本发明提供等离子体处理装置，其能够在广ＲＦ频率区域中且在广ＲＦ功率区域中提高等离子体处理的面内均匀性。在腔室（１０）内，载置半导体晶片（Ｗ）的基座（下部电极）（１２）和上部电极（３８）平行相向地配置。在基座（１２）上，从第一高频电源（３...

本发明提供等离子体处理装置及等离子体处理方法。即使簇射极板破裂，也能防止毒性气体被放出到装置外部。以将由腔室（１）、隔离件（１ｂ）和上板（１ａ）构成的处理容器的上部开口封闭的方式配置簇射极板（７），自簇射极板的开口部（９）向腔室内放射等...

本发明提供等离子体处理装置及其密封结构、密封方法。该装置的密封结构能使等离子体稳定，防止密封构件老化。密封等离子体产生室（２）的开口部的闸阀包括阀体（１６）、阀杆（１７）和密封阀体与等离子体产生室的间隙的环状密封构件（１１、１２）。密封...

本发明提供一种热处理装置和处理系统，即使增高热处理装置的加热温度，也能够充分抑制硅基板下表面的金属污染。在热处理硅基板（Ｗ）的热处理装置（４）中，具有载置并加热硅基板（Ｗ）的载置台（２３），在载置台（２３）的上表面配置硅、碳化硅、氮化铝...

本发明涉及半导体处理用的反应管和热处理装置。隔开间隔以层叠状态收纳多个被处理体并在减压条件下对上述被处理体实施热处理的半导体处理用的反应管通过电绝缘性且耐热性材料一体地形成。该反应管包括：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于上述反应管装...

本发明提供一种等离子体处理装置和供电棒。供电棒（２１０）经由匹配器（２００），向对晶片实施规定的等离子体处理的处理室内配置的等离子体生成用的基座（１１２）传输高频，在供电棒上设置有电特性测量用的探头（例如电压探头（２２０Ｖ）、电流探头（...

本发明提供一种等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法。微波等离子体处理装置（１０）包括：处理容器（１００）；在处理容器内设置的、载置基板（Ｇ）的基座（１０５）；在设置在基座（１０５）的同一圆周上的３个位置（Ｐ１～Ｐ３）处与基...

本发明提供一种等离子体处理装置，其能够容易且自如地控制等离子体密度分布，提高等离子体工艺的均一性和成品率。该等离子体处理装置将基座（１２）在半径方向上二分割为基座中心电极（１２Ａ）和基座周边电极（１２Ｂ），为了高频放电或等离子体生成而将...

本发明提供一种涂敷装置。该涂敷装置具备驱动部（１２），使基板保持部（１１）绕铅直轴旋转，以使供给到基板（Ｗ）的表面中央部的涂敷液借助离心力扩散到基板的表面周缘部。另外，该装置具备振颤抑制机构（５０），该振颤抑制机构（５０）具有分别以与基...

本发明是对水的静接触角是８５度以上的基板表面进行洗净的方法。包含如下工序：以基板的中心部和旋转中心部一致的方式使基板保持部水平保持基板；使所述基板保持部围绕垂直轴旋转的同时，从洗净喷嘴向基板的中心部喷出洗净液，通过离心力扩展到基板的表面...

本发明提供了一种能够简易地进行温度调整的热处理装置、热处理装置的温度调整方法和程序。热处理装置１的控制部５０，在半导体晶片Ｗ上将ＳｉＯ↓［２］膜成膜，判别ＳｉＯ↓［２］膜是否满足面内均匀性。当控制部５０判别为不满足面内均匀性时，计算满足...

本发明提供一种基板处理系统的洗净方法和基板处理系统，能够在适当条件下适当地洗净收容室。在基板处理系统（１０）中，系统控制器（２５）的ＣＰＵ执行如下洗净处理，在此后要执行的制品处理与以批次执行的最初的制品处理相当时，在后面的批次和前面的批...

本发明提供一种喷淋头以及基板处理装置，与以往相比能够提高处理的均一性，并能够实现装置的小型化，另外能够迅速且准确地调整处理空间内的压力。该喷淋头（１００）由将下侧部件（１）、中间部件（２）和上侧部件（３）层叠的层叠体（１０）构成。在下侧...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极（６０）和外侧上部电极（６２）这两个，从２个可变直流电...

本发明提供一种在具有由导电体层以及夹着导电体层的绝缘层构成的层叠构造的静电卡盘的周围所形成的陶瓷喷镀膜与基材具有良好的粘接性，并且在操作时，即使外部冲击力作用于静电卡盘，喷镀膜也不易破损的静电卡盘。本发明的静电卡盘是包括被绝缘体层夹着的...

本发明提供一种从涂敷喷嘴（１７）向被旋转卡盘（１６）旋转的晶片（Ｗ）表面供给抗蚀剂液并使其扩展而形成抗蚀剂膜的基板处理装置，其包括：具有包围由旋转卡盘保持的晶片外侧的外侧壁部（６２ａ）的外罩（６２）、位于晶片外周部下方的内罩（６３）、被...

本发明提供一种能够实现处理的均匀性高于以往的喷淋头和基板处理装置。在该喷淋头（１００）的中央部设置有多个用于供给处理气体的中央侧气体喷出孔（１０）。另外，在喷淋头（１００）的周边部设置有多个用于供给处理气体的周边侧气体喷出孔（１１）。在...

本发明提供喷淋板的制造方法、喷淋板以及等离子体处理装置。该喷淋板的制造方法能够防止等离子体发生逆流，均匀稳定地供给等离子体激励用气体，使用时零件不会脱落。其中，形成具有沿气体流通方向连通的气孔的多孔质且为柱状的气体流通体（１１）。利用不...

本发明提供一种闸阀和半导体制造装置，该闸阀能防止因密封构件的老化所导致的密封性的降低和颗粒的产生，能保持半导体制造装置的运转率。该闸阀（２０）设在半导体制造装置的进行工艺处理的处理单元（１０）和输送被实施工艺处理的晶圆的输送室（８）之间...

本发明提供一种薄膜形成方法和用于形成含硅绝缘膜的装置。在可选择性地供给包含二异丙基氨基硅烷气体的第一处理气体和包含氧化气体或氮化气体的第二处理气体的处理区域内，通过ＣＶＤ在被处理基板上形成含硅绝缘膜。为此，重复进行多次交替地包括第一工序...