本发明提供一种不论等离子体的状态如何，都可以容易地确保等离子体的均匀性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在上部电极（３４）与下部电极（１６）之间生成处理气体的等离子体并对晶片（Ｗ）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，高频电源（４８...

本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室（１０）内相对配置的上部电极（３４）和下部电极（１６）之间形成处理气体的等离子体，在晶片（Ｗ）...

本发明提供一种等离子体处理的面内均匀性高、并且难以产生充电损坏的电容耦合型的等离子体处理装置。该电容耦合型的等离子体处理装置（１００）具有：可保持真空气氛的腔室（１）；在腔室（１）内互相平行地配置的第一和第二电极（２、１８）；和在第一和...

本发明提供利用液体的冷却介质冷却电介质的等离子体处理装置、狭缝天线以及等离子体处理方法。微波等离子体处理装置（１００）由处理容器（１０）、导波管（２２）、狭缝天线（２３）、电介质（２４）、第一冷却部（６０）和第二冷却部（８０）构成。第一...

一种等离子体处理装置，使得导入波导管的微波通过槽传播到介电体上，使供给到处理容器内的规定气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，并列配置有多根波导管，在每一根波导管上分别设置有多个介电体，且在每个介电体上设置有１个或２个以上的槽。可以显...

本发明提供一种利用多根气体供给管件将处理气体供给到处理容器内的等离子体处理装置和等离子体处理方法。其中，微波等离子体处理装置（１００）构成为具有多根气体导入管（３０）、多根气体管（２８）、和支撑这些气体管（２８）的多个支撑体（２７）。在...

本发明提供以简单的构成能够容易地控制聚合物的附着量的等离子体处理室。等离子体处理室（１０）具有覆盖容器（１１）的内周面的圆筒状的侧壁构件（４５），电位控制装置（４６）具有通过升降与侧壁构件（４５）接触，或者不与侧壁构件（４５）接触、接地...

本发明提供一种具有温度控制性优异的冷却结构的上部电极。上部电极（１１）具有：与基座（４）平行对向配置的电极板（１３）；与该电极板（１３）的中央上部连接配置，在内部形成有传热介质流路（１５）的温度调节板（１４）；和与电极板（１３）的周边部...

本发明提供用于均匀地产生等离子体而控制供给气体的顺序的方法。微波等离子体处理装置（１００）使从微波发生器（２８）输出的微波通过多个波导管（２２）从槽缝天线（２３）的槽缝向多块电介质零件传播，透过各电介质零件并向处理容器（１０）内放射。控...

本发明提供一种防止微粒附着装置，为了防止在基板处理工序的装置内的微粒附着在基板上，在利用离子发生装置使微粒带电的同时，利用直流电源将与带电微粒同极性的直流电压施加在基板上。而且，在将气体导入基板处理工序的真空处理室的上下电极之间，将高频...

本发明提供一种可以防止电极板的损坏、并且可以防止部件个数的增加从而可以防止维护性的恶化的等离子体处理装置的电极组件。上部电极组件具有上部电极板（３２）、冷却板（Ｃ／Ｐ）（３４）、以及被配置在上部电极板（３２）和Ｃ／Ｐ（３４）之间的隔板（...

本发明提供一种不受容器内压力影响，可检测容器内微粒情况的等离子体处理室（１０），其包括：腔室（１１）、气体导入喷淋头（３４）、向处理空间Ｓ施加高频电力的基座（１２）、将腔室内的气体排出的排气装置、微粒计数器（４５）、以及将腔室分隔成反应...

在微波等离子体处理装置（１０）中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯（３０），以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间（２６）内的透过窗（３２）。透过窗（３２）...

从图１（ａ）所示的状态开始，作为蚀刻气体，使用至少含有ＨＢｒ的气体，例如ＨＢｒ＋Ｃｌ↓［２］的混合气体，在第一压力下，进行主蚀刻工序。之后，如图１（ｂ）所示，在露出硅氧化膜层（１０２）之前，结束上述主蚀刻工序，使用至少含有ＨＢｒ的气体，...

本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施...

本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加频率相对较高的第一高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施...

在平面天线部件（３）上由多个同心圆形成环状的槽口（３００～３０４），将中心部的导体（３１０、３１１）的厚度形成为相对的薄，将周边部的导体（３１２～３１５）的厚度形成为相对的厚，由此，微波不衰减，易于通过槽口（３００～３０４），能够得到均...

本发明提供了一种等离子处理单元，包括：处理容器，其顶部开口，并且其中能产生真空；平台，其设置在所述处理容器中，用于在其上设置将被处理的物体；上板，其由电介质制成，所述上板密封地装配在所述开口中，并允许微波从其中穿过；平面天线元件，其设置...

本发明提供一种以不阻碍等离子体流向非处理体的方式设置有气体喷射部件的等离子体处理装置。在微波等离子体处理装置（１００）的梁（２６）上，固定有多个具有喷射孔（Ａ）的侧吹喷气管（２７）和具有喷射孔（Ｂ）的冰柱喷气管（２８）。第一气体供给部将...

本发明提供一种等离子体处理装置，在腔室内壁表面上形成厚度均匀的覆盖膜。微波等离子体处理装置（１００）的腔室（１０），被基座（１１）和挡板（１８）分隔为处理室（１０ｕ）和排气室（１０ｄ），在对基板Ｇ进行成膜处理前，在腔室内壁上形成预涂膜，...