【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光装置及其制造方法。
技术介绍
长期以来一直需求能在兰光区产生短波放射的高亮度发光装置，这种发光装置近来已应用AlGaInN基材料实现。通过将这种装置与红和绿高亮度发光装置相组合，在将它应用于全色发光设备或显示设备方面也取得迅速进展。然而，应用AlGaInN基材料必然提高了成本，因为该材料含有主要元素Ga与In，二者均为相对稀有的金属。该材料的其它主要问题之一是其生长温度高达700～1000℃，生产时要耗用相当大的能量，这不仅在降低成本方面不可取，而且也不希望违背正在流行的节能和抑制全球变暖的潮流。日本待公开专利公报No.2001-44500提出了一种在兰宝石衬底上以异质外延法生长有更廉价的ZnO基化合物半导体层的发光装置。日本待公开专利公报No.11-168262揭示的一种二维阵列平面发光装置，应用了含Zn与Mg氧化物或其合金的发光层部分。此外，通常用于海底光缆的转发器的InAlAsP/ImGaAsP化合物半导体激光器，为实现高输出和高耐用性，要极严格地调节其晶体缺陷密度等指标。在所有这些装置中，构成发光层部分的半导体层，都用溅射、分子束处理...
【技术保护点】
一种发光层部分包括ｐ型Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ（０≤ｘ≤１）层的发光装置的制造方法，其特征在于，ｐ型Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ层在向反应容器提供金属有机物气体、氧分量源气体与ｐ型掺杂物气体时运用金属有机物气相外延工艺生长，并在其生长期间和／或生长结束后在含氧气氛中退火。
【技术特征摘要】
JP 2001-4-27 2001-131328;JP 2001-7-31 2001-232608;1.一种发光层部分包括p型MgxZn1-xO(0≤x≤1)层的发光装置的制造方法，其特征在于，p型MgxZn1-xO层在向反应容器提供金属有机物气体、氧分量源气体与p型掺杂物气体时运用金属有机物气相外延工艺生长，并在其生长期间和/或生长结束后在含氧气氛中退火。2.一种发光层部分配置成依次堆迭n型包层、有源层和由p型MgxZn1-xO(0≤x≤1)层组成的p型包层的发光装置的制造方法，其特征在于包括生长n型包层的n型包层生长步骤；和生长有源层的有源层生长步骤；和p型包层生长步骤，用于在向反应容器提供金属有机物气体、氧分量源气体与p型掺杂物气体时运用金属有机物气相外延工艺生长p型包层，并在其生长期间和/或生长结束后在含氧气氛中对该p型包层退火。3.如权利要求2所述的发光装置制造方法，其中n型包层包括n型MgzZn1-zO(0≤z≤1)层，有源层包括MgyZn1-yO(0≤y＜1，x＞y)层；在n型包括层生长步骤中，通过向反应容器提供金属有机物气体和氧分量源气体，生长n型包层；和有源层生长步骤是一种在向反应容器提供金属有机物气体和氧分量源气体时运用金属有机物气相外延工艺在衬底上生长有源层的步骤，还包括在生长期间和/或生长结束后在含氧气氛中对层退火的步骤。4.如权利要求1～3中任一权利要求所述的发光装置制造方法，其中在中断供给金属有机物气体时作退火。5.如权利要求1～4中任一权利要求所述的发光装置制造方法，其中在退火期间向反应容器引入氧分量源气体而建立含氧气氛。6.如权利要求5所述的发光装置制造方法，其中在连续供给氧分量源气体并间歇中断供给金属有机物气体的同时生长准备退火的层，以把中断供给金属有机物气体的时段用作有效的退火时间。7.如权利要求1～6中任一权利要求所述的发光装置制造方法，其中氧分量源气体以氧化化合物气体形式提供。8.一种发光装置制造方法，其半导体层生长步骤用于通过在内部放置衬底的反应容器中引入源气体，而且让基于源气体化学反应生成的半导体材料淀积在衬底主表面上，以气相方式构成发光层部分，其中在对引入反应容器的源气体照射紫外光时进行半导体层的气相外延。9.如权利要求8所述的发光装置制造方法，其中紫外光源置成与衬底主表面相对，在向主表面照射紫外光时，在衬底与紫外光源之间供给源气体。10.如权利要求9所述的发光装置制造方法，其中反应容器相对衬底主表面的一部分壁部配置成透明壁部，紫外光源置于反应容器外面，来自紫外光源的紫外光通过透明壁部向主表面照射。11.如权利要求10所述的发光装置制造方法，其中在衬底与紫外光源之间供给的源气体的流速经分级，在紫外光源一侧较快，在主表面一侧较慢。12....
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