本发明提供一种被处理基板的温度控制性良好，没有在整个基板上拔热量在局部发生突变这样的异常点的基板载置台。在基板载置台的表面设置传热用气体的流入口和流出口，形成将基板载置台表面与基板之间的密闭空间作为流路的稳定的气流，在该流路中设置各种障...

本发明提供在使用底部开口容器时，不移动检测装置而检测出基板位置偏离的基板位置偏离检测系统。其是适用于容器１和盒模块５的基板位置偏离检测系统，所述容器１具备在底部具有开口部的主体２、自由开闭开口部的盖体３和载置于盖体３并保持晶片Ｗ的盒４，...

本发明提供热处理装置、加热器及其制造方法，能提高喷出孔的设计自由度，无需调整阀只利用喷出孔的设计便能调整加热器各部的降温速度，且流路结构简单，易于实现密封和降低成本。热处理装置包括：多层收容被处理体并对其进行规定热处理的处理容器；覆盖该...

本发明提供一种无定形碳膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理容器内配置基板的工序；向所述处理容器内供给含有碳、氢和氧的处理气体的工序；通过加热所述处理容器内的基板来分解所述处理气体，并在该基板上堆积无定形碳膜的工序。

本发明提供一种钌膜的成膜方法以及计算机能够读取的存储介质，该钌膜的成膜方法为，将基板配置在处理容器内，对基板进行加热，向处理容器内导入钌的戊二烯基化合物气体（例如２，４－二甲基戊二烯基乙基环戊二烯基钌）和氧气，使这些气体在被加热的基板上...

本发明提供不使用复杂图案的中间掩膜也能够高精度且容易地形成非直线状的微细图案的蚀刻掩膜的蚀刻掩膜形成方法、控制程序以及程序存储介质。使用第１中间掩膜，将直线状的曝光图案（１０）复制、显影于光致抗蚀剂（１１）上、并进行修整，其后以其作为掩...

本发明提供一种处理系统的控制装置、控制方法和存储媒体。处理系统（１０）中具有ＰＭ１、ＰＭ２和ＬＬＭ１、ＬＬＭ２以及ＥＣ（２００）和ＭＣ（１００）。ＥＣ（２００）控制处理系统内的晶片搬送和处理，ＥＣ（２００）的搬送目的地决定部（２５５）决...

本发明提供了检查形成在半导体晶片上的结构的系统和方法。对于形成在半导体晶片上的结构创建光学测量模型。光学测量模型包含一个或多个外形参数、一个或多个工艺参数和色散。获得将色散与一个或多个工艺参数中的至少一个相关联的色散函数。利用光学测量模...

本发明提供金属膜成膜方法和计算机能够读取的存储介质，仅是形成氮化钛膜的工序就能够容易地发生硅化反应，从而大幅提高处理能力。该金属膜成膜方法具有通过向晶片上供给钛化合物气体、还原气体和氮气并生成等离子体，在晶片上形成氮化钛膜的工序，在该工...

本发明提供基板保持装置及保持方法、半导体制造装置及存储介质。其中，基板保持装置包括：具有与基板背面相对的基板保持面的基板保持部；支承各基板的背面并利用与基板的摩擦力来防止该基板相对于上述基板保持面横向打滑的凸部；在上述基板保持面上开口并...

本发明提供能够有效地控制被处理的基板的成膜量的基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。基板处理系统包括：在多个基板上进行成膜的基板处理部；取得表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置的配置模式的信息的取得部；和存储表示上述多...

本发明提供成膜方法、成膜装置、存储介质以及半导体装置。可使形成在层间绝缘膜与配线金属之间的阻挡膜获得相对于构成配线金属的元素、构成层间绝缘膜的元素的高阻挡性。其中，使在处理容器内载置基板的载置台、与沿着周向形成有许多个隙缝的平面天线构件...

本发明提供一种与以往相比可简化工序和降低制造成本、可提高生产率的半导体装置的制造方法和装置、控制程序及程序存储介质。上述制造方法包括：成膜工序，在光致抗蚀剂（１０３）的图形上形成ＳｉＯ↓［２］膜（１０４）；蚀刻工序，对ＳｉＯ↓［２］膜（...

本发明提供半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、控制程序及程序存储介质。与以往相比，能够谋求简化工序和降低制造成本，且能够谋求提高生产率。其中，该半导体装置的制造方法包括在有机膜（１０２）的图案上形成ＳｉＯ↓［２］膜（１０５）的成...

一种采用ＳｉＯ↓［２］膜及ＳｉＯＮ膜作为具有极薄（例如２．５ｎｍ以下）膜厚的绝缘膜、采用多晶硅、非晶硅、ＳｉＧｅ作为电极的具有良好电气特性的电子器件（例如高性能ＭＯＳ型半导体器件）结构的制造方法。在包含氧以及稀有气体的处理气体的存在下，...

提供一种确保处理均匀性，并相比以往增加基板保持件搭载块数的热处理方法和热处理装置。多块被处理基板（ｗ）沿着上下方向且以规定间隔搭载到基板保持件（１０）上，将该基板保持件（１０）搬入热处理炉（３）内，对被处理基板进行规定热处理。上述基板保...

本发明提供基板清洁装置及方法、基板处理装置及方法以及存储介质，简便且可靠地去除附着于圆形状基板的背面侧周缘部上的附着物。另外，延长了对需要去除附着物的构件的更换、清洁等维护周期。使外周面具有粘着性的、呈大致圆筒状的第１清洁用旋转体的外周...

本发明涉及涂敷处理方法、涂敷处理装置和计算机可读取的存储介质。一种基板的涂敷处理方法，具有：第一工序，在使基板旋转的状态下，从喷嘴向该基板的中心部喷出涂敷液，将涂敷液涂敷在基板上；第二工序，在第一工序之后，对基板的旋转减速，使基板持续旋...

本发明是一种薄膜形成方法，其特征在于，该方法包括如下工序：在被处理体的表面上通过溅射形成用于防止充电损伤的防充电损伤膜的工序；在形成于被处理体的表面上的防充电损伤膜的表面上通过溅射形成所期望的薄膜的工序。

本发明公开的分析装置，包括：第一处理部，其通过照射紫外线，除去在基板上形成的覆盖膜；第二处理部，其向基板的表面供给溶解液，使基板上的分析对象物质溶解；和第三处理部，其对第二工序中使用的溶解液中的分析对象物质进行分析。