本发明提供一种处理装置部件的装配机构，具备可以使构成处理室的顶板部的上部电极组件和电极组件升降的升降机构，其特征在于：上部电极单元由上部组件和下部组件可分离、合体地构成，下部组件具有圆柱状电极组件和可嵌合于圆柱状电极组件的周围的环状构件...

本发明可以提高等离子体处理装置的处理结果的预测等的精度，并可减轻作成模型时的负担。将作为基准的运转条件Ａ、Ｂ的测量数据Ｘａ、Ｘｂ存储在测量数据存储部分（２０２）中，将通过多变量分析作成的模型Ｋａ、Ｋｂ存储在分析处理结果存储部分（２１０）...

本发明提供在将形成有有机类低介电常数膜和保护膜的被灰化基板的保护膜利用等离子体灰化去除时，与现在相比，可以减轻对有机类低介电常数膜造成的损伤的等离子体处理方法和等离子体处理装置。使等离子体处理室（１０２）内部的压力在４Ｐａ以下，从第一高...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，目的在于在平行平板式的等离子体处理装置中抑制在阴极电极与处理容器的壁部之间产生等离子体。在下部电极与处理容器之间设置带有电容成分的阻抗调整部。阻抗调整部把从上部电极通过等离子体、下部电极...

一种等离子体处理装置，对半导体基板进行等离子体处理，其特征在于，该等离子体处理装置具有：　　　　收容应处理的半导体基板的处理容器；　　　　把电磁波供给所述处理容器的电磁波供给部；　　　　在所述电磁波供给部和所述处理容器之间配置的电介质板...

本发明提供一种等离子体处理装置，可调整等离子体源侧的阻抗，可消除装置间或清洗循环间的阻抗误差。该等离子体处理装置在分割成内侧电极（３８）和外侧电极（３６）的上部电极（３４）与下部电极（１６）之间生成等离子体，并在晶片（Ｗ）上施行等离子体...

本发明提供一种等离子体处理装置和方法，能够提高晶片面内的蚀刻处理的均匀性。相对于与供给等离子体生成用的高频电力的下部电极３相对的上部电极（４）来设置电气特性调整部（２０）。电气特性调整部（２０）可以进行调整，使得相对于向下部电极３供给的...

本发明提供不仅能够防止处理腔室内的腐蚀，也能够防止搬运系统中的腐蚀的等离子体处理方法及后处理方法。对腔室内的被处理体进行等离子体处理的等离子体处理方法，其特征在于，包括：将至少含有卤素的气体等离子体化，用生成第一等离子体对被处理体进行处...

根据本发明，在使得由处理容器内的铝合金构成的被处理体的温度处于预定温度的状态下，从处理气体供给源向处理容器内导入氧气和氪气的混合气体，通过微波在处理容器内产生等离子体。通过由此而产生的氧自由基在被处理体的表面进行自由基氧化处理，可在被处...

本发明提供了一种等离子体处理的面内均匀性高，而且难以产生充电损坏（ｃｈａｒｇｅ　　ｕｐ　　ｄａｍａｇｅ）的电容耦合型的等离子体处理装置。具有：保持在真空气氛中的腔室（１）；在腔室（１）内互相平行地配置的第一和第二电极（２），（１８）；和...

本发明提供一种电容耦合型的等离子体处理装置（１００），包括可设定为具有真空气氛的处理腔室和将处理气体供给腔室（１）内的处理气体供给部（１５）。在腔室（１）内、第一电极（２）和第二电极（１８）相对地配置。为了在第一和第二电极间的等离子体生...

本发明的目的在于：在纵型等离子体处理装置中，不降低原子团的利用效率，防止等离子体对被处理体的破坏，并抑制空心阴极放电和等离子体引起的溅射的发生。在处理容器３２的侧壁的内表面的一部分上设置有在上下方向延伸的凹部７４。从配置在凹部７４中的等...

本发明目的是提供在等离子体处理装置中，难以产生以识别标志为起点的裂纹的部件，同时提供利用此识别标志可以检测部件寿命的方法。在装入基板（Ｗ）的处理容器（１０）中生成等离子体，对基板（Ｗ）实施等离子体处理的等离子体处理装置（１）中，作为配置...

本发明提供一种气体供给部件和等离子体处理装置，能够不滞留气体地向腔室供给气体。作为气体供给部件的导入气体喷淋头（３２），在气体孔（３５）与腔室相对部侧的外缘部上具有相对于气体孔（３５）的中心轴有ｎ次旋转对称性（ｎ是２以上的自然数）的斜面...

本发明提供能够以高精度测量等离子体处理装置的等离子体中Ｆ密度的方法。本方法是对处理容器（１０）内容纳的被处理体（Ｗ）进行等离子体处理的等离子体处理装置（１）的等离子体中Ｆ密度进行测量的方法，其使用至少含有Ｏ↓［２］气和惰性气体的处理气体...

本发明提供一种基板载放台（１７），在其内侧制冷剂室（２８）与外侧制冷剂室（２９）之间设置有圆筒形状的空隙部（３０）。与空隙部（３０）连接的配管（３０ａ）一直延伸至基板载放台（１７）的下方，通过阀（７１）与真空泵（７２）连接。利用该真空泵...

本发明提供一种能够使基板的表面内温度保持均匀的基座。基座（１３）具有比基板（Ｗ）小的基板保持面（２０）。基板保持面（２０）具备外周环（２１）和多个凸部（２２）。在基板保持面（２０）的中心区域（Ｒ１）中均等地配置凸部（２２）。在基板保持面...

本发明提供一种等离子体处理装置，在等离子体处理装置的处理室内的等离子体密度局部偏高的部位插入屏风部件，使等离子体失去活性，使等离子体密度均匀化。其特征在于，在等离子体处理装置（１）中，在处理室（３）内的等离子体密度局部偏高的部位上，设置...

本发明涉及的除电装置，不仅在对被处理基板的处理正常结束时，而且在对被处理基板的处理非正常结束时，也可以对被处理基板充分除电。在使吸附保持在载置台例如下部电极（１２０）的静电卡盘（１２２）的状态下，进行规定处理的被处理基板例如晶片（Ｗ）从...

本发明提供一种等离子体处理装置，在向上部电极施加３００Ｗ以上１０００Ｗ以下的频率比第一频率电力低的第二高频电力后，保持１～３秒的时间差，施加第一频率电力，先由第二高频电力生成鞘层，而使得即使施加第一高频电力，也可以阻止等离子体进入喷淋头...