本发明提供一种等离子体处理装置，其在腔室（１）的内周侧的多处均等地形成的气体喷出口（１５），通过气体导入路（１４）与在下部腔室（２）的上端和盖部（３０）的上板（２７）的下端的接触面部，由台阶部（１８）和台阶部（１９）形成的间隙的环状连通...

本发明提供一种能够使用具有气体喷出部分为金属和陶瓷的两层结构的喷淋平板的喷淋头来进行均匀的处理的基板处理装置。喷淋头（１８）具有：形成有气体导入孔（６１ａ）的金属制的上部板（６１）；形成有多个气体通过孔（６６）的金属制的下部板（６２）；...

一种光源装置，其特征在于，包括：　包含等离子体形成区域，在所述等离子体形成区域中，通过无电极放电形成等离子体而产生发光的等离子体形成室；和　划分在所述等离子体形成室中的等离子体形成区域的下端，透过所述发光的光学窗，　在所述等离子体形成室...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，该等离子体处理装置的特征在于，包括：顶部开口且内部能够抽真空的处理容器；用于载置被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；气密地安装于所述顶部的开口、由透过微波的电介质构成的顶板；向所述处理容...

本发明提供一种批量式的等离子体处理装置，具有封闭端和与此相对的开口端，同时包括具有收纳被处理基板的处理区域的筒状的处理容器，处理容器具有筒状的绝缘性主体。装置还包括：隔开间隔保持被处理基板的保持具、对处理容器内搬入搬出保持具的装载机构、...

本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质。在等离子体处理装置中，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器（１０）内相对地平行配置上部电极（３８）和下部电极（１２），由第一...

本发明提供等离子体处理装置、天线和等离子体处理装置的使用方法。等离子体处理装置（１０）包括：处理容器（１００）；输出微波的微波源（９００）；传送微波的同轴管的内部导体（３１５ａ）；具有贯通孔（３０５ａ），使内部导体（３１５ａ）传送的微波...

本发明涉及除电装置、除电方法以及程序记录介质，该除电装置能够消除静电的影响，即使是６５ｎｍ工艺以后的超微细结构的被检查体也能提高被检查体的检查的可靠性，并且能够可靠地防止器件的损伤。本发明的除电装置（２０）中，主卡盘（１４）与探测卡（１...

本发明的热处理装置具备：用于收容被处理体的反应室、按照包围所述反应室那样设置的隔热体、设置在所述隔热体上的多个孔、分别设置在所述多个孔内部的多个环形间隔部件、和分别插入到所述多个环形间隔部件内的多个加热器元件。

本发明公开了一种用于在处理系统中支撑衬底并控制其温度的衬底固定器。该衬底固定器包括：设置在第一区中用于升高第一区的温度的第一加热元件。设置在第二区中的第二加热元件配置用来升高第二区中的温度。此外，第一可控绝缘元件设置在第一加热元件下面，...

本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该基板处理装置在被处理基板上形成在第一电极和第二电极之间形成有包括发光层的有机层的发光元件，其特征在于，包括：在形成在上述被处理基板上的上述第一电极上形成上述有机层的有机层形成装置；...

本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该发光元件包括：第一电极；与上述第一电极相对的第二电极；和包括形成在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层的有机层，其特征在于：上述第二电极包括形成在上述有机层上的保护该有机层的导电...

本发明提供一种成膜装置和发光元件的制造方法。上述成膜装置的特征在于，包括：在内部具有保持被处理基板的保持台的处理容器；使含有金属的成膜原料蒸发或者升华而生成气体原料、且设置在上述处理容器的外部的气体原料生成部；向上述处理容器内供给上述气...

公开了一种发光元件的制造装置，其特征在于：具有进行衬底处理的多个处理室，该衬底处理用于在被处理衬底上形成具有包含有机层的多个层的发光元件；多个处理室分别构成为：以被处理衬底的形成发光元件的元件形成面朝向与重力方向相反的方向的方式，进行被...

本发明的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的，基板处理装置把被处理基板Ｗ支撑在面对加热器部的位置，同时使保持被处理基板Ｗ的保持部件旋转。此外加热器部把ＳｉＣ加热器和热反射部件装在透明石英制的石英钟罩内部，通过使处理...

本发明提供一种处理装置，其具有可防止因埋设的加热器的加热而发生破裂的载置台。载置晶片（Ｗ）的载置台（３２Ａ）具有多个区域（３２Ａａ、３２Ａｂ），在多个区域的每一个内，独立地埋设有多个加热器中的一个。埋设在相邻区域中的一方（３２Ａａ）中的...

一种ＳＷＰ源包括电磁（ＥＭ）波发射器，所述电磁波发射器被配置为通过在与等离子体相邻的ＥＭ波发射器的等离子体表面上生成表面波来将ＥＭ能量以期望的ＥＭ波模式耦合到等离子体。功率耦合系统耦合到ＥＭ波发射器，并且被配置为将ＥＭ能量提供到ＥＭ波发...

本发明提供一种基板载置机构（１０），其具有在基板处理装置（１００）的处理容器内，载置基板（Ｗ）并对基板进行加热的基板加热功能，包括：基板载置台（１１），具有载置基板（Ｗ）的基体（１１ａ）、和加热设置在基体（１１ａ）上的基板（Ｗ）的发热体...

本发明的作为陶瓷加热器而构成的晶片载置台（１１），具有对作为易于成为破坏起点部位的发热体（１３）进行供电的供电部（１４）以及与支撑部件（１２）接合的接合部（１６）。而且，构成为使压缩应力产生于这些易于成为破坏起点部位的供电终端部（１４）...

本发明涉及一种热处理炉，其包括：用于容纳被处理体并进行热处理的处理容器、围绕此处理容器的筒状隔热件、沿隔热件的内周面配置的螺旋状的发热电阻、和沿轴方向设置在隔热件的内周面上并以规定的间距支撑发热电阻的支撑体。在发热电阻的外侧以适当间隔配...