【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及例如对半导体晶片等衬底进行光刻处理的衬底的处理 方法、程序及计算机存储介质以及衬底处理系统，特别是，涉及在衬底 上混合形成有疏密的抗蚀剂图形的情况下，在衬底上形成预定的目标尺 寸的抗蚀剂图形的方法。
技术介绍
例如，在制造半导体器件中的光刻处理中，例如，依次进行在半导 体晶片(以下称为"晶片")上涂敷抗蚀剂从而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂 敷处理、将该抗蚀剂膜曝光成预定的图形的曝光处理、曝光后为了促进抗蚀剂膜的化学反应而进行加热的曝光后烘烤处理(以下称为"PEB处 理")、对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，在晶片上形成预 定的抗蚀剂图形。上述的抗蚀剂图形决定基底的被处理膜的图形形状，需要以严格的 尺寸形成。因此，提出了如下的方案进行光刻处理，从而在晶片上形 成抗蚀剂图形，测定该抗蚀剂图形的尺寸，基于该尺寸测定结果，例如， 修正P E B处理等的加热处理的处理条件，谋求抗蚀剂图形尺寸的适当化 (日本专利申请公开2006 - 228816号公报)。如图12所示，存在如下情况在晶片W上，混合形成有密的抗蚀 剂图形Pl和疏的抗蚀剂图形P2。即，存在如下情况...
【技术保护点】
一种衬底的处理方法，对衬底至少进行第一处理和第二处理，在衬底上形成抗蚀剂图形中的抗蚀剂部和／或空间部的尺寸不同的第一抗蚀剂图形和第二抗蚀剂图形，其中， 具有如下工序：至少进行第一处理和第二处理，在衬底上形成第一抗蚀剂图形和第二抗蚀剂图 形；然后，分别测定第一抗蚀剂图形和第二抗蚀剂图形的抗蚀剂部和／或空间部的尺寸；然后，基于上述测定的尺寸，对上述第一处理中的处理条件进行修正，并且，对上述第二处理中的处理条件进行修正， 以后，以上述修正后的处理条件分别进行上述第一处理和 上述第二处理，分别以预定的目标尺寸形成上述第一抗蚀剂图形和上述第二抗蚀剂图形。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大塚贵久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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