基板处理室的洗净方法和基板处理室技术

本发明专利技术提供一种能够防止在处理室内部件的表面形成氧化膜的基板处理室的洗净方法。在上部电极板（３８）的表面附着有反应生成物的等离子体处理装置（１０）中，将晶片（Ｗ）从基板处理室（１１）搬出后，向处理空间（Ｓ）导入氧气，将处理空间（Ｓ）的压力设定为２６．７Ｐａ～８０．０Ｐａ，将电极板表面－空间电位差设定为０ｅＶ，将４０ＭＨｚ的高频电力的大小设定为５００Ｗ以下，通过４０ＭＨｚ的高频电力生成等离子体而实施干洗处理，进一步向处理空间（Ｓ）导入四氟化碳气体，通过４０ＭＨｚ和２ＭＨｚ的高频电力生成等离子体而实施氧化物除去处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板处理室的洗净方法、存储介质和基板处理室，特别涉及具备由硅制成的电极的基板处理室的洗净方法。
技术介绍
已知有具备基板处理室和下部电极的等离子体处理装置，该基板处理室具有已搬入作为基板的半导体晶片的处理空间，该下部电极配置于处理空间并且与高频电源连接。在该等离子体处理装置中，将处理气体导入处理空间，下部电极向处理空间施加高频电力。而且，在将半导体晶片搬入处理空间并载置于下部电极时，通过高频电力使导入的处理气体成为等离子体，产生离子等，通过该离子等对半导体晶片实施等离子体处理，例如蚀刻处理。在上述等离子体处理装置中，在使用附着性反应气体例如、C4F8气体和氩(Ar)气的混合气体作为处理气体时，由该反应气体产生的反应生成物附着于基板处理室的内部表面例如、侧部内壁(以下简记为“侧壁”)。附着的反应生成物从侧壁剥离成为颗粒。颗粒附着于半导体晶片上，成为该半导体晶片制造的半导体装置产生缺陷的原因。因此，需要除去附着于基板处理室的内部表面的反应生成物。目前，作为除去上述附着于内部表面的反应生成物的方法，已知的方法是将氧(O2)气导入处理空间，通过高频电力由氧气产生氧离子或氧自本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理室的洗净方法，该基板处理室具有搬入基板的空间，并且在该空间中对所述基板实施等离子体处理，还具备至少一部分在所述空间中露出的并且至少含有硅的处理室内部件，其特征在于，包括：通过由导入所述空间的氧气生成的第一等离子体对所述处理室内部件实施附着物除去处理的第一等离子体处理步骤；和通过由导入所述空间的四氟化碳气体生成的第二等离子体对所述处理室内部件实施氧化物除去处理的第二等离子体处理步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：本田昌伸，松井裕，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]