等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，包括多个电感耦合型天线(41)，多个电感耦合型天线(41)具有：至少一个基准天线(41a)，与基材(9)的主面(S)的中央部相向地配置；以及多个辅助天线(41b)，与基材(9)的主面(S)的端部相向地配置。高频电力供给部能够对至少一个基准天线(41a)与多个辅助天线(41b)供给不同的高频电力。因此，可在基材(9)的主面(S)的中央部与端部以更为均匀的等离子体密度分布生成等离子体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对基材进行等离子体(plasma)处理的等离子体处理装置。
技术介绍
专利文献1中揭示有一种对基板的主面进行薄膜形成等表面处理的电感耦合方式的装置。该装置是在平面形状为矩形的真空容器的4边的各边上设置多根天线(antenna)，对设置于4边的多根天线并联地供给高频电力。由此，该装置产生等离子体而对大面积的基板进行处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第3751909号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]例如，为了通过等离子体化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)来形成均匀膜厚的薄膜、或者通过等离子体蚀刻(etching)等来进行均匀的等离子体处理，要求使对象物的主面附近的等离子体离子(ion)密度分布变得均匀。但是，在等离子体处理中，腔室(chamber)内的反应工艺(process)成为受到腔室内的压力、工艺气体(processgas)的流量、成分、各天线间的距离、各天线与腔室内的壁面的距离等影响的复杂工艺。因此，在专利文献1的等离子体处理装置中，有难以在对象物的主面附近使等离子体离子密度分布均匀化的问题。本专利技术是为了解决此种问题而完成，其目的在于提供一种能够提高等离子体离子密度分布的均匀性的技术。[解决问题的技术手段]为了解决所述问题，本专利技术的第1形态的等离子体处理装置的特征在于包括：真空腔室，在内部形成处理空间；保持部，在所述处理空间内保持成为处理对象的基材；多个电感耦合型天线，在所述处理空间内，与由所述保持部所保持的所述基材的主面相向地配置；高频电力供给部，对所述多个电感耦合型天线分别供给高频电力；以及气体供给部，对所述处理空间供给气体，所述多个电感耦合型天线具有：至少一个基准天线，与所述主面的中央部相向地配置；以及多个辅助天线，与所述主面的端部相向地配置，所述高频电力供给部能够对所述至少一个基准天线与所述多个辅助天线供给不同的高频电力。本专利技术的第2形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第1形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述中央部位于所述主面上的二维的中央，所述端部位于所述中央部的周围。本专利技术的第3形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第1形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述中央部位于所述主面上的一维的中央，所述端部位于所述中央部的两侧。本专利技术的第4形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第1形态至第3形态中任一形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述高频电力供给部能够对所述多个辅助天线分别供给各不相同的高频电力。本专利技术的第5形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第1形态至第4形态中任一形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述主面在观察所述主面的俯视时，为在几何学上对称的形状，所述多个辅助天线是与所述基材的几何学上的对称性对应地对称配置。本专利技术的第6形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第5形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述基材为矩形，所述至少一个基准天线为1个基准天线，所述多个辅助天线为4个辅助天线，所述1个基准天线是与所述基材的所述主面的中心位置相向地配置，所述4个辅助天线各自与所述基材的所述主面的四角分别相向地配置。本专利技术的第7形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第1形态至第6形态中任一形态的等离子体处理装置，其特征在于，规定在观察所述主面的俯视时彼此正交的第1方向与第2方向，所述多个电感耦合型天线所生成的多个电感耦合等离子体分别在所述俯视时指向所述第1方向，所述多个电感耦合型天线在所述第1方向上的配置间隔大于所述多个电感耦合型天线在所述第2方向上的配置间隔。本专利技术的第8形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第7形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述多个电感耦合等离子体分别以在所述俯视时将所述第1方向作为长轴方向并将所述第2方向作为短轴方向的椭圆形状的等离子体等密度线来表现。本专利技术的第9形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第1形态至第8形态中任一形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述多个电感耦合型天线中彼此邻接的各2个天线的间隔设为所述各2个天线各别地生成等离子体时的、邻接方向上的等离子体密度分布各自的半峰半宽的和以上。本专利技术的第10形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第9形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述各2个天线的间隔相距300mm以上。本专利技术的第11形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第1形态至第10形态中任一形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体供给部供给用于在所述基材的所述主面形成膜的气体。本专利技术的第12形态的等离子体处理装置是根据本专利技术的第1形态至第10形态中任一形态的等离子体处理装置，其特征在于，所述气体供给部供给用于对所述基材的所述主面进行蚀刻的气体。(专利技术的效果)本专利技术的第1形态至第12形态中，多个电感耦合型天线具有与基材的主面的中央部相向地配置的至少一个基准天线、及与基材的主面的端部相向地配置的多个辅助天线，高频电力供给部能够对至少一个基准天线与多个辅助天线供给不同的高频电力。因此，可在基材的主面的中央部与端部以更为均匀的等离子体密度分布生成等离子体。本专利技术的第4形态中，高频电力供给部能够对多个辅助天线分别供给各不相同的高频电力。因此，可在基材的主面附近以更为均匀的等离子体密度分布生成等离子体。本专利技术的第5形态中，基材的主面在观察该主面的俯视时为在几何学上对称的形状，多个辅助天线是与基材的几何学上的对称性对应地对称配置。如此，通过与处理对象物(基材)的形状对应地配置处理主体(天线)，从而可在基材的主面附近以更为均匀的等离子体密度分布生成等离子体。本专利技术的第7形态中，规定在观察基材主面的俯视时彼此正交的第1方向与第2方向，多个电感耦合型天线所生成的多个电感耦合等离子体分别在该俯视时指向第1方向，且多个电感耦合型天线在第1方向上的配置间隔大于在第2方向上的配置间隔。即，在所生成的电感耦合等离子体的指向性大的第1方向上，各天线稀疏地配置，在所生成的电感耦合等离子体的指向性小的第2方向上，各天线密集地配置。如此，通过根据各电感耦合型天线的电气特性来决定各电感耦合型天线的配置密度，从而可在基材的主面附近以更为均匀的等离子体密度分布生成等离子体。本专利技术的第9形态中，多个电感耦合型天线中彼此邻接的各2个天...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于包括：腔室，在内部形成处理空间；保持部，在所述处理空间内保持成为处理对象的基材；多个电感耦合型天线，在所述处理空间内，与由所述保持部所保持的所述基材的主面相向地配置；高频电力供给部，对所述多个电感耦合型天线分别供给高频电力；以及气体供给部，对所述处理空间供给气体，所述多个电感耦合型天线具有：至少一个基准天线，与所述主面的中央部相向地配置；以及多个辅助天线，与所述主面的端部相向地配置，所述高频电力供给部能够对所述至少一个基准天线与所述多个辅助天线供给不同的高频电力。

【技术特征摘要】
2015.01.22 JP 2015-0099671.一种等离子体处理装置，其特征在于包括：
腔室，在内部形成处理空间；
保持部，在所述处理空间内保持成为处理对象的基材；
多个电感耦合型天线，在所述处理空间内，与由所述保持部所保持
的所述基材的主面相向地配置；
高频电力供给部，对所述多个电感耦合型天线分别供给高频电力；
以及
气体供给部，对所述处理空间供给气体，
所述多个电感耦合型天线具有：
至少一个基准天线，与所述主面的中央部相向地配置；以及
多个辅助天线，与所述主面的端部相向地配置，
所述高频电力供给部能够对所述至少一个基准天线与所述多个辅
助天线供给不同的高频电力。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述中央部位于所述主面上的二维的中央，所述端部位于所述中央
部的周围。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述中央部位于所述主面上的一维的中央，所述端部位于所述中央
部的两侧。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特
征在于：
所述高频电力供给部能够对所述多个辅助天线分别供给各不相同
的高频电力。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特
征在于：
所述主面在观察所述主面的俯视时，为在几何学上对称的形状，
所述多个辅助天线是与所述基材的几何学上的对称性对应地对称
配置。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述基材为矩形，

【专利技术属性】
技术研发人员：米山典孝，
申请(专利权)人：株式会社思可林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP