本发明提供了一种利用等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底上沉积具有可调光学和抗刻蚀特性的ＴＥＲＡ薄膜的方法和装置，其中，对于ＴＥＲＡ薄膜沉积的至少一部分，等离子体增强化学气相沉积工艺采用一种减少与光刻胶反应的前驱体。该装置包括一个具有耦合...

本发明提供防止在静电吸附电极的气体流路中的异常放电，并且即便万一在气体流路中发生异常放电时也可以容易地进行修理的静电吸附电极。静电吸盘（５）具有由相互可以分离的第１基材（３０）和第２基材（３１）构成的组合构造。分别在第１基材（３０）上的...

在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氯置换用气体的第二处理气体和含有氧化气体的第三处理气体的处理区域内，利用ＣＶＤ在被处理基板上形成硅氧化膜。该成膜方法交替地具有第一～第六工序。在第一、第三和第五工序中，分别供给第一、...

从天线（７）的平面天线部件通过介质板（６）向处理容器（１）内放射微波，这样，可使从气体供给部件（３）供给至处理容器（１）内的Ｃ↓［５］Ｆ↓［８］气体等离子体化（活性化），在半导体晶片（Ｗ）上形成一定厚度的添加氟的碳膜。当在每块晶片上进行...

提供一种能够抑制成本和体积的增加、抑制成品率和生产能力的降低的基板处理系统以及基板处理方法。在具有对多个基板进行单片式处理的第１装置（５０）和第２装置（６０），在进行了以所述第１装置（５０）进行的第１处理工序后进行以所述第２装置（６０）...

本发明提供能够与现有技术相比，将被蚀刻层蚀刻成更微细的图案的等离子体蚀刻方法、控制程序、计算机存储介质和等离子体蚀刻装置。将上层抗蚀剂层（１０４）作为掩模，进行等离子体蚀刻，在中间层（１０３）中，侧壁面为圆锥状，形成尺寸比上层抗蚀剂层（...

本发明提供一种可以充分地除去残渣有机物和自然氧化物，并且不对通孔的侧壁绝缘膜造成损伤，不对ｋ值造成不良影响的半导体基板导电层表面的净化方法。将在半导体基板的导电层（１）的表面上形成绝缘膜（２、３）、并在绝缘膜（３）中形成将导电层（１）的...

本发明提供一种成膜方法，重复进行１次以上由向在处理容器内被加热到成膜温度的半导体晶片供给ＴｉＣｌ↓［４］气体和ＮＨ↓［３］气体、通过ＣＶＤ形成由ＴｉＮ构成的膜的第一步骤、和停止供给ＴｉＣｌ↓［４］气体、供给ＮＨ↓［３］气体的第二步骤构成...

喷头结构（２６），具备：具有形成有多个气体喷射孔（３０Ａ、３０Ｂ）的底壁（７８Ａ）和从底壁的边缘部竖起的侧壁（７８Ｂ）、整体形成为杯形的一体式结构的喷头主体（７８）。喷头主体（７８）中收容有多个气体扩散室隔板（８２Ａ～８２Ｃ）。设置在处...

每次净化在处理室内容纳被处理基板，对所述被处理基板实施规定的处理的基板处理装置的处理室时，交替实施在处理室内形成包含氧元素的气体的等离子体的工序和在处理室内形成包含氮元素的气体的等离子体的工序。

本发明提供一种涂敷.显影装置和涂敷.显影方法。在对应用液浸曝光的基板进行处理时，抑制从抗蚀剂溶出的成分的影响，从而进行高精度且面内均匀性高的涂敷、显影。构成为由涂敷单元在基板的表面涂敷抗蚀剂，然后利用第１清洗机构例如清洗喷嘴来清洗基板，...

本发明的目的在于，在内部混合气体和液体并将液滴与气体一起喷射而清洗基板的基板清洗用双流体喷嘴中，使液滴的粒径和速度均匀化。在基板清洗用双流体喷嘴中，具有：供给气体的气体供给通路、供给液体的液体供给通路、和将内部形成的液滴导出的导出通路，...

本发明提供一种基板处理系统、基板处理方法、验证程序和记录有验证程序的计算机可读取记录介质。基板处理系统包括：计算机（５０）；记录有处理方案数据（１５）的存储装置（５１）；记录在所述存储装置（５１）内，使所述计算机（５０）按照所述处理方案...

本发明提供一种等离子体灰化方法，将对在被处理体上形成的低介电常数膜（Ｌｏｗ－ｋ膜）或底膜的损伤抑制为低于现有技术。该等离子体灰化方法包括：第一灰化工序，向处理室（１０２）内供给至少包含ＣＯ↓［２］气体的反应生成物除去处理气体，向上部电极...

本发明的基板处理装置设置有从设置在供给处理气体的气体供给系统的处理室（１１）的入口附近的开关阀（１３ｄ、１４ｄ）的上游侧分支，并连接到排气管（１７）的分支配管（１８）。在该分支配管（１８）上插入气体流量检测机构（１９），并设置用于将流路...

本发明涉及半导体装置等电子装置用基板及其处理方法。在该基板的处理方法中，首先，准备电子装置用基板，在该基板的表面上形成由加氟碳（ＣＦ）构成的绝缘膜（Ｉ）。接着，通过使在例如氪（Ｋｒ）气的等离子体中生成的活性种（Ｋｒ↑［＋］）与绝缘膜（Ｉ...

本发明是一种被处理体的处理装置，其特征在于，包括：能够将内部抽成真空的处理容器、向上述处理容器内导入规定气体的气体导入单元、设置在上述处理容器内的支撑台、设置在上述支撑台上的用于支撑被处理体的环状支撑部、在上述支撑部的内侧的设置在上述支...

本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗装置、计算机程序和存储介质，在对晶片实施使用清洗液喷嘴的清洗处理和使用侧漂洗喷嘴的漂洗处理之后的干燥处理中，使晶片旋转，从而开始从纯水喷嘴向晶片的中心点供给纯水，实质上与此同时，开始从气体喷嘴在晶片的...

本发明的目的在于，在基板面内均匀地形成期望尺寸的细微的抗蚀剂图形。在溶剂供给装置中设置有溶剂蒸气喷出喷嘴，该溶剂蒸气喷出喷嘴可一边在晶片的表面上移动一边喷出使抗蚀剂图形膨胀的溶剂蒸气。显影处理结束后将形成有抗蚀剂图形的晶片输入到溶剂供给...

在捕集通过气体排气路径的排出气体中的析出物的排气捕集装置（１００）中，沿着排气路径串联配置多个排气捕集部件（１１０、１２０、１３０），其构成使排出气体在内部通过的排气通路。在各个捕集部件内的排气捕集部分上设置多个冲突板。上游侧的捕集部件...