上部电极、等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有温度控制性优异的冷却结构的上部电极。上部电极（１１）具有：与基座（４）平行对向配置的电极板（１３）；与该电极板（１３）的中央上部连接配置，在内部形成有传热介质流路（１５）的温度调节板（１４）；和与电极板（１３）的周边部连接配置，在内部具有传热介质流路（１６）的温度调节块体（１７）。温度调节板（１４）通过与电极板（１３）的中央上部连接配置，可在与电极板（１３）之间进行热交换，将在传热介质流路（１５）中流动的制冷剂的冷热供给电极板（１３）而进行冷却。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，详细地说，涉及在平板显示器(FPD)等的制造过程中，在等离子体处理玻璃基板等的被处理基板时使用的上部电极、具有该上部电极的等离子体处理装置和等离子体处理方法。
技术介绍
在FPD的制造过程中，对作为被处理基板的大型玻璃基板进行干蚀刻等的等离子体处理。例如，在等离子体处理装置的腔室内配置一对平行平板电极(上部电极和下部电极)，在将玻璃基板载置在作为下部电极起作用的基座(基板载置台)上后，将处理气体导入腔室内，同时将高频电力施加在电极的至少一个上，在电极间形成高频电场，利用该高频电场形成处理气体的等离子体，对玻璃基板实施等离子体处理。在等离子体处理装置中，由于上部电极直接暴露在等离子体中，在等离子体处理中，上部电极的温度变高。由此，提出在上部电极内形成有传热介质流路，使制冷剂在该传热介质流路内流通，冷却上部电极的等离子体处理装置(参照专利文献1)。另外，提出主要以半导体晶片的处理为目的的装置，将上部电极内的传热介质流路做成弯曲结构，通过考虑制冷剂的流动方向，提高温度控制的精度，提高上部电极全体的温度均匀性的等离子体处理装置(参照专利文献2)。日本专利特开昭63-284本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上部电极，其在等离子体处理装置的处理室内，与载置被处理基板的载置台对向配置，用于在与所述载置台之间产生处理气体的等离子体，其特征在于，具有：形成有用于向所述载置台上的被处理基板喷出所述处理气体的多个喷出口的电极板；和在内 部具有使传热介质流通用的传热介质流路，配置在所述电极板的上部，调节所述电极板的温度的多个温度调节体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：田中善嗣，南雅人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]