具有响应多个ＲＦ频率的等离子体处理器制造技术

一种处理工件的等离子体处理器包括具有频率２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ和６０ＭＨｚ的源，它们由三个匹配网络施加于包含工件的真空腔中的电极。可选择地由第四匹配网络将６０ＭＨｚ施加于第二电极。基本上调谐到驱动其的源的频率的匹配网络包括串联电感，所以２ＭＨｚ电感超过２７ＭＨｚ网络电感，且２７ＭＨｚ网络电感超过６０ＭＨｚ网络电感。匹配网络将驱动其的源的频率衰减至少２６ＤＢ。在２７和６０ＭＨｚ源之间的分流电感器将２ＭＨｚ从２７和６０ＭＨｚ源分隔开。串联共振电路（共振于约５ＭＨｚ）分流２ＭＨｚ网络和电极以帮助２ＭＨｚ源匹配于电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及在等离子体处理腔中用等离子体处理工件的装置，尤其涉及具有 相连的单个电极、以响应于若干(即三个以上，但并不是很多)频率上电能的处理器。
技术介绍
众所周知，将两个不同频率的等离子体激励场施加到真空腔区域用于等离子体处 理工件，其中将该区域耦合于气体则该场转变成处理等离子体。工件通常是半导体晶片、 或电介质板，且等离子体涉及在工件上形成集成电路结构元件。高频RF功率(具有超过 约10MHz的频率)通常控制等离子体的密度，即等离子体通量，同时具有低频至中频(在 100kHz至约10MHz的范围内)的RF功率通常控制等离子体中离子的能量并入射到工件上。 这些处理器中的受激等离子体通常对工件进行干蚀刻，但是在一些情形中导致材料沉积在 工件上。通常AC等离子体激励场由腔内的一对分隔电极、或者腔内的一个电极和位于腔外 的线圈提供给该区域。(应该理解，在与真空等离子体处理腔相联系的本说明书中使用时， 术语“电抗”是指用于向腔中的等离子体提供AC等离子体激励场的电极或线圈。)2002年6月27日提交的Vahedi等人的序列号为10/180，978的共同授让、共同待 批申请公开了一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理工件的真空等离子体处理器，包括：包含电极的真空等离子体处理腔，所述腔与电抗相关联，所述电极和所述电抗被配置成将等离子体激励场耦合于所述腔中的气体，所述腔被配置成承载所述工件，Ｎ个射频电功率源，其中Ｎ是至少为３的整数，各个所述源被配置成产生不同的射频，从而源ｉ被配置成产生射频Ｆｉ，其中ｉ是连续地从１至Ｎ的各个整数，频率Ｆ１是最低频率，频率ＦＮ是最高频率，且所述频率从Ｆ１至ＦＮ依次增大，以及将来自Ｎ个射频电功率源的在Ｎ个频率上的电功率提供给所述电极和所述电抗的电路，所述Ｎ个频率，在所述Ｎ个频率的每个的功率、所述电极、所述电抗、和所述电路被配置成：（ａ）使等离子体激励至所述Ｎ个频率的每一...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：R季米萨，F科扎克维奇，D特拉塞尔，
申请(专利权)人：拉姆研究有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]