等离子体处理室制造技术

本发明专利技术提供一种不受容器内压力影响，可检测容器内微粒情况的等离子体处理室（１０），其包括：腔室（１１）、气体导入喷淋头（３４）、向处理空间Ｓ施加高频电力的基座（１２）、将腔室内的气体排出的排气装置、微粒计数器（４５）、以及将腔室分隔成反应室（１７）和总管（１８）的隔板（１４）。排气装置具有粗排气管（５４）和主排气管（５５），该两个排气管分别具有向总管（１８）内开口的粗排气口（５６）和主排气口（５７），该两个排气口相邻排列，分别向微粒自由下落的路径开口。微粒计数器（４５）配置在总管内，该微粒计数器的激光照射部（４７）沿粗排气口和主排气口的排列方向照射检查用激光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有容器的等离子体处理室，尤其涉及一种具有微粒检测装置的等离子体处理室，该微粒检测装置检测容器中的微粒的产生情况。
技术介绍
众所周知，等离子体处理装置包括作为收容作为基板的晶片的真空处理室的腔室(容器)，装载收容在腔室内的晶片的装载台(基座)，向腔室内供给处理气体的喷淋头，和向腔室内施加高频电力的电极等。在这种等离子体处理装置中，利用高频电力使供给至腔室内的处理气体等离子化并产生离子等。该产生的离子等到达晶片的表面，对该表面实施等离子体处理。此时，晶片表面存在的物质与离子等反应生成反应生成物。反应生成物附着在腔室的内壁表面，附着的反应生成物在等离子体处理中剥离成为微粒。该微粒悬浮在腔室内并附着到晶片的表面等。如果微粒附着到晶片上的半导体器件上，则在该半导体器件中会发生配线的短路等。因为会导致半导体器件的成品率的降低，因此，要检测出腔室内微粒的产生情况。具体地说，试图计算测量出微粒的大小和数量。因此，研发出一种等离子体处理装置，该装置包括微粒检测装置，其利用激光检测出排放腔室内气体的排气通路和配置在腔室与排气通路之间的排气预备室中的微粒，在作为微粒产生部位的腔室本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理室，包括：收容基板的容器，向该容器内供给处理气体的处理气体供给装置，向所述容器内施加高频电力的电极，以及与所述容器连接并对所述容器内的气体进行排气的排气装置，其特征在于：配置有检测悬浮在所述容器内的微粒的微粒检测装置 ，该微粒检测装置被配置在所述微粒自由下落的路径中，也就是被配置在所述排气装置将所述容器内的气体排出时，利用该排出气体运送的微粒移动的路径中。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：辻本宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]