中的蚀刻气体包含CH3F。2. 根据权利要求1所述的被处理体的蚀刻方法，其特征在于， 蚀刻气体还包括02。3. 根据权利要求2所述的被处理体的蚀刻方法，其特征在于，蚀刻气体还包括N2。4. 根据权利要求3所述的被处理体的蚀刻方法，其特征在于， 蚀刻气体中(CH3F + 02)的流量/N2的流量的比例是2 12。5. 根据权利要求1~4中任一个所述的被处理体的蚀刻方法，其特 征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：布濑晓志，藤本究，山口智代，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]