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制造发光装置的方法制造方法及图纸
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文档序号:3208580
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当采用有机金属汽相生长法生长p型Mg↓[x]Zn↓[1-x]O时,在生长期间和/或完成生长以后,在含氧气氛中对Mg↓[x]Zn↓[1-x]O进行热处理。此外,在汽相生长半导体层时,采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外,当采用原子层...
该专利属于信越半导体株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过信越半导体株式会社授权不得商用。
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