一种曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序，在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形。然后，对被刻蚀膜进行刻蚀，...

本发明提供一种基板处理方法，其是在溶解光致抗蚀剂图案而形 成所希望的抗蚀剂图案的回流处理中，能够提高生产效率，降低成本 的基板处理方法。在溶解在基板(G)上形成的光致抗蚀剂图案(206)， 形成新的光致抗蚀剂图案的基板处理方法中实行以下...

本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法以 及制造装置，不需要第2次曝光工序，就能高精度地形成微细 的图案，与现有技术相比简化了工序和降低了半导体装置的制 造成本。该图案形成方法用于形成成为蚀刻掩膜的图案，包括： 形成由光致抗蚀...

本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法以 及制造装置，不需要第2次曝光工序，就能高精度地形成比曝 光边界更细的微细图案，与现有技术相比简化了工序和降低了 半导体装置的制造成本。该图案形成方法是形成成为掩膜的图 案的方法，包括：...

提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备（１１）包括：处理室（１２），其具有顶部开口；电介质（１５），在其底面上具有倾斜面（１６ａ和１６ｂ），使得厚度尺...

本发明提供能够一边保持基板的凹凸，一边以比堆积技术低的成本以及高生产率来形成保形的膜，并形成图形的图形形成方法以及半导体装置的制造方法。该图形形成方法包括以下工序：在具有凹凸的基底层上沿着该基底层的凹凸形成催化剂膜（３）的工序；在催化剂...

本发明提供即使是几乎没有与颗粒的发生原因有关知识的人员，也能够正确地判别颗粒的发生原因的颗粒发生原因判别系统和颗粒发生原因判别方法，判别颗粒的发生原因的颗粒发生原因判别系统（４３）具备客户ＰＣ（４７）和主服务器（４８），主服务器（４８）...

本发明提供一种探测装置和检测方法，即使在检测中接触位置和实际接触位置之间产生误差也能够自动地修正该误差确保良好的接触精度，从而进行可靠性高的检测。第三工作台（２３）固定第三线性标尺（Ｅ３）的基准尺（Ｅ３１），并在第三工作台（２３）的非可...

本发明提供在防止等离子体泄漏的基础上能够改善挡板的流导的 等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：被处理基板(W)被搬 入和搬出的处理容器(1)；设置在处理容器(1)内并载置被处理基板 (W)的载置台(2)；向处理容器(1)内导入处理气...

本发明提供探测装置、探测方法及存储介质。在具备多台使用探 测卡调节晶片上的IC芯片的电特性的探测装置主体的探测装置中，实 现该探测装置的小型化。在进行晶片的检查的探测装置主体、和收纳 有多个晶片的载体之间，进行晶片的交接的装载部中，设置...

本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法及 制造装置，其不需要硬掩模就能够以高精度形成微细图案，并 可以比以往简化工序和降低制造半导体装置的成本。本发明为 形成成为蚀刻掩模的规定形状的图案的方法，其具备以下工序： 使含有产酸剂的...

本发明提供一种处理装置和处理方法，该处理装置对被处理体（Ｗ）进行热处理。处理装置具有：能够收容多个被处理体（Ｗ）的处理容器（２２）；设于处理容器（２２）外侧的感应加热用线圈部（１０４）；对感应加热用线圈部（１０４）施加高频电力的高频电源...

本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法能够有选择地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并且在与用于在供给第二处理气体时对其进行激发的激发机构连通的处理区域内反复进行多次等离子体循环和非等离子体循...

本发明提供一种等离子体处理装置，可以排除由安装状况或尺寸误差造成的缝隙天线中的电流流动的不均匀性，生成均匀的等离子体。将电介质板（４）配置为使构成处理容器的一部分的平板外罩（１４）的上部开口封闭，在电介质板（４）的上部配置产生等离子体的...

本发明涉及等离子体处理装置，可以提高等离子体点火性，适于进行等离子体处理。等离子体处理装置（１１）具备：保持台（１４），配置于处理容器（１２）内，在其上保持半导体基板（Ｗ）；电介质板（１６），配置于与保持台（１４）相面对的位置，将微波导...

本发明提供一种等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置，能够控制蚀刻率的轮廓，能够抑制因处理容器等被蚀刻而引起的颗粒的产生。每当实施清洁工序（ａ），利用使该清洁气体等离子体化得到的等离子体除去附着在处理容器（２）内的附着物；成膜工序（ｂ），利...

本发明提供一种等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置。基板放置台具有用于吸附被处理基板的静电吸盘部（８）和保持静电吸盘部（８）的基台部（７），基台部（７）具有高度较高的凸部（７２）和在凸部（７２）的周围位于比凸部（７２）低规定高...

本发明涉及基板载置台、基板处理装置和被处理基板的温度控制方法。在具有静电卡盘的基板载置台中，由于向静电卡盘电极供电的供电线的周围由绝缘材料包围，因而产生传热不良的部分。由此，提供一种补偿该部分的传热，使基板整体温度均匀的手段。在供电线周...

本发明涉及衬底的处理方法、计算机存储介质以及衬底处理系统。在本发明中，在衬底上形成疏密的抗蚀剂图形的情况下，测定各个抗蚀剂图形尺寸，基于密的抗蚀剂图形的尺寸测定结果算出第一处理装置的修正值，基于疏的抗蚀剂图形的尺寸测定结果算出第二处理装...

本发明提供可提高半导体器件的成品率的基板处理装置。作为基板处理装置的等离子体处理装置（１０）具有静电吸附载置的晶片（Ｗ）的载置台（３５）。等离子体处理装置（１０）与测定晶片（Ｗ）的温度的温度测定装置（２００）、和直接或间接地进行晶片（Ｗ...