本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能降低产品成本，并能使保养维修更加省时省力。该基板处理装置包括：处理室（１１），其使用多种气体对被处理基板实施处理；气体导入部（１２），其被设置在处理室（１１）中，将多种气体导入处理室（１１）内...

本发明提供一种温度测量装置和温度测量方法，与现有技术相比能够精度良好地测量温度，能够更加精度良好地且效率良好地进行基板处理等。该温度测量装置具有：将来自光源（１１０）的光分解为测量光和参照光的第一分离器（１２０）；用于反射参照光的参照光...

本发明提供一种确保基板等离子体处理的面内均匀性的基板处理装置用盖部件、处理气体扩散供给装置和基板处理装置。等离子体处理装置（１０）具备收容晶片（Ｗ）的处理室（１１）；向该处理室（１１）扩散供给处理气体的喷淋头（１３）；和用于将处理气体导...

本发明提供一种不产生图案走样而使抗蚀剂图案细化的半导体装置的制造方法和抗蚀剂涂敷、显影处理系统，半导体装置的制造方法包括：在底层上（１）形成抗蚀剂层（３）的工序；在抗蚀剂层（３）上得到由可溶层（３ａ）和不溶层（３ｂ）的图案构成的曝光图案...

本发明是一种在衬底上有导体和绝缘膜的半导体器件的制造方法，该方法包括在该衬底上设置该导体、在该导体上形成该绝缘膜、除去该导体上的绝缘膜、以及吹有机硅烷气体和氢气来还原该导体上氧化区域的步骤，其中当该绝缘膜被除去后，该导体上会形成该氧化区域。

本发明提供一种能削减装置的设备成本和设置空间，使生产率和药液的使用效率提高的药液的涂敷固化装置。在将药液涂敷于被处理体（Ｗ）的表面并使其固化的涂敷固化装置（２）中，包括：具有利用外部搬送机构（７０）对被处理体进行搬入搬出的搬入搬出口（１...

本发明提供搬送单元的示教方法、存储介质和基板处理装置，将保持多枚晶片的载体由搬送臂载置到基板处理装置内的载置台时，正确且简易地进行相对于载置台的载体的定位。在搬送载体前，在形成开口部的载置台上，将与载体相同形状且具备在载置台上方理想位置...

本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够使气体的供给位置优化。微波等离子体处理装置（１０）具备：在内部激励等离子体的容器（１００）；向容器内供给用于激励等离子体的微波的微波源（９００）；传播从微波源（９００）供给的微波的同轴管（６００，...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置，能够抑制底切现象的发生并且与现有技术相比能够高速地对单晶硅进行蚀刻。该等离子体蚀刻方法利用处理气体的等离子体，通过形成于单晶硅层（１０１）的上部的、被图案化为规定图案的光致抗蚀剂层（１...

本发明提供一种载置台构造，即使被处理体与夹紧环部件接触，也能够提高被处理体的面内温度的均一性，提高热处理的面内均一性。在处理容器（４）内为了对被处理体（Ｗ）实施规定的热处理而载置被处理体的载置台构造中，包括：载置台（３２），其由透明材料...

本发明涉及一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：搬入被处理体的第一处理容器；设置在所述第一处理容器上方，由第一电介质部件构成的第二处理容器；设置在所述第二处理容器，用于在所述处理容器生成等离子体的天线部件；配置在所述第一处理容器内，支...

本发明提供一种探针卡的倾斜调整方法和倾斜检测方法，能够不受探针的针尖高度偏差的影响，迅速地对探针卡的倾斜进行调整。探针卡的倾斜调整方法包括：第一工序，在将探针卡（１２）安装在探针装置（１０）上后，在为了使能够移动的晶片卡盘（１１）的载置...

本发明提供一种探针的针迹转印部件和探针装置，能够在极短时 间内消除针迹而提高生产率，并且能在高温检查时减少对温度的影响。 本发明的探针转印部件(17)是在使可移动的晶片卡盘(11)上的晶 片(W)和多个探针(12A)电接触而检查晶片(W...

本发明提供一种能够精确地检测腔室内部件的寿命，并能够防止由交换没有达到寿命的部件而引起的浪费、以及由于继续使用已经过寿命的部件而引起故障的发生的腔室内部件。用于等离子体处理装置的聚焦环（２６）等的腔室内部件，使用组装有该腔室内部件的基板...

本发明提供一种等离子体处理装置和方法，其等离子体处理的均匀性控制范围广且不易产生沉积引起的ＣＤ不均匀等副作用。等离子体处理装置具有相对配置在腔室内、由外侧电极和内侧电极构成的上部电极以及晶片支撑用的下部电极，下部电极与施加４０ＭＨｚ的第...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，能够在进行施加有高偏置电压的各向异性高的等离子体蚀刻时，抑制ＡｒＦ光致抗蚀剂的表面以及侧壁的破裂，能够抑制条痕、ＬＥＲ、ＬＷＲ的发生，精度良好地形成希望形状的图案，以ＡｒＦ光致抗蚀剂层（１０２）作为掩模利...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置以及计算机存储介质，能够抑制高腐蚀性处理气体的使用，并且精度良好地形成规定形状的图案。当以图案形成为规定形状的光致抗蚀剂层（１０２）作为掩模层，利用处理气体的等离子体，对在被处理基板上形成...

本发明提供一种能够对整个电极层进行适当的温度控制的电极单元。具备对基板实施等离子体蚀刻的处理室（１７）的基板处理装置（１０），具有与载置半导体晶片（Ｗ）且向处理室（１７）内施加高频电压的基座（１２）相对设置的作为上部电极单元的喷淋头（２...

本发明提供等离子体处理容器的阳极氧化处理方法。该方法能够安全且可靠地对大型且具有开口部的等离子体处理容器进行阳极氧化处理。在通过盖部件（２４１）从外侧密封侧壁（１０１ｂ↓［２］）的窗口用开口（１６４）的状态下进行阳极氧化处理。盖部件（２...