本发明提供一种检查方法，该方法即使在电极垫精细化的情况下，也能够通过利用形成在电极垫上的针迹使被检查体的电极垫与探针高精度地反复接触，进行可靠性高的检查。本发明的检查方法构成为，在检查装置（１０）中，在控制装置（１５）的控制下，使用形成...

本发明可提供一种容易将载置台的上表面加工为平滑的形状，还可防止基板周缘部温度发生下降的等离子体处理装置。一种等离子体处理装置，其通过使供给到处理容器内的处理气体等离子化，在处理容器内对基板进行处理，其中，在处理容器内，设有其上表面载置有...

本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对...

本发明提供一种热处理炉。该热处理炉包括：围绕用于收纳被处理体（ｗ）并对其进行热处理的处理容器（３）的筒状的隔热部件（４）；以螺旋状设置于隔热部件（４）的内周面上的电阻发热体（５）；和设置于隔热部件（４）的内周面上，并以使得电阻发热体（５...

本发明提供一种包括半导体处理装置和对所述半导体处理装置供给处理气体的气体供给装置的半导体处理系统，其包括控制用于调整汽化室内的压力的压力调整机构的动作的控制部。控制部按照以下方式预先设定，即根据压力检测部的压力检测值将汽化室内的压力收敛...

本发明提供一种基板处理装置用的部件和皮膜形成方法，能够可 靠地防止因防蚀铝皮膜的破损而引起的颗粒的产生。作为对晶片(W) 实施等离子体处理的基板处理装置(10)的部件的冷却板(36)包括： 以在铝中含有硅的合金为主要成分的铝基材(56)...

本发明提供一种半导体处理的成膜方法和装置。其在能够有选择性地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体的处理区域内，进行在被处理基板上形成氮化硅膜的成膜处理。成膜处理由主阶段和辅助阶段构成，辅助阶段设定在成膜处理的初期...

本发明提供一种真空装置和基板处理装置，该真空装置能够抑制保养维修费的增加，其具备：能够使被处理基板（Ｇ）处于真空状态下，气密地构成的容器主体（５０）；设置在容器主体（５０），使被处理基板（Ｇ）出入的开口部（５１）；对开口部（５１）进行开...

本发明提供使在基板输送路径中向一个方向输送的基板暂时退避的基板缓冲单元，其能够高效率地进行缓冲空间的空气清洗，且能降低成本。该基板缓冲单元包括：箱状的架部（２），设置在基板输送路径上，具有载置基板的载置部（６），且能够将基板移动到脱离上...

本发明提供等离子蚀刻方法、等离子蚀刻装置及计算机存储介质。该等离子蚀刻方法能够在抑制ＡｒＦ光致抗蚀剂的损伤（表面粗糙）的同时、以较高的蚀刻速率及充分的选择比对含有硅的防反射膜（Ｓｉ－ＡＲＣ）进行等离子蚀刻。该等离子蚀刻方法将形成于基板上...

本发明提供一种静电卡盘装置的修补方法、该修补方法所使用的修补装置和适用于它们的静电卡盘装置，该静电卡盘的修补方法在静电卡盘装置的粘合剂层的侧面被侵蚀时，能够均匀地修补该侵蚀部分。一种静电卡盘装置的修补方法，其为在金属底座上至少具有粘合剂...

本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置，其能够应对被处理基板的大型化。该等离子体处理装置包括：收容被处理基板，实施等离子体处理的处理室（４）；在处理室（４）内载置被处理基板Ｇ的载置台（２３）；向处理室（４）内供给处理气体的处理气体供给系...

本发明提供基板输送装置及基板处理系统。在输送基板时，能抑制在基板上附着微粒，能提高由基板处理系统制造出的产品的成品率。基板输送装置具有：在内部收容基板且在侧面形成有基板的输入输出口（９８）的基板收容容器（９１）；朝向基板收容容器内（９１...

本发明的贯通基板包括：具有贯通孔（１９）的硅基板（１０），所述贯通孔（１９）贯通基板的表面（１１）和背面（１２）；沿着贯通孔（１９）的内壁面而设置的氧化硅膜（１３）；形成在氧化硅膜（１３）的内壁面上的Ｚｎ和Ｃｕ的层（１４）、（１５）；以...

拉出小镊子（４３）从盒（Ｃ）取出基板（Ｇ），一拉出小镊子（４３），在取出基板（Ｇ）之前，位置（Ｐ）上的传感器（９）就描绘轨迹（Ｔ），移动通过基板（Ｇ）的一边（Ｇａ）。因此，被保持的基板（Ｇ）的关于与小镊子（４３）的进退方向正交的方向（Ｙ...

用于形成多层布线基板的布线基板部件包括：具有孔部（１１ａ）的绝缘层（１１）；以及与该绝缘膜接合的、作为导体层的金属层（１２）。金属层（１２）具有：填充绝缘层孔部的通道部分（１２ｂ）、与该通道部分一体连接的凸部（１２ａ）以及布线部（１２ｃ...

本发明提供一种设置在基板处理装置的处理容器内的基板载放机构，其特征在于包括：载放台，具有将基板载放在其上面的基体、用于对载放在该基体上的基板进行加热的发热体、和给该发热体供电用的供电端子部；固定在所述处理容器的底座上且支承所述载放台的中...

一种用于支撑基底的基底支持器，包括外支撑表面，冷却部件，位置与支撑表面相邻并且在支撑表面和冷却部件之间的加热部件，以及位于加热部件和冷却部件之间，并且由第一内表面和第二内表面形成的接触容积。当给接触容积提供流体的时候，加热部件和冷却部件...

一种用于支撑衬底（３０）的衬底保持器（２０）。加热部件（５０）与支撑表面相邻定位，并定位在支撑表面和冷却部件（６０）之间。流体间隙定位在冷却部件和加热部件之间，流体间隙构造为接收流体以增大冷却部件和加热部件之间的热传导率。钎焊材料布置在...

本发明在两频率叠加施加方式中实现匹配电路的小型化及低造价。在该等离子体蚀刻装置中，上部电极（１８）通过腔室（１０）连接到接地电位（接地），第一高频电源（４０）（例如１３．５６ＭＨｚ）及第二高频电源（４２）（例如３．２ＭＨｚ）分别通过第一...