本发明提供一种即使在检查时界面部分出现变形也能够将载置台的现在的过驱动量修正为本来需要的规定的过驱动量的探针装置。本发明的探针装置（１０）包括载置台（１１）、探测卡（１３）、头板（１５）以及控制装置（１６），该装置在测试头（１８）与探测...

向曝光的半导体晶片表面供给显影液进行显影后，在清洗基板的表面上的溶解物时得到较高的清洗效果。一边使显影完毕的晶片旋转一边从喷嘴向晶片中心部排出清洗液，该清洗液向周围扩展而形成液膜，接下来使上述喷嘴移动，使基板的中心部产生干燥区域，以１５...

本发明提供等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法、腔室内部件和基板载置台、以及具备它的等离子体处理装置。其将等离子体处理中使用的各种部件的温度从等离子体处理开始的阶段控制为最佳温度。其为对被处理基板实行等离子体处理的等离子体处理装置...

提供一种即使对于大型基板，也能够得到均匀的等离子体分布的感应耦合等离子体处理装置。在处理室４的上方隔着电介质壁２，具有高频天线１３，其包括，在处理室４内，主要在外侧部分形成感应电场的外侧天线部１３ａ、主要在内侧部分形成感应电场的内侧天线...

本发明提供一种处理体的蚀刻方法，包括：将包含ＳｉＮ部分的被处理体收容到处理容器中的步骤；和向处理容器中提供蚀刻气体，同时将蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体化的蚀刻气体来蚀刻被处理体的ＳｉＮ部分的步骤，其特征在于：提供给处理容器中的蚀刻...

本发明涉及的基板处理装置及其基板搬送方法，能够防止因插入晶片的处理而破坏处理室内的状况。在反复进行按照通常时搬出模式的顺序搬出个晶片的控制的期间，如果插入开始按钮被按压，则基于晶片的搬出履历判断当时的搬出模式的循环是否已经结束，在判断为...

本发明提供一种顶板，其用于在处理容器内使高频通过而生成等离子体，该顶板的特征在于：所述顶板由电介质构成，且具有波反射部件，在所述顶板的内部传播时，该波反射部件在该顶板内部反射高频，所述波反射部件具有从所述顶板的表背的至少一个表面凹陷的凹...

本发明涉及一种具备由经过了４２０℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为３原子％以下。

本发明提供一种等离子体处理容器和具有该等离子体处理容器的等离子体处理装置。能够极力减轻等离子体处理容器的阳极氧化处理所需的操作时间和成本。在等离子体处理容器中，衬垫（１０２）插入侧壁（１ｂ）和顶板（１ｃ）的接合部位，其前端到达内侧Ｏ型环...

本发明提供校准方法、针尖位置检测装置和探针装置，能简化多个探针高度检测工序并以短时间且高精度检测，而且能提高检查信赖性。该校准方法包括：对半导体晶片（Ｗ）和多个探针（１２Ａ）校准时，使用针尖位置检测装置（１６）检测多个探针（１２Ａ）的针...

本发明公开一种多层／多输入／多输出（ＭＬＭＩＭＯ）模型和使用方法。本发明提供的方法使用多层处理程序和多层／多输入／多输出（ＭＬＭＩＭＯ）模型和库处理衬底，该方法可以包括一个或者多个掩膜层形成工序、一个或者多个预处理测量工序、一个或者多个...

本发明提供一种能够在由整流部件包围基板的周围的状态下进行等离子体处理的基板处理装置，在基板的搬入搬出时难以产生因颗粒等对基板造成的污染。在腔室（２）的载置台（３）上载置基板（Ｇ），在将该基板（Ｇ）由整流部件（９）围绕的状态下，在腔室（２...

本发明提供一种能以低成本制造、且能抑制用于搬送基板的气体的消耗量的气体浮起型的基板搬送装置。该基板搬送装置包括：形成基板的搬送路径的搬送路径部件；在该搬送路径部件的上面、沿搬送路径形成的排气槽；气流形成槽，在搬送路径部件的上面左右相互成...

本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，其在能够被有选择地供给硅源气体和金属源气体的处理容器的处理区域内，进行在被处理衬底上形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜处理。成膜处理包括：阻断所述金属源气体的供给、并且使所述硅源气体发生化学反应来形成...

本发明提供一种能够使多晶硅膜相对于硅氧化膜的选择比变大、并且能够抑制在硅衬底上产生凹部的蚀刻方法以及半导体器件的制造方法。一种晶圆（Ｗ），在硅衬底（３５）上依次形成栅极氧化膜（３６）、多晶硅膜（３７）以及具有开口部（３９）的硬掩模（３８...

本发明提供等离子体处理方法。其通过简便且有效的抗蚀剂改性法能够强化抗蚀剂的耐蚀刻性，提高薄膜加工的精度、稳定性。在腔室（１０）内从上部电极（喷淋头）（６０）喷出的处理气体在两电极（１２、６０）之间通过高频放电离解、电离而生成等离子体。在...

本发明提供一种平行平板型等离子体处理装置中能够抑制阴极电极与覆盖排气口的网状部件之间产生异常放电的等离子体处理装置。等离子体处理装置（２）向在处理容器（２０）内相对设置的阳极电极（气体喷淋头（４０））和阴极电极（载置台（３））之间施加高...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在周期性地对在等离子体处理中使用的高频的功率进行调制的方式中，尽可能地减少等离子体阻抗的变动和向高频电源的反射，保证等离子体的稳定性、再现性以及高频电源的安全保护。在该等离子体处理装置中，不...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法，其能够使用电容耦合型的等离子体蚀刻装置任意且精密地控制蚀刻形状。在该电容耦合型等离子体蚀刻装置中，向基座（１２）分别施加来自第一和第二高频电源（３０、３２）的等离子体生成用的第一高频、离子引入用的第一高频...

本发明提供能在处理空间与基板的周缘部的相对部分使电子密度上升的电极构造和基板处理装置。配置在对晶片（Ｗ）实施ＲＩＥ处理的基板处理装置（１０）所具备的处理室（１１）内且在该处理室（１１）内与载置在基座（１２）上的晶片（Ｗ）相对的上部电极（...