一种等离子体处理装置，它具有：在内部进行等离子体处理用的腔室（１）；由塞住所述腔室（１）的上侧的电介质构成的顶板（１５）；和作为通过所述顶板（１５）将高频供给所述腔室（１）内的高频供给部件的天线部（３）；在顶板（１５）内部具有反射部件（...

本发明提供一种可对多块基板实施稳定的等离子体处理的基板处理装置。基板处理装置（１０）具有容纳晶片（Ｗ）实施ＲＩＥ处理的腔室（１１），容纳在该腔室（１１）内的晶片（Ｗ）的周围配置有聚焦环（２５）。通过对Ｐ型硅至少实施一次加热处理制造该聚焦...

本发明提供一种利用含有碳和卤素原子的气体进行蚀刻时，能够提高蚀刻处理在基板面内的均匀性的蚀刻方法。该方法从气体供给部（４）向晶片（Ｗ）供给含有１分子中碳原子数为２以下的碳和氟的第一气体的处理气体进行蚀刻时，以第一气体室（４５）的供给量多...

在腔室（１）上部的开口部配置有由微波驱动并产生电磁场的天线部（３），在天线部（３）的下部设置有密封腔室（１）的开口部的顶板（４），在顶板（４）的下表面一侧设置有环形的突条（４１），其径向的厚度以锥形连续变化，从而在等离子的任意条件下均可...

在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿着所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部...

本发明提供一种难以产生升降销对载置台本体的损伤的基板载置台。在基板处理中载置基板的基板载置台（４）包括载置台本体（４ａ）；和垂直地插入载置台本体（４ａ）中、设置为可自由升降以在载置台本体（４ａ）的表面上突出和没入、以其前端支承和升降基板...

本发明提供了一种等离子体处理装置用的载置台及具有该载置台的等离子体处理装置，该载置台能够降低被处理基板中央部的等离子体电场强度，由此能够提高等离子体处理的面内均匀性。等离子体处理装置（２）用的载置台（３），包括：导电体部件，兼作等离子体...

本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具备：收容被处理体的腔室；具有以与腔室连通的方式设置在所述腔室上方的由电介质构成的钟罩和线圈状地卷绕在所述钟罩的外侧周围并在所述钟罩内形成感应电场的天线，向...

本发明提供一种升降销难以损伤载置台本体的基板载置台。基板载置台具备：载置台本体和升降销（３０），其中，该升降销（３０）铅直插通上述载置台本体，以相对于上述载置台本体的表面突出、隐没的方式自由升降地设置，其前端支撑基板并使上述基板升降，升...

本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体...

本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置可防止在使用了等离子的处理容器内堆积不需要的附着膜。该装置包括：处理容器（３４），其内部可抽成真空，且具有开口的顶部（５４ａ）、侧壁（３４ａ）和底部（３４ｂ）；载置台（３６），其为了载置被处...

微波等离子体源（２）包括：将微波在被分配为多个的状态下进行输出的微波输出部（３０）、和将被分配为多个的微波导入上述腔室内的多个天线模块（４１）。各天线模块（４１）具备：具有放大微波的放大器（４７）的放大器部（４２）；具有将放大的微波向腔...

本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质。在使用多个高频电源进行等离子体处理的等离子体处理装置中，在至少一个高频电源中产生过大反射波时，停止该高频电源输出的同时，瞬间停止其他高频电源的输出。多个高频电源分别具备：振荡...

本发明提供一种等离子体处理装置，在腔室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置（１００）的腔室（１０），被基座（１１）和挡板（１８）分隔为处理室（１０ｕ）和排气室（１０ｄ），在对基板Ｇ进行成膜处理前，在腔室内壁上形成预涂膜，...

本发明提供一种等离子体处理装置。其具有：收容被处理基板并能够真空排气的处理容器；在处理容器内对置配置的第一电极和第二电极；将高频电力施加到所述第一电极的高频电源；将直流电压施加到所述第一电极的直流电源；和将处理气体供给到处理容器内的处理...

本发明提供一种喷淋板和基板处理装置，即使经过使用时间，也能够为了延长喷淋板的寿命，而防止异常放电的发生。基板处理装置（１０）具有对腔室（１１）内的处理空间（Ｓ）供给处理气体的喷淋头（３０），该喷淋头（３０）具有圆板状的喷淋板（３１），该...

本发明提供一种等离子体处理装置，其能够最大限度地减少滤波电路内的ＲＦ电力损失量及其机械偏差，提高工艺性能的再现性、信赖性，其中，该滤波电路用于使不需要的高频噪声衰减。在该等离子体处理装置中，设置在第一和第二供电线上的２系统的第一段空芯线...

本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室（４）的上方，隔着电介质壁（２）配置有通过被供给高频电力在处理室（４...

本发明提供一种处理容器以及等离子体处理装置，能够在等离子体处理装置中容易地进行保护处理容器的内表面用的保护部件的交换，并且能够抑制部件成本，在等离子体处理装置的处理容器（１０１）中，具有基板搬送用开口（１６１）的侧壁（１０１ｂ）的内面由...

本发明提供一种喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板能够更完全地防止等离子体发生逆流、或在纵孔部分的等离子体激励用气体发生着火，从而可以高效地激励等离子体。喷淋板（１０５）配置在等离子体...