等离子体处理装置及其所使用的电极制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，能够遍及从中心部到周缘部的宽广范围进一步减小电极表面的电场分布不均匀，能够生成极高均匀性的等离子体，其中，上部电极（３００）包括：电极板（３１０），与构成下部电极的基座（１１６）相对；电极支撑体（３２０），与电极板的下部电极侧的相反侧的面接合，以及支撑电极板，在电极支撑体的与电极板的接合面上，设置中心部和周缘部的高度不同的形状的空洞部（３３０）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体处理装置及其所使用的电极。
技术介绍
例如，在半导体器件的制造工序中，对于被处理基板例如半导体晶片(下面仅称为“晶片”)，多使用蚀刻或者喷镀(spattering)、CVD(化学气相沉积)等的等离子体处理。作为用于进行这样的等离子体处理的等离子体处理装置，多使用电容耦合型平行平板等离子体处理装置。这种等离子体处理装置，在腔室内配置有一对平行平板电极(上部电极和下部电极)，向处理室内导入处理气体，同时，向至少一个电极施加高频，在电极间形成高频电场，利用该高频电场形成处理气体的等离子体，对晶片进行等离子体处理。但是，近些年来，ULSI的设计规则(design rule)的细微化越来越进步，整体形状的纵横比的要求也更加高。鉴于这样的情况，使得施加的高频电力的频率高于限于技术以上，试图维持良好的等离子体离解状态，且形成高密度等离子体。通过这样，能够在更低压条件下形成合适的等离子体，所以，自然能够合适地对应设计规则的细微化。专利文献1日本特开2001-298015号公报。但是，在上述这样的等离子体处理装置中，上部电极是导电体或者半导体，如果为了形成高密度等离子体而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电极，用作等离子体处理装置的第一电极，该等离子体处理装置在处理室内相对设置有所述第一电极和第二电极，一边向支撑在所述第二电极上的被处理基板之上导入处理气体，一边向所述电极的一个或者两个供给高频电力，生成等离子体，通过这样，对所述被处理基板进行规定的等离子体处理，其特征在于，包括：电极板，与所述第二电极相对；支撑体，与所述电极板的所述第二电极侧的相反侧的面接合，支撑所述电极板；以及电介质部，设置在所述支撑体的与所述电极板的接合面上，形成为中心部和周缘部的高度不同的形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：舆石公，铃木隆司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]