使用高中性密度等离子体植入的共形掺杂制造技术

一种等离子体掺杂设备包括等离子体源，所述等离子体源产生脉冲的等离子体。压板接近等离子体源而支撑基板以供等离子体掺杂。结构吸附薄膜，所述薄膜在被解吸附时提供多个中性。偏压电源产生偏压波形，所述偏压波形具有将等离子体中的离子吸引至基板以供等离子体掺杂的负电位。辐射源照射吸附在结构上的薄膜，藉此解吸附薄膜且产生多个中性，所述多个中性在来自等离子体的离子被吸引至基板时使离子散射，藉此执行共形等离子体掺杂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用高中性密度等离子体植入的共形掺杂 这里用到的本节标题仅是为了一种组织性目的，不应限制于本专利技术所描述的技术方案。
技术介绍
近几十年来，等离子体处理(plasma processing)已广泛用于半导体以及其他工 业中。等离子体处理用于诸如清洗(cleaning)、蚀刻(etching)、研磨(milling)以及沉积 (exposition)的任务。近年来，等离子体处理已用于掺杂。等离子体掺杂有时称作PLAD或 等离子体浸没离子植入(plasmaimmersion ion implantation,PIII)。已对等离子体掺杂 系统(plasma dopingsystem)进行开发，以便满足一些现代电子以及光学装置的掺杂要求。 等离子体掺杂系统与现有射束线离子植入系统在根本上不同，所述现有射束线离 子植入系统用电场来加速离子，且接着根据离子的质荷比(mass-to-charge ratio)对离子 进行过滤，以便选择所要离子以供植入。反之，等离子体掺杂系统将靶材浸没于含有掺杂剂 离子的等离子体中，且用一系列负电压脉冲来偏压靶材。本文中将术语"靶材"定义为正进 行植入的工件，诸如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体掺杂设备，包括：ａ．等离子体源，其产生脉冲等离子体；ｂ．压板，其接近所述等离子体源而支撑基板以供等离子体掺杂；ｃ．结构，其吸附薄膜，所述薄膜在被解吸附时产生多个中性；以及ｄ．偏压电源，其具有电连接至所述压板的输出，所述偏压电源产生偏压波形，所述偏压波形具有负电位，所述负电位将所述等离子体中的离子吸引至所述基板以供等离子体掺杂；以及ｅ．辐射源，其照射吸附在所述结构上的所述薄膜，以便解吸附所述经吸附的薄膜且产生所述多个中性，所述多个中性在来自所述等离子体的所述离子被吸引至所述基板时使所述离子散射，藉此执行共形等离子体掺杂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：史帝文R沃特，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]