可调整高度的等离子体离子流探头制造技术

提供了用于等离子体处理室内的等离子体探头组件。提供了在其第一端处带有探头表面的半导体探头元件。电连接器电气地连接到半导体探头元件。电绝缘套筒围绕了探头元件的至少部分。调整装置连接到半导体探头，使得探头表面与等离子体处理室的内部室表面共平面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及基片制造技术，且更特定地涉及用于测量在等离子体内的一组电气特性的设备。
技术介绍
在基片处理中，例如处理半导体晶片、MEMS装置或如用于制造平板显示器的玻璃板的处理中，经常使用等离子体。作为处理基片(化学蒸汽沉积、等离子体增强化学蒸汽沉积、物理蒸汽沉积、蚀刻等)的部分，例如基片被分为多个芯片或矩形区，它们的每个将变成集成电路。基片然后在一系列步骤中处理，其中材料被选择地移除(蚀刻)且沉积(沉积)以在其上形成电气部件。在典型的等离子体处理中，基片在蚀刻前涂敷以硬化的感光乳剂(例如光致抗蚀剂掩模)的薄层。硬化的感光乳剂区然后选择地被移除，导致下方的层的部分变得被暴露。基片然后放置在等离子体处理室内称为卡盘的包括单极或双极的电极的基片支承结构上。然后适当的蚀刻剂源气体(例如C4F8、C4F6、CHF3、CH2F3、CF4、CH3F、C2F4、N2、O2、Ar、Xe、He、H2、NH3、SF6、BCl3、Cl2等)流入到室内且被放电以形成等离子体来蚀刻基片的暴露区。随后，经常有利的是测量在等离子体内的电气特性(即，离子饱和电流、电子温度、浮动电位等)，以保证一致的等离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子体处理室内的等离子体探头组件，其包括：　　　　在其第一端处带有探头表面的探头元件；　　　　电气地连接到探头元件的电连接器；　　　　围绕探头元件的至少部分的电绝缘套筒；和　　　　连接到探头元件以调整探头元件的调整装置，使得探头表面与等离子体处理室的内部室表面共平面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C金巴尔，E哈森，D凯尔，A马拉克塔诺夫，
申请(专利权)人：兰姆研究有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]