本发明提供一种等离子体发生用电极。在与基板相对设置的、由金属基底和导体板构成的等离子体生成用电极中，没有导体板损坏的危险，确保金属基底和导体板的电导通和热传导在面内均匀性好的接合状态。该电极由如下材料构成：使金属例如硅含浸在由多孔陶瓷形...

本发明提供一种气体供给装置，能以简单配管结构和简单控制在不受压力变动等影响情况下，向处理室内多个部位供给气体，实现希望的面内均匀性，其从流过来自处理气体供给单元（２１０）的处理气体的处理气体供给配管（２０２）分支，包括分别连接在从处理室...

微波等离子体处理装置（１００）包括：使通过槽的微波透过的多个介电体元件（３１）；和位于各介电体元件（３１）下方的气体喷嘴（２７）。介电体元件（３１）和气体喷嘴（２７）由多孔体（多孔质体）和主体（致密质体）形成。第一气体供给部，将氩气从各...

本发明提供一种能够防止在处理室内部件的表面形成氧化膜的基板处理室的洗净方法。在上部电极板（３８）的表面附着有反应生成物的等离子体处理装置（１０）中，将晶片（Ｗ）从基板处理室（１１）搬出后，向处理空间（Ｓ）导入氧气，将处理空间（Ｓ）的压力...

本发明的目的在于，在以抗蚀剂作为掩模进行硅蚀刻时，确保蚀刻速率的面内均匀性，同时控制蚀刻形状。在喷头（２０）的下面（２０ｂ）上设置有多个气体喷出孔（２２），在这些气体喷出孔（２２）的周围，朝向相对配置的支撑工作台（２）突出设置有环状凸部...

本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够根据处理条件等的变化，容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。是一种利用微波在所述腔室内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对被处理体进行等离子体处理的微波等离子体处理装置（１００），在由覆盖微波透...

本发明提供尽管处理容器大型化或高频电源的进一步高频率化但等离子体的面内均匀性高，温度控制容易的等离子体处理装置。在等离子体处理装置的处理容器（２）和由以覆盖该处理容器（２）的壁部的方式设置的导电体构成的内壁板（６）之间连接有阻抗调整部（...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够遍及从中心部到周缘部的宽广范围进一步减小电极表面的电场分布不均匀，能够生成极高均匀性的等离子体，其中，上部电极（３００）包括：电极板（３１０），与构成下部电极的基座（１１６）相对；电极支撑体（３２０）...

本发明提供一种不局限于高频电力、能够直接在基板或形成在基板上的膜上面内均匀性良好地进行沟槽蚀刻的等离子体蚀刻方法。用于在基板或形成在基板上的层间绝缘膜等的膜上形成沟槽，将需要形成沟槽的基板配置在上下相对设置有第一电极和第二电极的处理容器...

本发明的目的是在对半导体晶片等被处理基板进行等离子体处理时，进一步减少周边部下面的沉积物的产生。当使被处理基板（Ｗ）载置在配置于处理腔室（１０）内的载置台（１１）上，通过施加高频电压，使处理腔室（１０）内产生等离子体，对被处理基板（Ｗ）...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够防止在接地电极的表面形成堆积膜。本发明的等离子体处理装置，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室，对所述处理空间施加高频电力的高频电极，对所述处理空间施加直流电压的直流电极，以及在所述...

一种等离子体处理装置，使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙，并在配置在处理室的上面的介电体中传播，利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量，使供给至处理室内的规定气体等离子体化，对基板实施等离子体处理。矩形波导管的上面部件由具有导...

本发明公开了一种能够去除接地电极上的绝缘膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：含有处理空间的基板处理室，在该处理空间中，基板被进行等离子体处理；将射频电力施加到处理空间中的ＲＦ电极；将ＤＣ电压施加到处理空间中的ＤＣ电极；以及暴露...

本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板（Ｗ）载置在下部电极的基座（１６）上，并由高频电源（３０）施加等离子体生成用的...

本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座（１６）载置被处理基板（Ｗ），...

本发明涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法。根据本发明，在双频重叠施加方式的电容结合型中，充分地防止和控制在另外一方的相对电极上形成的不期望的膜，同时任意地控制等离子体的密度的空间的分布特性。在下部电极的基座（１６）上载置被处理基板（...

本发明提供在处理容器内使与等离子体接触的面平坦化的微波等离子体处理装置（１００）：具备处理室（Ｕ）、在处理室（Ｕ）内透过微波的多个电介质零件（３１）、支撑电介质零件（３１）的梁（２７）、从处理室（Ｕ）的外部将梁（２７）固定在处理容器上的...

本发明提供一种微波等离子体处理装置（１００），使通过多个缝隙（３７）的微波透过由梁（２６）所支撑的多枚电介质零件（３１），利用透过的微波使气体等离子体化，对基板Ｇ进行等离子体处理。支撑电介质零件（３１）的梁（２６）向着基板侧突出设置并使...

本发明提供一种在对基板进行等离子体处理时，在与载置台本体的升降销的插通孔对应的位置难以产生处理不均匀的基板载置台。在等离子体处理中载置基板（Ｇ）的基板载置台（４）包括：载置台本体（４ａ）；和铅垂地插通载置台本体（４ａ），用其前端支撑基板...

从微波发生装置（３９）经由匹配电路（３８）将脉冲状的微波导入波导管（３７），经由内导体（４１）供给到平面天线部件（３１），从平面天线部件（３１）经由微波透过板（２８）放射到腔室（１）中的晶片（Ｗ）的上方空间。利用从平面天线部件（３１）经...