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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
等离子体处理装置和高频电力供给装置制造方法及图纸
本发明的等离子体处理装置包括:处理容器,其内部可减压;第1电极,配置在所述处理容器内;处理气体供给部件,用于将处理气体供给到所述处理容器内;高频电源部,输出具有VHF带频率的高频电力;匹配器,与所述高频电源部和所述第1电极电连接,获得阻...
电感耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种不更换天线,不提高装置成本和电力成本,并且能够进行高精度的等离子体密度分布控制的电感耦合等离子体处理装置。在处理室(4)的上方经由电介体壁(2)配置着高频天线(13),该高频天线具有通过供给高频电力在处理室(4)内、主要在...
等离子体处理装置及其所使用的电极制造方法及图纸
本发明提供一种等离子体处理装置及其所使用的电极,根据平板显示器用基板的等离子体处理的种类或处理条件进行最佳的处理气体的供给。配置于处理室(200)内的上部电极(300)包括:相对下部电极(212)的电极板(310);支撑电极板的电极支撑...
等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明涉及微波等离子体处理装置,利用波长可变物质,使波导管长度最优。微波等离子体处理装置(100)包括波导管(30)、有多个槽缝(31)的槽缝天线(32)、多个电介体(33)和处理室(U)。微波依次在波导管(30)、槽缝(31)、电介体...
光刻胶和刻蚀残留物的低压去除制造技术
提供了一种用于低压等离子体灰化以去除在先前的介电层的等离子体刻蚀期间形成的光刻胶残余和刻蚀残留物的方法。该灰化方法使用涉及含氧气体的两步等离子体工艺,其中在第一清洁步骤中向衬底施加低偏置或零偏置以从衬底上去除显著量的光刻胶残余和刻蚀残留...
磁控管的控制方法、微波发生装置、处理装置制造方法及图纸
本发明以提高磁控管的寿命为目的,提供一种磁控管的寿命判定方法。本发明的微波发生装置,具备:具备包括灯丝(78)的阴极(80)和包括空腔谐振器(84)的阳极(82)的磁控管(74);灯丝的电流测定部(100);求出在灯丝上施加的电压的电压...
等离子体处理装置用的载置台以及等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明涉及等离子体处理装置用的载置台及有该载置台的等离子体处理装置,其能提高等离子体中电场强度的面内均匀性,能对基板进行面内均匀性高的等离子体处理。等离子体处理装置(1)用的载置台(2)包括:兼作等离子体生成用等的下部电极(21)的导电...
微波等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明是一种微波等离子体处理装置,其包括:收容待处理物体的腔室;将处理气体供应到腔室中的处理气体供应单元;产生微波的微波发生源,该微波用于在腔室中形成处理气体的等离子体;将微波发生源所产生的微波导向腔室的波导单元;由导体材料制成的平面天...
聚焦环和等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种与现有技术相比能够提高等离子体处理的而内均匀性的聚焦环和等离子体处理装置。聚焦环(5)包括由导电性材料构成的第一环状部件(5a)和由绝缘性材料构成的第二环状部件(5b)。在第一环状部件(5a)的内侧边缘部形成有位置低于载置...
微波发生装置和微波发生方法制造方法及图纸
本发明提供一种微波发生装置,其特征在于,具有:开关信号发生部,发生具有微波频带的基本频率的矩形波状的开关信号;开关功率放大部,根据上述开关信号,进行开关功率放大,输出放大信号;可变电压供给部,能够可变地将放大用的驱动电压供给上述开关功率...
传热气体供给机构、供给方法及基板处理装置、处理方法制造方法及图纸
本发明涉及传热气体供给机构、供给方法及基板处理装置、处理方法。其能在短时间内供给使载置台与玻璃基板间的空间变成设定压力的量的传热气体,并能将该空间正确保持在设定压力。传热气体供给机构(3)包括:用于向基座与基板间的空间(D)供给传热气体...
微波等离子体处理装置、其制造及使用方法、一体型槽形成部件制造方法及图纸
本发明涉及微波等离子体处理装置、其制造及使用方法、一体型槽形成部件,实现阻断处理室内与大气的连通的密封部件的配置合理化。微波等离子体处理装置(100)具备将微波通过槽(37b)并进行传播的槽天线(30);和利用传播过槽天线(30)的微波...
微波等离子体处理装置、电介质窗制造方法和微波等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种抑制气体的流速的微波等离子体处理装置。微波等离子体处理装置(100)具有:通过缝隙天线(30)透过微波的由多个电介质零件(310)构成的电介质窗;固定在梁(26)下面的多个气体喷嘴(27);供给规定的气体的气体供给部;用透...
等离子体处理装置和可变阻抗装置的校正方法制造方法及图纸
一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置,包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间,形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极,提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对...
处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置制造方法及图纸
本发明涉及处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置,该处理气体供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。处理气体供给机构(3)包括:用于向作为收容基板(G)的处理容器的腔室(2)内供给作为处理气体的氦气的He气体...
聚焦环和等离子体处理装置制造方法及图纸
提供一种聚焦环和等离子体处理装置,在可以提高处理的面内均匀性的同时,与现有技术比较,还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内,设置有载置半导体晶片W的载置台(2),以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周...
等离子体处理装置及其运转处理方法和电子装置制造方法制造方法及图纸
本发明提供一种利用不需要远距离腔室和专用微波源等的简单结构就能够清洁处理室内的淀积物的技术。本发明的等离子体处理装置,利用在波导管中传播的、并向在处理室内面上配置的电介质传播的微波,使提供到处理室内的规定气体等离子体化,从而对在处理室内...
基板平台和等离子处理装置制造方法及图纸
一种能减少等离子处理装置的运行成本并提高装置的运行速度的基板平台。下部电极作为基板平台而设置在该装置的腔室内,静电卡盘被结合在下部电极中。在静电卡盘的侧壁上形成作为喷敷层,膜厚度在从1000至2000μm的范围内,元素周期表第ⅢB族元素...
等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种当在平行平板电极之间利用高频电力产生等离子体时,使高频电流的返回路径的电阻减小的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在作为升降自由的阳极电极的上部电极上,通过导电性的升降棒在处理容器外设置有导电性的移动侧接触部件。另一方面...
载置装置、等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明的目的在于提供一种不会对被处理体产生重金属污染,而且经过长时间静电卡盘不会引起绝缘破坏的载置装置。本发明的载置装置,采用作为上述电极层的表面侧的绝缘层的静电卡盘层通过等离子体喷镀而形成,由厚度为200μm~280μm的氧化钇喷镀层...
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