【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于形成在半导体晶片等基板上实施等离子体 蚀刻等蚀刻处理时所用的蚀刻掩模的图案形成方法、半导体装 置的制造方法及半导体装置的制造装置。
技术介绍
以往，在半导体装置等的制造工序中，在半导体晶片等基 板上实施等离子体蚀刻等蚀刻处理，形成微细的电路图案等。 这种蚀刻处理工序中，通过使用光致抗蚀剂的光刻工序来形成 掩模。在这种光刻工序中，为了应对所形成的图案的微细化，开发了各种技术。其中之 一 有所谓的双重图案化(double patterning )。该双重图案化通过进行2阶段的图案化，即，通过 涂布光致抗蚀剂进行曝光、显影而形成第l图案的第l光刻工序 和蚀刻工序来形成由非晶碳等硬掩模构成的第1图案、并在该第 l光刻工序后再次涂布光致抗蚀剂进行曝光、显影而形成第2图 案的第2光刻工序的2阶段的图案化，由此可形成比用l次图案化 形成的掩模更微细的间隔的掩模(例如参照专利文献l )。 专利文献l:美国专利第7064078号说明书
技术实现思路
专利技术要解决的问题如上所述，在以往的双重图案化技术中，通过使用硬掩模， 可以进行2次光刻工序。因此，存在下述问题需要...
【技术保护点】
一种图案形成方法，其特征在于，其为形成规定形状的图案的方法，该规定形状的图案成为蚀刻基板上的被蚀刻层的掩模，其具备以下工序： 将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第１图案的第１图案形成工序； 使碱性溶液或碱性气体与前述第１图案接触而向该第１图案赋予溶剂耐性和显影液耐性的溶剂耐性和显影液耐性赋予工序； 将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第２图案的第２图案形成工序。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：志村悟，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。