本发明提供一种被处理体的热处理装置和热处理方法，热处理装置包括：除收容多个被处理体以外还收容具有弹性波元件的测温用被处理体的可排气的处理容器、在保持有多个被处理体和测温用被处理体的状态下向处理容器内装载和卸载的保持单元、向处理容器内导入...

本发明提供一种聚焦环以及等离子体处理装置，在耐等离子体性和相对于高频电场的屏蔽性双方均优异。该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极的周缘部上的、层叠介电常数不同的多个介电体的多层结构聚焦环，介电常数低的低介电常数介电体（...

本发明提供一种探针装置，能够防止或抑制当被检查体过驱动时探针卡向上方退避，在被检查体与探针卡的多个探针之间确保原本必要的接触负载进行可靠性高的检查。本发明的探针装置（１０）的特征为，载置台（１１）具备载置台主体（１１Ａ）和卡盘顶部（１１...

本发明提供一种真空处理装置，其在打开盖住容器主体的上部开口部的盖体，将被处理体搬入搬出处理容器时，可以降低混入处理容器内部的水分和颗粒的量。其包括内部具有成为被处理体的基板（Ｓ）的载置台（３）的容器主体（２１）和盖住该容器主体（２１）的...

本发明提供一种腔室和处理装置，即使超过输送尺寸的界限也能够进行输送。该腔室包括：开放至少一个侧面（２ｂ）、（２ｃ）的长方体状的本体（２）；和自由装卸地安装在本体（２）的被开放的侧面（２ｂ）、（２ｃ）上的侧板（３ａ）、（３ｂ）。

本发明提供一种基板处理装置，能够防止支承被处理基板的销转印到基板上。所述基板处理装置包括：腔室（１０６），收纳被处理基板（Ｇ）；减压单元（１４２），对腔室（１０６）内进行减压；多个升降销（１２８），被排列在腔室（１０６）内并从下方支承被...

本发明涉及等离子体处理装置及处理方法，在等离子体处理中，向能减压的腔室内流入处理气体并形成高频电场以生成等离子体，对配置于腔室内的基板施以等离子体处理，按如下方式形成磁场：在腔室内的等离子体生成空间中，磁力线通过比基板外周端还处于半径方...

本发明提供一种具有相对介电常数大约为１的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，能够实现以良好的形状形成布线，并且／或者实现在形成气隙后也能够抑制布线变质。具备相对介电常数大约为１的层间绝缘层的半导体器件的制造方法，包括以下至少任意一个工序：...

本发明提供一种存储有进行基板处理装置的运行方法的程序用的计算机可读取的存储介质。运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前，向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述...

本发明提供涂敷、显影装置及涂敷、显影方法以及存储介质。在解除检查模块的故障后，迅速将制品用基板输送至该检查模块并进行检查。当所述制品用基板通过比输送路径上的所述检查模块超前ｎ个的基准模块时，对所述检查模块，输出用于对该制品用基板所属的批...

本发明提供一种除去附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上的金属污染物质的方法。该方法包括：得到未安装于上述立式热处理装置的状态的上述石英部件的工序；接着利用稀氢氟酸对上述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净...

本发明提供能够对检查之后的基板自动且高精度地检测电极垫的基地层的露出的有无等的露出状况的针迹检查装置、具有该装置的探测装置、和针迹检查方法，该针迹检查装置包括：取得从Ｒ成分数据（Ｄ２）、Ｇ成分数据（Ｄ３）和Ｂ成分数据（Ｄ４）中，根据电极...

本发明提供针迹检查装置、具有该装置的探测装置、以及针迹检查方法，其能够对检查之后的基板自动且高精度地检测电极垫的基底层的露出的有无等的露出状况。针迹检查装置包括：从摄像数据（Ｄ１）中抽出针迹区域（１３）的针迹区域抽出部（５０），其中，该...

一种处理气体供给装置。该处理气体供给装置下游的管道内的气压保持在大气压以下，对应于ＦＰＤ基板处理供给最适宜的处理气体。供给装置（４００）向上部电极（３００）供给处理气体，上部电极内的缓冲室（３３０）将中央室和周边室分开；处理气体供给装置...

本发明提供基板清洗装置，用于抑制在清洗处理时产生向外方飞散的清洗液喷雾，防止其再次附着在基板上。基板清洗装置包括水平保持半导体晶片（Ｗ）且围绕铅垂轴旋转的旋转卡盘（２０）、可围绕铅垂轴旋转的清洗部件（３０）、使清洗部件旋转的伺服电动机（...

本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部（５４）中具备矢量式的网络分析器（６８）。由该网络分析器（６８）测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频...

本发明涉及一种能够使被搬送体的大型化与搬送精度和搬送速度维持提高并存的搬送装置，包括：具有滑动部且在上下至少被配设成两层的下部滑动基座（５１ａ）和上部滑动基座（５１ｂ）；在下部滑动基座（５１ａ）的滑动部（５４ａ）上滑动，相对于下部滑动基...

本发明涉及半导体处理用成膜装置，该装置具有：处理容器，支持被处理基板的支持部件，加热被处理基板的加热器，排放气体的排气系统，供给成膜用第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体以及与第一、第二处理气体均不同的第三处理气体的第一、第二...

本发明提供一种等离子蚀刻处理方法以及等离子蚀刻处理装置。该等离子蚀刻处理方法能够在等离子蚀刻处理时容易且适当地进行形状控制。其中，该等离子蚀刻处理方法包括：将半导体基板（Ｗ）保持在设于处理容器（１２）内的保持台（１４）上的工序；用于产生...

本发明的处理系统在处理时间独立的多个处理模块之间避免晶片搬入搬出的定时冲突的危险，提高系统整体的搬送效率或处理能力。在该处理系统中，在群集式工具内同时作业的多个例如处理模块（ＰＭ↓［１］、ＰＭ↓［２］、ＰＭ↓［３］、ＰＭ↓［４］）中，将...