微波等离子体处理装置及等离子体处理控制方法制造方法及图纸

通过等离子体处理装置中的导波管（２６）向处理室中导入微波，产生等离子体。通过反射监测器（４０）和功率监测器（４２）监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外，通过入射监测器（３６）和频率监测器（４８）监测由磁控管（２４）产生的微波的频率。根据监测的反射波功率和频率控制供给到磁控管的功率。通过这种方法来控制等离子体密度使其恒定。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及等离子体处理装置，特别是涉及通过由微波激发的等离子体进行等离子体处理的微波等离子体处理装置。
技术介绍
近年来，在等离子体处理装置中，微波等离子体处理装置受人关注。微波等离子体装置与平行平板型等离子体处理装置、ECR等离子体处理装置那样的等离子体处理装置相比，等离子体电位低，因此能够产生具有低电子温度和低离子辐射能的等离子体。所以，若使用微波等离子体处理装置，可防止对实施等离子体处理的基片的金属污染或由离子辐射产生的损伤。此外，由于等离子体激发空间可从处理空间分离，因此可以不依赖在基片材料或基片上形成的图案来实施等离子体处理。微波等离子体处理装置具有用于将由磁控管产生的如2.45GHz的微波导入处理室的缝隙天线(电极)。由磁控管产生的微波通过导波管和同轴管被供给到缝隙天线(电极)，再由缝隙天线导入处理室内。微波的一部分在从同轴管向缝隙天线入射时在连接部分被反射而回到导波管。此外，若在缝隙天线的正下方产生等离子体，则微波被等离子体反射，通过同轴管回到导波管。因此，在导波管的途中设置匹配器(调谐器)，使被反射回来的微波再次回到缝隙天线。在磁控管和匹配器之间设置用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微波等离子体处理装置，通过由微波产生的等离子体进行等离子体处理，其特征在于，具有：　　　　微波发生器，用于产生微波；　　　　处理室，容纳被处理物，用于实施等离子体处理；　　　　导波管，将所述微波发生器产生的微波导入所述处理室；以及　　　　反射波监测装置，监测被在所述处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大见忠弘，平山昌树，须川成利，后藤哲也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，大见忠弘，
类型：发明
国别省市：JP[日本]