本发明提供一种不会因异常放电产生问题，并且能够解决因附着在电极上的反应生成物而引起的问题的平行平板型等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置（１）包括：收容基板（Ｇ）的处理腔室（２）；在处理腔室（２）内相对设置的下部电极（...

一种电感耦合等离子体处理装置，具备 容纳被处理基板并实施等离子体处理的处理室； 在所述处理室内载置被处理基板的基板载置台； 向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统； 对所述处理室内进行排气的排气系统； ...

在处理容器（２２）的内部，设有装载台（２４），用来装载半导体晶片（Ｗ）。微波发生器（７６）产生微波，通过平面天线部件（６６）导入到处理容器（２２）内。平面天线部件（６６）具有沿若干圆周排列的若干贯通孔（８４），所述若干圆是非同心圆。平面...

一种使用等离子体对被处理基板实施等离子体处理的装置，其特征在于：具备 容纳所述被处理基板的气密处理室； 向所述处理室内提供处理气体的气体提供系统； 将所述处理室内排气且将所述处理室内设定为真空的排气系统； 在所述...

一种等离子体处理装置，它是对介电性被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置，其特征为，具有： 直接载置被处理基板的电极； 将所述电极上的被处理基板的周缘向所述电极方向推压的推压机构； 在被处理基板附近供给处理气体的...

本发明涉及等离子体处理装置以及等离子体处理方法。如果终点检测器１７（ＥＰＤ）检测出终点（ｔ５），则断开从高频电源１２来的ＲＦ功率（底部ＲＦ）的同时（ｔ５），停止向晶片Ｗ背面供给Ｈｅ气１４（ｔ５），蚀刻不进行，而且，在可能维持等离子体的范...

一种等离子体装置，具有：带有开口部分的容器（１１），由此容器的开口部分的外周的端面所支撑的、并堵塞开口部分的电介质部件（１３），通过此电介质部件（１３）向容器（１１）内部供给电磁场的电磁场供给装置，以及覆盖电介质部件（１３）的外周、屏蔽...

通过等离子体处理装置中的导波管（２６）向处理室中导入微波，产生等离子体。通过反射监测器（４０）和功率监测器（４２）监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外，通过入射监测器（３６）和频率监测器（４８）监测由磁控管（２４）产生...

在微波等离子体处理装置（１０）中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯（３０），以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间（２６）内的透过窗（３２）。透过窗（３２）...

一种等离子体处理方法，在利用等离子体处理装置对处理室内的被处理体进行等离子体处理时，解析从等离子体发出的光，根据其解析结果，监视等离子体处理装置的运转状态和／或被处理体的处理状态，其特征在于：具有：　　　　在对所述被处理体进行等离子体处...

在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均...

本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，包括施加第一高频电力的上部电极（１２）、施加第二高频电力的下部电极（１３）和调节该两电极（１２、１３）的间隔的升降机构（１４），在使用在上部电极（１２）上施加第一高频电力进行等离子体点火的等离...

一种等离子体处理装置，其具有：处理容器，由外壁围成，具有支承被处理衬底的支承台；排气系统，与所述处理容器相结合；微波透过窗，作为所述外壁的一部分设置在所述处理容器上面，并与所述支承台上的被处理衬底相对；等离子体气体供给部分，向所述处理容...

一种等离子体装置，包括将通过馈电部供给的高频电磁场（Ｆ）供给到处理容器（１１）内的缝隙天线（３０），所述馈电部具有谐振腔（３５），所述谐振腔构成谐振器，同时将馈电的高频电磁场（Ｆ）变换成旋转电磁场并供给所述缝隙天线（３０）。

本发明的等离子体处理装置包括：处理容器，其内部可减压；第１电极，配置在所述处理容器内；处理气体供给部件，用于将处理气体供给到所述处理容器内；高频电源部，输出具有ＶＨＦ带频率的高频电力；匹配器与所述高频电源部和所述第１电极电连接，获得阻抗...

本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部５４中具备矢量式的网络分析器６８。由该网络分析器６８测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且...

本发明公开了一种电磁场供给装置及等离子体处理装置，其中，该电磁场供给装置包括：波导（２１），由具有多个缝隙（２６）的第一导体板（２３）和与其相对配置的第二导体板（２２）构成；圆筒波导管（１３），与第二导体板（２２）的开口（２５）连接；以...

本发明提供了一种等离子体处理装置，可通过使匹配电路小型化而在密封盖部上一体化装载微波发生源等。等离子体处理装置，其特征在于，包括：可抽为真空的处理容器（４２）；载放台（４４），设置在上述处理容器内，载放被处理体；微波透过板（７０），设置...

提供一种高频电源，它能够通过高精度地除掉等离子体生成时产生的高次谐波成分或调制波成分而防止误动作，同时，对等离子体处理装置施加适当的高频功率。高频电源包括由方向性结合器２１、混频器２２、１００ｋＨｚ的低通滤波器２３、低频检波器２４、和振...

本发明提供通过使用高电介质材料可提高波导管耐热性的等离子体处理装置，该等离子体处理装置的特征为配备以下部件，即可真空抽气的处理容器（４４），和在所述处理容器内设置的，载置被处理体（Ｗ）的载置台（４６），和在所述处理容器顶板开口部设置的微...