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电极同时响应于多频的等离子体处理器制造技术
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文档序号:3717881
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在加工工件的真空室内,等离子体以等离子体约束容积为界,包括同时响应于第一和第二RF频率功率的第一电极与DC接地第二电极之间的区域。DC接地延伸部分基本上直线对准第一电极。大部分第一频率功率耦合到包括第一与第二电极但不包括延伸部分的通路,大部...
该专利属于拉姆研究有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过拉姆研究有限公司授权不得商用。
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