控制等离子体激励功率的等离子体处理方法和装置制造方法及图纸

提供到真空等离子体处理腔内的等离子体的ＲＦ功率量响应存储于计算机存储器中的信号以预编程为基础逐渐改变。计算机存储器存储信号从而在产生逐渐变化时其它处理腔参数（压强、气体种类和气流速率）保持恒定。所存储的信号使得蚀刻出倒圆的边角而非锐利的边缘，例如沟槽壁和底部的相交部。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及用于处理工件支架上工件的真空等离子体处理器，且尤其涉及以预编程为基础逐渐改变由AC等离子体激励源提供到真空处理器腔内等离子体的功率。
技术介绍
用于处理工件(即，在工件上蚀刻材料或在其上沉积材料)的真空处理器通常包括第一和第二端口，它们分别连接到真空泵和一个或多个气体源。在腔内通过包括响应第一AC源的电抗的电源将气体激励成等离子体，其中第一AC源通常是RF或微波源。第一匹配网络通常连接在用于激励等离子体的第一AC源和电抗之间。如果源是RF源，则电抗或者是用于通过绝缘窗口将磁场和电场提供到腔内部的线圈或者是用于将电场提供到腔内部的平行板电容结构。通常是半导体片或电介质层或金属板的工件被夹持于工件支架上的位置内，该工件支架，即夹盘，通常包括由绝缘体覆盖的电极。通常将DC电压施加到电极来提供静电夹持力来将工件固定在支架上的原处。通常通过将诸如氦的冷冻剂施加到夹盘上的凹处和通过施加液体到夹盘内的管道来冷却工件。为了将等离子体内的离子加速到工件，第二AC源经由匹配网络连接到电极。每个匹配网络包括一对可变电抗，它们的值由通常是步进式马达的马达改变。当耦合到激励电抗且当耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在真空等离子体处理器腔中对工件进行处理的方法，其特征在于，将一种气体转变成ＡＣ等离子体，在对工件进行处理时使所述真空腔在不同压力下工作，在对工件进行处理时使所述一种气体以不同的流速流入所述腔内，它包括，在对工件进行处理期间，根据预编程逐渐改变提供到所述等离子体的ＡＣ功率量。

【技术特征摘要】
US 2001-3-30 09/821,7531.一种在真空等离子体处理器腔中对工件进行处理的方法，其特征在于，将一种气体转变成AC等离子体，在对工件进行处理时使所述真空腔在不同压力下工作，在对工件进行处理时使所述一种气体以不同的流速流入所述腔内，它包括，在对工件进行处理期间，根据预编程逐渐改变提供到所述等离子体的AC功率量。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，产生逐渐的功率变化，同时不改变(a)所述种类，(b)所述压强或(c)所述流速。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，由将AC电场耦合到腔内等离子体的电极提供AC功率。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电极响应将RF偏压提供到电极的AC功率源，所述电极位于工件的支架上。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，电极响应将RF等离子体激励电压提供到电极的AC功率源，所述电极响应RF电压将RF电场提供到所述等离子体来将气体激励成等离子体。6.如权利要求1-3所述的方法，其特征在于，由将RF等离子体激励电磁场耦合到所述腔的线圈提供所述AC功率。7.如权利要求1-6所述的方法，其特征在于，响应所述逐渐的功率变化产生被处理的工件中材料形状的逐渐过渡。8.如权利要求1-7所述的方法，其特征在于，所述种类被电离成蚀刻材料的等离子体，逐渐的功率变化和种类使得将所述材料定形来响应逐渐的功率变化导致的电离等离子体蚀刻剂变化从而具有倒圆的边角。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述蚀刻形成包括倒圆边角的沟槽壁，其中响应由逐渐的功率变化导致的电离等离子体蚀刻剂变化而产生所述蚀刻。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述倒圆边角位于沟槽壁和底部的相交部。11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述倒圆边角位于壁和与壁相交的表面的相交部，所述表面延伸通常与所述壁成直角。12.如权利要求1-11所述的方法，其特征在于，所述逐渐的变化包括具有不超过...

【专利技术属性】
技术研发人员：T尼，F林，CH黄，W江，
申请(专利权)人：拉姆研究有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]