本发明提供一种成膜装置，其具有：供给由液体或气液混合物构成的原料的原料供给部；使原料气化并生成原料气体的原料气化部；和使用生成的原料气体进行成膜处理的成膜部，其中在从原料气化部至成膜部的导入部分的原料气体的输送路径的途中配置有过滤器（１...

本发明提供一种对硬质掩模的蚀刻选择比高、能够抑制聚合体的附着和侧向腐蚀现象、并且抑制对多孔Ｌｏｗ－ｋ膜的损伤和表面粗糙程度的等离子体蚀刻方法。在等离子体处理装置（１）的处理室内，使用处理气体对被处理体进行等离子体蚀刻处理，其中，该被处理...

本发明提供一种蚀刻方法，该方法即使在处理大型玻璃基板的情况下，也能够得到氮化硅膜相对于含有高熔点金属材料的源极－漏极电极的充分的蚀刻选择比。通过使用含有ＣＦ↓［４］和Ｏ↓［２］的处理气体进行等离子体蚀刻处理，一次形成贯通钝化膜（１０８）...

本发明提供可提高半导体器件的成品率的基板处理装置。作为基板处理装置的等离子体处理装置（１０）具有静电吸附载置的晶片（Ｗ）的载置台（３５）。等离子体处理装置（１０）与测定晶片（Ｗ）的温度的温度测定装置（２００）、和直接或间接地进行晶片（Ｗ...

本发明提供一种即使是大型的基板，也可以抑制产生基板弯曲或破损等，同时实现使收纳基板的壳体小型化的加热处理装置。加热处理装置（２８）具有：作为在一个方向搬送基板（Ｇ）的搬送通路的辊搬送机构（５）；围绕搬送通路而设置的壳体（６）；在壳体（６...

本发明的立式热处理装置具备在下方具有炉口的热处理炉。将被处理体在上下方向搭载在多段中的晶舟，通过上述炉口被收容在上述热处理炉的内部。支撑上述晶舟的盖体能够闭塞上述炉口。移载室与上述炉口连接。在上述移载室内设置有使上述盖体升降、以将上述晶...

在基板处理装置发生故障时，回收基板处理装置内残存的基板以便不对后面的基板处理带来不良影响，迅速再次开始基板处理。在涂敷显影处理装置内发生故障时，利用装置内的输送单元将涂敷显影处理装置内的所有基板回收到输入输出部。此时，各输送单元，将基板...

本发明提供一种能够提高维修的作业效率的基板处理装置。基板处理装置（１）包括对作为被处理体的半导体晶片实施等离子体处理的６个处理腔室（１００），在处理腔室（１００）上，设置有作为用于密闭在上部具有开口部的处理腔室框体（１１０）的上盖的腔室...

本发明提供一种可以提高清理效率、并且可以防止检查时清理部件的纤维造成的探针之间短路的清理部件和探针装置。本发明的清理部件（１０）具有底座（１２１）、由多根直立设置在底座（１２１）上的绝缘性塑料纤维（１２２）构成的刷子（１２３），在绝缘性...

半导体制造装置包括：包含收容液体材料的容器（Ｘｂ、Ａｂ、Ｂｂ、Ｃｂ），从该容器供给上述液体材料的液体材料供给部；使由上述液体材料供给部供给的上述液体材料气化而生成气体的液体气化部；使用由上述液体气化部供给的上述气体进行成膜处理的处理部；...

处理系统（１００）包括：搬送室（１５０）、与搬送室相连的多个室（１４０、１６０）、附设在搬送室内的搬送装置（１８０）、控制搬送装置的控制部（２００）。搬送装置包括能够滑动动作的基台（１８２）、能够旋转动作的搬送臂（１８５Ａ、１８５Ｂ）。...

本发明的目的在于提供一种使用金属烷氧化物构成的成膜气体的成膜方法，能够抑制处理容器内的铝或铝合金的溶出，实施抑制被处理基板污染的清洁的成膜。因此，本发明的成膜方法在保持在处理容器内的被处理基板上形成薄膜，其特征在于，包括：加热上述被处理...

本发明提供一种即使针对大型的基板也具有优异的安全性并同时提高生产率的基板冷却装置。基板冷却装置（２５）具有：滚动搬送机构（５），作为向一个方向搬送基板（Ｇ）的搬送路径；和冷却机构（７），在壳体（６）内使由滚动搬送机构（５）搬送的基板（Ｇ...

本发明提供一种对被处理体（Ｗ）实施规定的等离子体处理的等离子体处理装置，该装置包括：能够抽成真空的处理容器（１２）、保持上述被处理体的被处理体保持单元（２０）、产生高频电压的高频电源（５８）和将经过等离子体化的等离子体化气体供给至上述处...

本发明涉及一种晶片夹具，包括：突出没入在载置台上形成的多个沿铅垂方向的贯通孔的多个销，和使上述多个销升降、突出没入的升降机构，该晶片夹具构成为使上述多个销从上述载置台的载置面突出而进行晶片授受。在上述多个销的各个上端面上设置有与对应各贯...

在本发明的薄膜电容器中，抑制电场集中，降低漏电流。在由导电材料构成的下部电极（２２）上形成第一锆氧化物层（２６Ａ）。在第一锆氧化物层（２６Ａ）上形成由非结晶材料构成的缓冲层（２８）。在缓冲层（２８）上形成第二锆氧化物层（２６Ｂ），在第二...

本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室（１）内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片（Ｗ）表面上的ＰＲ膜层（２０２）等有机膜层的下层的ＳｉＯ↓［２］膜层（２０４）上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，...

本发明提供一种能够使构造单纯化的联锁控制装置。联锁控制装置（１）具有与控制模块对应的从开关装置（１００、２００、３００）和与它们连接的主开关装置（４００）。在主开关装置（４００）中多路化装置（１１０）通过以预先设定的顺序对联锁要因信号进...

本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部（１１０）内的气体供给路（２１０），比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的...

本发明提供了一种形成钝化金属层的方法，所述钝化金属层可以在随后暴露于含氧环境时保持下方金属层的性质和形貌。所述方法包括：在处理室（１）中提供衬底（５０、３０２、４０３、５１０）；将所述衬底（５０、３０２、４０３、５１０）暴露于包含铼－羰...