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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
对数型A/D转换器、对数型A/D转换方法、对数型D/A转换器、对数型D/A转换方法、以及物理量测量系统技术方案
用模拟乘法器(11)把基准参考电压Vref0 n次方,得到参考电压Vref1。用模拟乘法器(12)、(13)使Vref1逐次n次方,得到Vref2、Vref3。用开关组(38)控制Vref0~Vref3,与传感器电路(2)的输入电压V...
可编程逻辑电路控制装置、可编程逻辑电路控制方法和程序制造方法及图纸
公开了一种可编程逻辑电路控制装置,这种可编程逻辑电路利用一种简单结构,能够管理具有各种比特宽度和数据长度的数据,这些数据由可编程逻辑电路执行的各种过程产生。模块地址存储器部分(4)存储表明模块地址或者过程分支条件的数据并且按照一页一页的...
可编程逻辑电路控制装置、可编程逻辑电路控制方法以及程序制造方法及图纸
公开了一种可编程逻辑电路控制装置和方法以及程序,其便于平滑地执行复杂程序中的多个过程。模块地址存储部分(3)存储用于表明电路控制部分(4)将要读取的模块的地址的数据或者分支过程的条件以及每个页的跳转距离。电路控制部分(4)读取在模块地址...
旋转驱动装置以及旋转驱动方法制造方法及图纸
本发明的旋转驱动装置包括通过来自电源(71)的供应电压产生伺服马达(30)的转矩的转矩发生回路(72),和控制马达旋转的马达控制回路(73),在转矩发生回路(72)中设置检测供应电压水平和降低时间的电容器(76),并且可将由该电容器(7...
处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种处理装置,通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率,缩短基板稳定至规定温度所需的时间,还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层...
重物转动装置制造方法及图纸
本发明提供了一种紧凑的重物转动装置的技术。该转动装置构成为包括:与重物(5)结合的转动臂(11);以及驱动该转动臂(11)旋转的驱动装置(12)。驱动装置(12)包括:电动机,其内置有与行星齿轮式减速器的旋转输入部在同一轴线(A)上连接...
多电力使用系统的动作控制装置及方法制造方法及图纸
本发明提供一种多个电力使用系统的动作控制装置,从电力供给设备向电力使用系统供给电力,对各个电力使用系统的电力消耗图形和动作中的电力使用系统的电力消耗图形进行加法运算求预定综合电力消耗图形。其次把对于已进行了动作开始要求的电力使用系统以假...
基板搬运装置和电缆配线构造制造方法及图纸
本发明涉及一种配线构造,当将电缆配置在旋转部件上时,能够抑制加在构成电缆的各线体上的负荷,并且防止当电缆伴随旋转部件的旋转而运动时发生相互摩擦或相互缠绕,更加节省电缆的配线空间。该配线构造包括收容电缆的壳体(110)、能够围绕铅直轴相对...
激光发射装置的位置调整方法制造方法及图纸
本发明提供一种激光发射装置的位置调整方法。该方法简单地使激光位置对准,能以更高的精度且在更短的时间调整激光的焦点等。该方法执行以下工序:将自周缘部朝着中心而形成有规定宽度的狭缝(500)的调整用基板(Wadj)放置在载置台上,以便来自激...
用于邻接在处理元件上的相邻覆层的方法技术
被施加于一个等离子体处理系统的处理元件上的两个或更多个覆层用保护阻挡层或者覆层处理。描述了一种用于邻接在所述处理元件上的两个或更多个覆层的方法。施加第一保护阻挡层之后,对所述第一保护阻挡层的一部分进行处理。然后将第二保护阻挡层施加于一个...
分配器和分配方法,等离子处理系统和方法,以及LCD的制造方法技术方案
一种分配器(30),包括连接到微波振荡器(20)的方形波导管(31)和具有多个在窄壁(41B)中形成的开口(43)的方形波导管(41)。方形波导管(31)是中空的。相对介电常数为ε↓[r]的波延迟部件(53)被配置在方形波导管(41)中...
减压处理室内的部件清洁方法和基板处理装置制造方法及图纸
为了使附着在减压处理室内的部件上的微颗粒飞散,清洁部件,采用将电压加在部件上,利用麦克斯韦应力使微颗粒飞散的方法;使微颗粒带电,利用库仑力飞散的方法,将气体导入减压处理室中,使气体冲击波到达附着有微颗粒的部件,使微颗粒飞散的方法;使部件...
与互连结构中电介质材料成一体的扩散阻挡叠层及其形成方法技术
本发明涉及一种在用于双重镶嵌式金属芯片级互连结构的电介质上形成扩散阻挡叠层的方法、以及因此生产的扩散阻挡叠层。金属和电阻性扩散阻挡层形成的交互层沉积在电介质基片上,其中不同的层具有适于其在器件中的功能的不同厚度。在本发明的一示例中,钽和...
热处理装置制造方法及图纸
本发明提供了一种热处理装置,它包括:在上端部形成有开口部的加热炉主体:设置在所述加热炉主体内壁处的加热组件;收装在所述加热炉主体内部处的、由单管构成的反应容器:形成在所述反应容器上部处的排气配管连接部;以及设置在所述排气配管连接部周围位...
热处理方法和热处理装置制造方法及图纸
一种处理方法,它具有将多个被处理体在高度方向放置成多段的保持夹具收容在处理容器内的工序;和通过利用加热装置加热,进行规定的热处理的工序。预先,求出进行被处理体的热处理的加热装置的特定的目标发热量。处理装置具有处理容器和设在处理容器内的控...
半导体工艺的成膜装置以及方法制造方法及图纸
本发明提供一种半导体处理用的成膜装置,包括向处理容器内供给用于在被处理基板上堆积薄膜的原料气体的原料气体供给系统、以及向处理容器内供给用于向薄膜中导入杂质的掺杂气体和用于稀释掺杂气体的混合气体的混合气体供给系统。混合气体供给系统包括:用...
等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸
一种等离子体处理装置,对配置在处理容器内的硅基板,使用等离子体进行氮化处理,其特征在于:在等离子体产生部和所述硅基板之间配置具有开口部的隔板。
加工系统的自动配置方法技术方案
一种为半导体制造环境自动配置先进工艺控制(APC)系统的方法,其中产生用于执行自动配置程序的自动配置脚本。自动配置脚本激活用于输入到自动配置程序中的默认值。执行自动配置脚本,以便产生从自动配置程序输出的启用参数文件。启用参数文件识别用于...
利用等离子体CVD的成膜方法和成膜装置制造方法及图纸
本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前,将气体导入真空排气的腔室内,将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上,对基板进行预热。接着,在停止导入气体的同时,对...
基板处理方法技术
一种基板处理方法,其特征在于,具有:将包含第一超临界状态介质的第一处理介质供给被处理基板,进行基板处理的第一工序;将包含第二超临界状态介质的第二处理介质供给所述被处理基板,由此在所述被处理基板上形成Cu扩散防止膜的第二工序; ...
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