等离子体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种等离子体装置，具有：带有开口部分的容器（１１），由此容器的开口部分的外周的端面所支撑的、并堵塞开口部分的电介质部件（１３），通过此电介质部件（１３）向容器（１１）内部供给电磁场的电磁场供给装置，以及覆盖电介质部件（１３）的外周、屏蔽电磁场的屏蔽材料（１２）。其中，从容器（１１）端面上的容器（１１）的内表面到屏蔽材料（１２）的内表面的距离Ｌ＃－［１］大约是由容器（１１）的端面、电磁场供给装置和屏蔽材料（１２）所围起来的区域（１８）内的电磁场的波长的Ｎ／２倍（Ｎ是零以上的整数）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过向容器内供给电磁场而生成等离子体的。
技术介绍
在半导体装置或平面显示器的制造中，为了进行氧化膜的形成或半导体层的结晶成长、蚀刻、还有灰化等处理，经常要用到等离子体装置。在这些等离子体装置中，有一种使用天线向容器内供给高频电磁场、通过该电磁场而产生高密度等离子体的高频等离子体装置。因为这种高频等离子体装置即使等离子体气体的压力比较低也能够稳定地生成等离子体，所以具有用途广泛的特点。图8所示的是现有技术的高频等离子体装置的一个结构的例子图。在此图中示出了部分结构的纵剖面结构。此外，图9A、9B所示的是将图8中用虚线围起来的部分IX进行放大的剖面图。如图8所示，此等离子体装置具有上部开口、底部有底的圆筒形处理容器511。在此处理容器511的底部上固定有装载台522，在此装载台522的上面配置有衬底521。在处理容器511的侧壁设置有用于供给气体的喷嘴517，在处理容器511的底部设置有用于真空排气的排气口516。在处理容器511的上部开口处设置有电介质板513，在处理容器511的侧壁上面和电介质板513的下面周边部分的结合处，通过作为密封部件的O形环514，使结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体装置，具有：　　　　带有开口部分的容器（１１）；　　　　电介质部件（１３），由该容器的开口部分外周的端面支撑并堵塞所述开口部分；　　　　　电磁场供给装置，通过该电介质部件从所述开口部分向所述容器内部供给电磁场；以及　　　　屏蔽材料（１２），至少在所述容器的端面和所述电磁场供给装置之间设置、覆盖所述电介质部件的外周并屏蔽所述电磁场，　　　　其特征在于，从所述容器端面上的所述容器内表面到所述屏蔽材料的内表面之间的距离，大约是由所述容器的端面、所述电磁场供给装置和所述屏蔽材料所围起来的区域内的所述电磁场的波长的Ｎ／２倍（Ｎ是０以上的整数）。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井信雄，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]