电极同时响应于多频的等离子体处理器制造技术

在加工工件的真空室内，等离子体以等离子体约束容积为界，包括同时响应于第一和第二ＲＦ频率功率的第一电极与ＤＣ接地第二电极之间的区域。ＤＣ接地延伸部分基本上直线对准第一电极。大部分第一频率功率耦合到包括第一与第二电极但不包括延伸部分的通路，大部分第二频率功率耦合到包括第一电极和延伸部分但不包括第二电极的通路。改变加到第一电极的第一与第二频率的相对功率，可控制第一电极的ＤＣ偏压。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及电极响应于多个频率的等离子体处理器。本专利技术一特定方面涉及含腔室的处理器，腔室结构使多个频率的功率通过以一对电极为界的区域具有完全不同的路径，一根电极同时响应于多个频率，另一电极基本上处于参考电位。本专利技术另一个方面涉及一种处理器方法与结构，其中通过相对于与一个频率的功率关联的参数改变与另一频率的功率关联的参数，来控制响应于多频的电极的DC偏压。
技术介绍
真空等离子体处理器用于在工件上淀积与蚀刻材料，工件一般是半导体、介质与金属基片。将一种气体导入放置了工件的真空等离子体处理室，室压力通常为0.1～1000乇。响应于RF电场或电磁场，该气体在激发区内被燃烧成RF等离子体。RF场由电抗性的阻抗元件提供，通常是将RF磁场与电场耦合在气体的电极阵列或线圈。电抗性阻抗元件接第一RF源，后者具有第一较高的RF频率和足够的功率，将气体烧成等离子体。第一RF源与电抗性阻抗元件通常用较长的电缆连接，电缆直接第一RF源。接在电缆与电抗阻抗元件之间的第一谐振匹配网络一般包含一对可变电抗，后者被调成使第一RF源的阻抗匹配于正在驱动的负载。气体一般通过室顶部引入室，从室底部排出。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种操作带第一电极的等离子体处理器的方法，其特征在于，包括步骤：向第一电极同时提供第一与第二频率的功率，响应于在第一与第二频率下供给电极的功率与第一电极附近等离子体之间的互作用而在第一电极上建立一ＤＣ偏压，并通过相对于与一所述频率的功率关联的参数改变与另一所述频率的功率关联的参数，控制ＤＣ偏压值。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：V瓦荷迪，P罗文哈德特，B艾林伯，A库西，A菲谢尔，
申请(专利权)人：拉姆研究有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]