本发明专利技术可以提高等离子体处理装置的处理结果的预测等的精度，并可减轻作成模型时的负担。将作为基准的运转条件Ａ、Ｂ的测量数据Ｘａ、Ｘｂ存储在测量数据存储部分（２０２）中，将通过多变量分析作成的模型Ｋａ、Ｋｂ存储在分析处理结果存储部分（２１０）中，将新的运转条件Ｐ的测量数据存储在测量数据存储部分２０２中，利用分析处理部（２０８），将测量数据Ｘｐ作为分别将加权系数Ｗａ、Ｗｂ与测量数据Ｘａ和测量数据Ｘｂ相乘后相加的加权测量数据，由此，求出的加权系数Ｗａ、Ｗｂ。通过分别将加权系数Ｗａ、Ｗｂ与模型Ｋａ和模型Ｋｂ相乘再相加，求根据新的运转条件Ｐ的模型Ｋｐ。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置，特别涉及在处理半导体晶片等被处理体时，监视与处理装置的异常情况检测、装置的状态预测或被处理体的状态预测等的等离子体处理有关的信息的等离子体处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体制造工序中使用各种处理装置。例如，在半导体晶片和玻璃基板等被处理体的成膜工序和蚀刻工序中，广泛使用等离子体处理装置。在等离子体处理装置中，使导入气密的处理室内的处理气体等离子体化，对被处理体(例如半导体晶片)的表面进行等离子体处理。因此，当反复进行等离子体处理时，产生由等离子体产生的反应生成物，附着在处理室的内壁上，使等离子体状态微妙地变化。由于这种等离子体状态的变化影响蚀刻晶片的处理结果，通常为了进行稳定的处理，必需监视等离子体状态的变化和处理结果。由于这样，要预先制造试验的晶片，定期对试验晶片进行蚀刻处理，根据处理结果(例如，试验晶片的消去量和均匀性等)，时时判断处理装置的状态。然而，根据试验晶片时时判断处理装置的状态，需要制造许多试验晶片。而且，利用处理装置处理许多试验晶片，由于必需测定各个处理的结果，在试验晶片的制造和处理结果的测定中，必需化费多个工序和时间。如特许文献1所述的技术那样，提出了等离子体处理装置的处理监视方法。该方法是在处理前，利用试用晶片，作成与反映等离子体状态的电气信号和等离子体处理特性关联的模型式，将处理实际晶片时得到的电气信号的检测值，代入模型式，预测等离子体处理特性。特许文献1特开平10-125660号公报。但是，在作成使电气信号和等离子体处理特性关联的模型式中，当在不同运转条件(例如不同的蚀刻条件)进行等离子体处理时，若利用相同的模型，则存在不能利用该模型高精度地得到预测结果和进行异常情况的检测。例如，利用运转条件A进行等离子体处理，作成模型A时，当利用运转条件B进行等离子体处理时，利用模型A进行处理结果等的预测结果和等离子体状态等的异常检测时，有时精度降低。这意味着，运转条件不同，最优的模型也不同。因此，对每种运转条件，进行多变量分析，必需修改模型式。利用一种模型式作为其他运转条件的模型式，有时不能提高预测结果和异常情况的检测的精度。在半导体制造中，多品种少批量的流程日益加速，必需对多种运转条件作成上述模型式。然而，如果每当改变运转条件，就要修改模型，则作成模型需要的计算处理负担增大。例如，有必需收集在数周期间的湿循环数据，取得和分析数十次利用从中心条件得出的正交表改变运转条件的数据等的负担。另外，在预测半导体晶片等的处理结果时，为了作成模型，必需在等离子体处理后，取出半导体晶片，测量形状和蚀刻速率等处理结果，取得测量数据。在这种情况下，仍必需在由正交表等决定的数十个条件下，取得传感器数据，和晶片的处理结果。每当改变运转条件，就要修改模型，这样的测定的负担增大。另外，上述的问题，不是只限于预测等离子体处理特性时，利用电气信号的情况，在利用由等离子体的发光、等离子体中的自由基的吸收发光、基于四重极质量分析法或FT-IR(红外分光分析)的处理室内的排出气体成分的分析、基于音响元件的处理室内壁上的聚合物的堆积膜厚的测定数据等情况下，也产生同样的问题。
技术实现思路
本专利技术是考虑这个问题而提出的，其目的是要提供一种可以提高检测等离子体装置异常情况，预测该装置的状态或被处理体的状态等的精度，同时可以减轻作成模型时的负担(例如取得数十个晶片处理结果的数据的负担，和分析长期的处理结果等的负担)的等离子体处理方法和等离子体处理装置。为了解决上述问题，根据本专利技术的一个观点，提供一种等离子体处理方法，在设定处理装置的运转条件，在所述处理装置具有的气密的处理容器内产生等离子体，对被处理体进行等离子体处理时，根据设在所述处理装置中的测量器测量的测量数据，进行多变量分析，作成模型，再根据该模型监视与等离子体处理有关的信息，或对应于与基于该模型的等离子体处理有关的信息的变化，改变等离子体处理的运转条件，其特征为，它具有下列工序当设定第一运转条件进行等离子体处理时，通过所述测量器取得第一测量数据的工序；根据所述第一测量数据，通过多变量分析作成第一模型的工序；当设定第二运转条件进行等离子体处理时，通过所述测量器取得第二测量数据的工序；根据所述第二测量数据，通过多变量分析，作成第二模型的工序；当设定第三运转条件进行等离子体处理时，通过所述测量器取得第三测量数据的工序；将所述第三测量数据作为分别将加权系数与所述第一测量数据和所述第二测量数据相乘后再将它们进行相加的加权测量数据，由此求所述加权系数的工序；和通过分别将所述加权系数与所述第一模型和所述第二模型相乘，再将它们相加，求基于第三运转条件的第三模型的工序。为了解决上述问题，根据本专利技术的另一个观点，提供一种等离子体处理装置，在设定运转条件，在气密的处理容器内产生等离子体，对被处理体进行等离子体处理时，根据测量器测量的测量数据，进行多变量分析，作成模型，再根据该模型监视与等离子体处理有关的信息，或对应于与基于该模型的等离子体处理有关的信息的变化，改变等离子体处理的运转条件，其特征为，它具有下列装置当设定第一运转条件进行等离子体处理时，存储基于所述测量器的第一测量数据的装置；存储根据所述第一测量数据，通过多变量分析作成的第一模型的装置； 当设定第二运转条件进行等离子体处理时，存储基于所述测量器的第二测量数据的装置；存储根据所述第二测量数据，通过多变量分析作成的第二模型的装置；当设定第三运转条件进行等离子体处理时，存储基于所述测量器的第三测量数据的装置；将所述第三测量数据作为分别将加权系数与所述第一测量数据和所述第二测量数据相乘后再将它们进行相加的加权测量数据，由此求所述加权系数的装置；和通过分别将所述加权系数与所述第一模型和所述第二模型相乘，再将它们相加，求基于第三运转条件的第三模型的装置。根据本专利技术，将新的第三运转条件下的第三测定数据作为分别将加权系数与第一测定数据和第二测定数据相乘再将它们相加的加权测量数据来表现，采用取得的第一～第三测定数据，可以算出加权系数。这样，不需要进行多变量分析，可以通过分别将相同的加权系数与第一模型和第二模型相乘后再它们相加，简单地求出新的第三运转条件下的模型。例如，以第一运转条件为基准，预先准备改变第一运转条件的参数中的一个的第二运转条件的各个测定数据和各个模型，可以简单地算出新的第三运转条件下的模型。这样，可提高根据该模型进行的等离子体处理装置的异常情况检测、等离子体处理装置的状态预测或被处理体的状态预测等的精度，同时，可以减轻作成模型时的负担。例如，可以减轻作成模型时取得数据的负担，和分析处理结果等的负担。为了解决上述问题，根据本专利技术的另一个观点，提供一种等离子体处理方法，在设定处理装置的运转条件，在所述处理装置具有的气密的处理容器内产生等离子体，对被处理体进行等离子体处理时，根据设在所述处理装置中的测量器测量的测量数据，进行多变量分析，作成模型，再根据该模型监视与等离子体处理有关的信息，或对应于与基于该模型的等离子体处理有关的信息的变化，改变等离子体处理的运转条件，其特征为，它具有下列工序设定不同的多个运转条件并进行等离子体处理，通过各种运转条件下的等离子体处理，从所述测本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体处理方法，在设定处理装置的运转条件，在所述处理装置具有的气密的处理容器内产生等离子体，对被处理体进行等离子体处理时，根据设在所述处理装置中的测量器测量的测量数据，进行多变量分析，作成模型，再根据该模型监视与等离子体处理有关的信息，或对应于与基于该模型的等离子体处理有关的信息的变化，改变等离子体处理的运转条件，其特征为，它具有下列工序： 当设定第一运转条件进行等离子体处理时，通过所述测量器取得第一测量数据的工序； 根据所述第一测量数据，通过多变量分析作成第一模型的工序； 当设定第二运转条件进行等离子体处理时，通过所述测量器取得第二测量数据的工序； 根据所述第二测量数据，通过多变量分析，作成第二模型的工序； 当设定第三运转条件进行等离子体处理时，通过所述测量器取得第三测量数据的工序； 将所述第三测量数据作为分别将加权系数与所述第一测量数据和所述第二测量数据相乘后再将它们进行相加的加权测量数据，由此求所述加权系数的工序；和 通过分别将所述加权系数与所述第一模型和所述第二模型相乘，再将它们相加，求基于第三运转条件的第三模型的工序。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：友安昌幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。