【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理装置,特别是对基板实施成膜等处理的基板处理装置。
技术介绍
到今天在超高速半导体处理装置中,在微细化工艺发展的同时,有可能发展成为0.1μm以下的栅极长。一般半导体装置的动作速度随着微细化而提高,但是在这样微细化的半导体装置中,随微细化造成的栅极长的缩短,按照比例定律有必要减小栅极绝缘膜的膜厚。可是栅极长到0.1μm以下的话,在使用现有热氧化膜的情况下,栅极绝缘膜的厚度也有必要设定在1~2nm或以下,但是用这样非常薄的栅极绝缘膜,隧道电流增加,其结果不能避免栅极漏电流增加的问题。根据这种情况,现在提出了介电常数远大于热氧化膜,因此把实际膜厚即使厚,换算成SiO2膜的情况下的膜厚也小的Ta2O5和Al2O3、ZrO2、HfO2以及ZrSiO4、HfSiO4这样的高电介质材料用于栅极绝缘膜的方案。通过使用这样的高电介质材料,栅极长在0.1μm以下的话,即使在非常短的超高速半导体装置中,也可以使用物理膜厚10nm左右的栅极绝缘膜,可以抑制隧道效应造成的栅极漏电流。例如众所周知,现在用Ta(OC2H5)5和O2作为气相原料的CVD法可以形成Ta2 ...
【技术保护点】
一种基板处理装置,其特征在于,具有: 在内部划成有处理空间的处理容器; 把插入所述处理空间中的被处理基板加热到规定温度的加热器部;和 把所述被处理基板保持在所述加热器部上方的保持部件, 所述加热器部使发热体收容在用石英形成的透明箱壳内部。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:堀口贵弘,桑嶋亮,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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