基板处理装置制造方法及图纸

技术编号:3695701 阅读:104 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的基板处理装置以稳定而且有效地进行被处理基板的成膜处理为目的,基板处理装置把被处理基板W支撑在面对加热器部的位置,同时使保持被处理基板W的保持部件旋转。此外加热器部把SiC加热器和热反射部件装在透明石英制的石英钟罩内部,通过使处理容器内部减压并使石英钟罩内部也减压,可以使石英钟罩的壁厚减薄,这样来自SiC加热器的热传导效率提高,而且可以防止因SiC加热器造成的污染。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板处理装置,特别是对基板实施成膜等处理的基板处理装置。
技术介绍
到今天在超高速半导体处理装置中,在微细化工艺发展的同时,有可能发展成为0.1μm以下的栅极长。一般半导体装置的动作速度随着微细化而提高,但是在这样微细化的半导体装置中,随微细化造成的栅极长的缩短,按照比例定律有必要减小栅极绝缘膜的膜厚。可是栅极长到0.1μm以下的话,在使用现有热氧化膜的情况下,栅极绝缘膜的厚度也有必要设定在1~2nm或以下,但是用这样非常薄的栅极绝缘膜,隧道电流增加,其结果不能避免栅极漏电流增加的问题。根据这种情况,现在提出了介电常数远大于热氧化膜,因此把实际膜厚即使厚,换算成SiO2膜的情况下的膜厚也小的Ta2O5和Al2O3、ZrO2、HfO2以及ZrSiO4、HfSiO4这样的高电介质材料用于栅极绝缘膜的方案。通过使用这样的高电介质材料,栅极长在0.1μm以下的话,即使在非常短的超高速半导体装置中,也可以使用物理膜厚10nm左右的栅极绝缘膜,可以抑制隧道效应造成的栅极漏电流。例如众所周知,现在用Ta(OC2H5)5和O2作为气相原料的CVD法可以形成Ta2O5膜。典型的情况是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置,其特征在于,具有:    在内部划成有处理空间的处理容器;    把插入所述处理空间中的被处理基板加热到规定温度的加热器部;和    把所述被处理基板保持在所述加热器部上方的保持部件,    所述加热器部使发热体收容在用石英形成的透明箱壳内部。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:堀口贵弘桑嶋亮
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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