曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序制造方法及图纸

一种曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序，在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形。然后，对被刻蚀膜进行刻蚀，剥离抗蚀剂图形，通过散射测量技术测定上述多个部位的被刻蚀膜的图形的形状，根据逐次曝光的曝光量以及聚焦值、抗蚀剂图形的线宽和刻蚀图形的线宽，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在制造半导体装置等的步骤中为了形成有良好形状的 刻蚀图形而对以预定图形对用作刻蚀掩模的抗蚀剂膜进行曝光时的最 佳曝光条件进行设定的曝光条件设定方法、以及为了执行该曝光条件 设定方法所用的衬底处理装置和计算机程序。
技术介绍
在具有嵌入式结构等多层布线结构的半导体装置的制造工艺中， 例如，在层间绝缘膜上形成抗蚀剂膜，以用预定图形对抗蚀剂膜进行 曝光、显影后所形成的抗蚀剂图形作为刻蚀掩模，对层间绝缘膜进行 等离子体刻蚀，进行层间绝缘膜的构图。另外，在光掩模的制作中， 在设置于衬底上的遮光层上形成抗蚀剂图形，用干法刻蚀对遮光层进 行构图。如下述的专利文献1所述的那样，可通过定期对刻蚀图形的形状 进行SEM观察来进行这样形成的刻蚀图形的线宽等的管理。而且，当 刻蚀图形的形状在既定的尺寸范围之外的情况下，操作人员根据过去 的处理数据等，改变刻蚀条件或形成作为刻蚀掩模的抗蚀剂图形用的 光刻步骤中的处理条件(曝光量或聚焦值)等，由此，进行刻蚀图形 的尺寸改变。然而，存在如下问题由于SEM观察必须熟练、对形状判断因人 而异，所以，为了决定曝光条件，需要较长的时间。另外，可用上述 尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其具备：曝光处理部，以预定的图形对形成在具有被刻蚀层的衬底的该被刻蚀层上的抗蚀剂膜进行曝光；图形形状测定部，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状和刻蚀图形的形状；以及控制部，控制上述曝光处理部和上述图形形状测定部，其特征在于，　上述控制部根据如下内容，在上述刻蚀图形之中存在其形状在预定的允许尺寸范围外的区域的情况下，改变上述测试衬底的曝光量和聚焦值的组合，以使全部刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内，即：用上述图形形状测定部测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状的结果，该多个部位的抗蚀剂图形的形状是分别改变曝光量和聚焦值、以预定的测试图形对形成在测试衬底上的抗蚀剂膜的多个部位进行...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：泽井和夫，园田明弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]