喷淋头和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够实现处理的均匀性高于以往的喷淋头和基板处理装置。在该喷淋头（１００）的中央部设置有多个用于供给处理气体的中央侧气体喷出孔（１０）。另外，在喷淋头（１００）的周边部设置有多个用于供给处理气体的周边侧气体喷出孔（１１）。在中央侧气体喷出孔（１０）和周边侧气体喷出孔（１１）之间的区域设置有多个排气孔（３０）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于基板的等离子体处理等的喷淋头和基板处理装置。
技术介绍
以往，在例如半导体装置的制造工序中，作为处理半导体晶片和 液晶显示装置用的玻璃基板等的基板的处理装置，使用从与基板相对 设置的喷淋头以喷淋状供给气体并同时进行基板的处理的基板处理装 置。例如已知下述这样的等离子体处理装置，在处理腔室内产生处理 气体的等离子体，通过该等离子体进行配置在处理腔室内的基板的等 离子体处理、例如蚀刻处理或成膜处理，在这样的等离子体处理装置 中，其结构为，上述喷淋头构成与载置基板的载置台相对的相对电极， 从喷淋头以喷淋状供给规定的处理气体，并且从载置台(基板)的周 围向处理腔室的下方排气，与此同时，在喷淋头和载置台之间施加高 频电力，产生处理气体的等离子体。另外，也已知构成为从喷淋头的周围向处理腔室的上方进行排气 的等离子体处理装置(例如参照专利文献1)。另外，也己知构成为从喷淋头的中央部排气的CVD装置(例如参照专利文献2)。专利文献1:日本特许第2662365号公报专利文献2:日本特开2004 — 339566号公报在上述的以往的技术中，构成从载置台(基板)的周围向处理腔 室的下方排气，或者从喷淋头的周围向处理腔室的上方排气的结构。 因此，从喷淋头供给的气体形成从基板的中央部向周边部流动的流动， 在基板的中央部和周边部，处理状态容易出现差异，存在处理的面内 均匀性降低的问题。另外，在从喷淋头的中央部排气的技术中，从喷 淋头供给的气体形成从基板的周边部向中央部流的流动，与上述情况相同，在基板的中央部和周边部，处理状态容易出现差异，存在处理 的面内均匀性降低的问题。另外，上述那样的处理的面内均匀性的降 低随着被处理基板例如半导体晶片等的大型化而存在愈加显著的趋 势。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够实现 处理的均匀性高于以往技术的喷淋头和基板处理装置。本专利技术第一方面涉及一种喷淋头，其形成与载置台相对的相对面， 从该相对面向基板以喷淋状供给气体，该载置台设置于在内部处理所 述基板的处理腔室并用于载置所述基板，该喷淋头包括从所述相对 面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给部；从所述相对面 的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给部；以及排气部，其 具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体供给部之间的多 个排气孔，从所述相对面进行排气。本专利技术第二方面的喷淋头为，在第一方面的喷淋头中，形成与所 述载置台相对的相对电极。本专利技术第三方面涉及一种基板处理装置，其具有在内部处理基 板的处理腔室；设置于所述处理腔室内，用于载置所述基板的载置台； 形成与所述载置台相对的相对面，从该相对面向所述基板以喷淋状供 给气体的喷淋头，在该基板处理装置中，所述喷淋头具备从所述相 对面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给部；从所述相对 面的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给部；以及排气部， 其具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体供给部之间的 多个排气孔，从所述相对面进行排气。本专利技术第四方面的基板处理装置为，在第三方面的基板处理装置 中，所述喷淋头形成与所述载置台相对的相对电极。本专利技术第五方面的基板处理装置为，在第四方面的基板处理装置 中，对所述喷淋头和所述载置台之间施加高频电力而产生等离子体， 通过该等离子体进行所述基板的处理。本专利技术第六方面的基板处理装置为，在第五方面的基板处理装置中，所述基板的处理为蚀刻处理。根据本专利技术能够提供一种能够实现处理的均匀性高于以往技术的 喷淋头禾口基板处理装置。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式的喷淋头的结构图。图2是图1的喷淋头的下表面的图。图3是表示本专利技术的一实施方式的等离子体蚀刻装置的结构图。图4是表示实施方式的等离子体蚀刻装置的气体流动的模拟结果 的模拟图像照片。图5是表示以往的等离子体蚀刻装置的气体流动的模拟结果的模 拟图像照片。附图标记说明10:中央侧气体喷出孔；11:周边侧气体喷出孔；12:中央侧气体扩散空间；13:周边侧气体扩散空间；14:气体流路；15:气体导入部；30:排气孔；31:排气用空间；100:喷淋头；101:下侧面(相对面)。具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。图l、 2是表示本实施方 式的喷淋头的结构的图，图1示意地表示喷淋头100的剖面概略结构， 图2示意地表示喷淋头100的下侧面101的外观概略结构。另外，图2 所示的喷淋头100的下侧面101如后所示形成与载置基板的载置台相 对的相对面。喷淋头100由具有导电性的材料例如对表面实施了阳极氧化处理的铝等构成板状(本实施方式中为圆板状)。在该喷淋头100的中央部， 如图2所示，设置有多个用于供给处理气体的中央侧气体喷出孔10。 另外，在喷淋头100的周边部，如图2所示，设置有多个用于供给处 理气体的周边侧气体喷出孔11。并且，在中央侧气体喷出孔IO和周边 侧气体喷出孔11之间的区域上设有多个排气孔30。这些排气孔30其 口径形成例如3mm左右，用于处理10英寸直径的半导体晶片的喷淋 头100的情况下，设置2800个左右。如图1所示，在喷淋头100内的中央部形成有与上述的中央侧气 体喷出孔IO对应的中央侧气体扩散空间12，在喷淋头100内的周边部 按照环形形成有与上述的周边侧气体喷出孔11对应的周边侧气体扩散 空间13。并且，中央侧气体扩散空间12和周边侧气体扩散空间13由 从喷淋头100的中央部到周边部以放射状设置的多个(例如四个)气 体流路14连通。另外，在上述中央侧气体扩散空间12上连接有气体导入部15。并 且，如图1箭头所示，从气体导入部15供给中央侧气体扩散空间12 的处理气体从中央侧气体喷出孔10喷出，并且通过气体流路14而导 入周边侧气体扩散空间13，从周边侧气体喷出孔ll喷出。另外，在本 实施方式中构成为，气体导入部15仅设置于中央侧气体扩散空间12 中，从中央侧气体扩散空间12通过气体流路14而将处理气体导入周 边侧气体扩散空间13，但是也可以构成为在周边侧气体扩散空间13 上也另外设置气体供给部，将处理气体分别导入中央侧气体扩散空间 12和周边侧气体扩散空间13。通过这样的结构，能够独立控制气体从 中央侧气体喷出孔10喷出的状态和气体从周边侧气体喷出孔11喷出 的状态，也能够各自喷出相互不同种类的气体。另外，在喷淋头100内的中央侧气体扩散空间12和周边侧气体扩 散空间13之间的区域上设有与上述排气孔30连通的排气用空间31， 如图1中箭头所示，经由该排气用空间31从排气孔30排气而构成。如上所述，喷淋头100具备从设置于其下侧面(与基板的相对面) 101的周边部的周边侧气体喷出孔11供给气体的周边侧气体供给部、 从设置于中央部的中央侧气体喷出孔10供给气体的中央侧气体供给 部、和从设置于外周侧气体供给部和中央侧气体供给部之间的多个排气孔30排气的排气部。图3表示作为具备上述喷淋头100的基板处理装置的等离子体蚀 刻装置200的结构。该等离子体蚀刻装置200作为电极板上下平行相 对且连接等离子体形成用电源的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装 置构成。等离子体蚀刻装置200具有由例如表面被进行过阳极氧化处理的 铝等构成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种喷淋头，其形成有与载置台相对的相对面，用于从该相对面向基板以喷淋状供给气体，该载置台设置于在内部处理所述基板的处理腔室并用于载置所述基板，该喷淋头的特征在于，包括：　从所述相对面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给部；　 　从所述相对面的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给部；以及　排气部，其具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体供给部之间的多个排气孔，从所述相对面进行排气。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：饭塚八城，切石史子，小宫山刚司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]