等离子体反应器中离子密度、能量分布及解离的独立控制制造技术

一种在等离子体反应器中处理工件的方法，包括将来自具有三个各自频率的至少三个ＲＦ功率源的ＲＦ功率耦合到反应器中的等离子体；通过选择至少三个ＲＦ功率源中的第一对的功率级之间的比率而设置离子能量分布形态；并且通过选择至少三个ＲＦ功率源中的第二对的功率级之间的比率而设置离子解离和离子密度。所述三个各自频率可以是ＬＦ频率、ＨＦ频率或ＶＨＦ频率，其中所述第一对与ＬＦ频率和ＨＦ频率相对应而第二对与ＨＦ频率和ＶＨＦ频率相对应。另外，所述功率源包含四个ＲＦ功率源，其中第一对与ＨＦ频率和ＬＦ频率相对应而第二对与ＶＨＦ频率和另一频率相对应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在等离子体反应器中处理工件的方法，尤其涉及一种独立控制等离子体反应器中离子密度、离子能量分布以及离子解离的方法。
技术介绍
在半导体器件制造领域的技术提高包括器件特征尺寸或临界尺寸的急剧降低，从而，例如在多个绝缘导体层之间形成的开口趋于更深并具有更大的高宽比。本专利技术通过独立而同时地控制主等离子体(bulk plasma)中等离子体的离子密度、等离子体鞘层中的等离子体离子能量分布以及主等离子体容器中的离子解离而克服了形成这种结构的困难。因此，本专利技术满足了实现等离子体工艺的需要，在该工艺中可以进行离子密度、离子能量分布以及离子解离的选择而不会相互限制。
技术实现思路
一种在等离子体反应器中处理工件的方法，包括将来自具有三个各自频率的至少三个RF功率源的RF功率耦合到反应器中的等离子体；通过选择至少三个RF功率源中的第一对的功率级之间的比率而设置离子能量分布形态；并且通过选择至少三个RF功率源中的第二对的功率级之间的比率而设置离子解离和离子密度。所述三个各自频率可以是LF频率、HF频率或VHF频率，其中所述第一对与LF频率和HF频率相对应而第二对与HF频率和VHF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在等离子体反应器中处理工件的方法，包括：　　　　将来自三个各自频率的至少三个ＲＦ功率源的ＲＦ功率耦合到所述反应器中的等离子体；　　　　通过选择所述至少三个ＲＦ功率源中的第一对的功率级之间的比率而设置离子能量分布形态；以及　　　　通过选择所述至少三个ＲＦ功率源中的第二对的功率级之间的比率而设置离子解离和离子密度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：约翰P荷文，丹尼尔J霍夫曼，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]